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[发明专利]连续旋转曝光系统及方法-CN202310772029.0有效
发明人：曹子峥;周延;皮雅稚;余少华 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种连续旋转曝光系统及方法，系统包括：片上集成光子芯片系统；片上集成光子芯片系统包括：位移设备、片上集成高速并行读写头，片上集成高速并行读写头包括多个阵列化单元，所述多个阵列化单元划分为近场作用像素区和距离校准像素区
连续旋转曝光系统方法

[发明专利]一种MEMS原子腔芯片及其制备方法-CN201010101571.6有效
发明人：董海峰;房建成;周斌权;万双爱;秦杰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：该芯片包含两片玻璃衬底和一片硅衬底，在玻璃衬底上集成制备出加热丝和射频线圈，并且通过激光穿孔和电镀工艺加工出连接正面和反面的金属引线。在硅衬底上集成制备出原子腔空间和热隔离环。本发明具有高的集成度，实现了加热丝、射频线圈和热隔离结构的片上集成。除可用于MEMS原子钟和MEMS原子磁强计外，也可用于MEMS原子陀螺。
一种 mems 原子芯片及其制备方法

[发明专利]片上集成CMOS可编程斩波振荡器电路-CN201510108048.9有效
发明人：张任伟;刘珂;杜占坤 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H03K3/353 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成CMOS可编程斩波振荡器电路，解决了现有技术中振荡器电路所输出的时钟信号的噪声较大的问题。所述片上集成CMOS可编程斩波振荡器电路包括线性稳压器、启动单元、编程控制单元、延时单元、滤波器、简单环振、斩波开关、电阻R、电容C和反馈环路；所述线性稳压器为振荡器回路提供稳定的偏置电压和驱动电流，所述反馈环路由比较器本发明提供的片上集成CMOS可编程斩波振荡器电路适用于集成电路片上系统。
集成 cmos 可编程振荡器电路

[发明专利]一种内插有Dummy金属阵列的片上集成电感-CN201110206561.3无效
发明人：李小进;祝文涛;石艳玲;王勇;蔡静;叶红波;胡少坚 -专利权人：华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，提出了一种内插有Dummy金属阵列的片上集成电感。本片上集成电感依次包括金属层、隔离层和底层金属层；金属层通过隔离层上的通孔与底层金属层相连；金属层包括电感线圈，电感线圈内排列有Dummy金属阵列。本发明在尽可能不降低电感品质因子Q的前提下，提高了金属分布密度一致性，保证了片上集成电感的工艺一致性。
一种内插 dummy 金属阵列集成电感

[发明专利]一种片上集成滤波器的三维封装结构及其封装方法-CN202111167772.0在审
发明人：胡柳林;唐小宏;何舒玮;陈依军;卢朝保;侯杰;周鹏;吴晓东;袁野;唐仲俊;董金生 -专利权人：成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成滤波器的三维封装结构，包括层叠设置的上层封装板和下层封装板、以及设置在下层封装板的上表面的片上集成滤波器。本发明在系统集成的时候同时集成了滤波器，且集成滤波器工艺与转接板工艺兼容，可以一次加工成型，简化集成工艺，实现三维集成封装，解决传统射频系统封装集成一致性差，以及小型化困难的问题。
一种集成滤波器三维封装结构及其方法

[发明专利]一种数据存储方法及装置-CN202211099888.X有效
发明人：冯涛;蔚翔宇 -专利权人：南京芯驰半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据存储方法、装置、计算机可读存储介质、异构片上集成系统、芯片、半导体集成面板、电子部件和交通工具，该方法包括：首先，将来自异构片上集成系统上不同硬件域的第一数据访问请求，转换为包括硬件域的标识、目标数据和数据访问操作的第二数据访问请求；然后，将第二数据访问请求发送至可访问存储设备的数据存储管理器，由数据存储管理器统一处理来自各硬件域的数据访问请求，从而实现了一种可适用于异构片上集成系统的虚拟化数据存储方案
一种数据存储方法装置

[发明专利]一种片上集成倍频器件及其制备方法-CN202110987782.2在审
发明人：李志远;彭凌志;洪丽红;李铭洲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成倍频器件及其制备方法，其中片上集成倍频器件包括：铌酸锂衬底；导电金属层，设置在所述铌酸锂衬底上；二氧化硅层，设置在所述导电金属层上；啁啾极化铌酸锂薄膜层，设置在所述二氧化硅层上，本发明通过将准相位匹配技术和啁啾调制技术引入片上铌酸锂薄膜，可以在片上集成器件中实现宽带频谱范围的高效倍频。本发明可广泛应用于集成光子学领域。
一种集成倍频器件及其制备方法

[发明专利]片上集成红外探测器-CN202110745508.4有效
发明人：王伟平;胡小燕;赵少宇;操俊;李斌;杨丽君;王子欣 -专利权人：中国电子科技集团公司信息科学研究院
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01J1/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种片上集成红外探测器，该片上集成红外探测器包括电磁超表面结构以及红外探测芯片，其中，电磁超表面结构用于接收红外入射光，获取红外入射光中至少一个预定波段的光强信号并发出；红外探测芯片位于电磁超表面结构的表面上本申请的片上集成红外探测器中，通过电磁超表面结构可以区分不同波长的光，具备了光谱识别能力，同时将电磁超表面结构与红外探测芯片集成在片上，保证了红外探测器的体积较小，重量较轻，便于集成化的应用，较好地解决了现有技术中的红外探测器体积较大的问题
集成红外探测器

[发明专利]横向SAM与OAM可调的光子发射/接收芯片及其制备方法-CN201710614113.4在审
发明人：张彦峰;邵增凯;朱江波;陈钰杰;余思远 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向SAM与OAM可调的光子发射/接收芯片，包括片上集成的氮化硅微环波导，及片上集成的设置在氮化硅微环波导两侧的氮化硅锥形耦合波导结构，所述氮化硅微环波导内侧的倏逝波区设置有角向光栅阵列。
横向 sam oam 可调光子发射接收芯片及其制备方法

[发明专利]低维材料/CMOS片上集成芯片及其集成方法-CN202310358414.0在审
发明人：徐杨;宁浩;汪晓晨;谢永亮;蔺江铭;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：本发明涉及一种低维材料/CMOS片上集成芯片及其集成方法，本发明的低维材料CMOS片上集成芯片为上下两层的堆叠式芯片。上层是低维材料器件功能层，依靠新型低维材料器件实现感光、忆阻等功能拓展；下层是CMOS电路层，为CMOS电路芯片，依靠CMOS工艺流片生产的CMOS芯片实现新型低维材料器件信号的读出、处理功能。本发明能够实现新型的低维材料器件与成熟的CMOS工艺异质集成。该集成方式制备工艺简单、成本低廉、集成度高，融合了低维材料的特有优势，能够极大地推动低维材料器件的应用和CMOS体系的拓展。低维材料CMOS片上集成芯片解决了传统CMOS芯片材料体系单一，功能难以拓展的局限，实现功能创新。
材料 cmos 集成芯片及其方法

[发明专利]片上集成IPD封装结构及其封装方法、三维封装结构-CN202011462259.X有效
发明人：何舒玮;胡柳林;陈依军;卢朝保;侯杰;周鹏;吴晓东;周文瑾;唐仲俊;边丽菲 -专利权人：成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成IPD封装结构及其封装方法、三维封装结构，片上集成IPD封装结构包括硅基板层，设置在硅基板层上下表面并通过贯穿硅基板层的硅通孔连通的第一金属布线层，设置在位于硅基板层上表面的第一金属布线层表面的介质层，设置在第一介质层的表面并与介质层和第一金属布线层依次层叠构成片上集成IPD的第二金属布线层，及集成在硅基板层上的芯片。本发明将硅基板作为集成封装基板，在基板上集成无源元器件，采用封装基板一体化制作的集成方式将元器件制作与系统集成在同一个工艺流程下完成，无需单独加工制作元器件，加工集成简单，易于实现3D集成，且具有精度高
集成 ipd 封装结构及其方法三维

[发明专利]一种片上集成电感-CN201110042201.4无效
发明人：李小进;祝文韬;石艳玲;王勇;蔡静;叶红波;胡少坚 -专利权人：华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种片上集成电感，包括电感线圈、金属层、隔离层；相邻两层电感线圈之间设有至少一层金属层；电感线圈与金属层之间设有隔离层；相邻两层电感线圈从俯视方向上看，互相偏移不重合；电感线圈、金属层之间通过穿孔连接本发明片上集成电感降低了电感导线间的寄生电容，在不增加芯片面积的前提下，提高了电感的品质因子，扩展了电感的频率带宽。
一种集成电感

[发明专利]一种单纤双向组件-CN201780000439.6在审
发明人：孙辉 -专利权人：深圳市亚派光电器件有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种单纤双向组件，包括FPC基板(1)、滤光片(2)、光纤(3)、封装件(4)，其中，FPC基板(1)上集成有LD芯片(5)、PD芯片(6)，FPC基板(1)的一端还设有金手指(13)，封装件(4)上集成有聚焦透镜(41)，封装件(4)上设有光纤接口(42)，光纤(3)设于光纤接口(42)中，封装件(4)用于封装滤光片(2)、FPC基板(1)，FPC基板(1)由封装件(4)封装后，金手指(13)位于封装件(4)外侧单纤双向组件采用FPC基板(1)上集成LD芯片(5)、PD芯片(6)的方式，结构简单，生产周期短，生产成本低。
封装件单纤双向组件光纤接口金手指滤光片封装光纤生产周期生产成本低聚焦透镜

[发明专利]基于片上集成系统的光电振荡器及生成微波信号的方法-CN202011644742.X有效
发明人：徐路;王磊;肖希 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于片上集成系统的光电振荡器及生成微波信号的方法，涉及微波光子信号产生领域，包括：光输入单元，其用于输出第一频率的第一光信号以及第二频率的第二光信号。用于构成光电混合谐振腔的光电循环回路，其包括基于片上集成系统的光力谐振模块，所述光电循环回路用于接收并调制所述第一光信号，所述光力谐振模块用于使调制后的所述第一光信号通过谐振产生声子信号，且还通过所述声子信号调制所述光电循环回路接收的所述第二光信号并输出本发明中的基于片上集成系统的光电振荡器能够实现较大的片上延时。
基于集成系统光电振荡器生成微波信号方法

[发明专利]使用片上传感器和计算装置的集成电路片温度补偿方法和装置-CN200580014336.2无效
发明人： A·奥斯;G·甘斯托 -专利权人：爱特梅尔股份有限公司
申请日： 2005-02-23 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：一种使用片上电路、传感器和校准算法的集成电路的温度补偿方法和装置。该芯片包括片上参考电路(12)、用于测量与参考电路有关的参数的片上传感器(26)、以及用于处理算法的片上计算装置(18)。还使用辅助的片外参考电路(16)。该算法执行以下步骤：(A)在第一测试位置于第一温度(高温)下为片上集成电路系统上的内部参考进行第一校准，(B)利用在步骤(A)中获得的校准数据在第二测试位置于第二温度(低温)下为片上集成系统上的内部参考源进行第二校准
使用传感器计算装置集成电路温度补偿方法