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[发明专利]具有增加的浮置栅极长度的三维闪存-CN202010219870.3在审
发明人： R·阿加瓦尔;S·高达;K·帕拉特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：集成电路存储单元包括浮置栅极、控制栅极和多个多晶硅间电介质(IPD)层。IPD层包括IPD1层、IPD2层和IPD3层，其中IPD2层插入在IPD1与IPD3层之间。IPD2层(其可以是氮化物)不位于浮置栅极的侧翼。因此，浮置栅极的任何部分都不横向地位于IPD2层的两个部分之间。另外，第一存储单元的IPD2层的任何部分都不位于第一存储单元的浮置栅极与相同的存储单元串的紧邻存储单元的浮置栅极之间。在一些情况下，在浮置栅极与IPD3层之间提供IPD4层。IPD4层比IPD1‑3层相对要薄得多，并且可以如IPD3层位于浮置栅极的侧翼。
具有增加栅极长度三维闪存

[发明专利]处理信号的方法和装置-CN200980137978.X有效
发明人：李显国;尹圣龙;金东秀;林宰显 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G10L19/00 文献下载
摘要：本发明包括：接收从多信道信号生成的下混信号和值示多信道信号的属性的空间信息，以上混所述下混信号；从空间信息的头部获得指示IPD值是否用于空间信息的信道间相位差(IPD)编译标记；基于IPD编译标记从空间信息的帧获得IPD模式标记，该IPD模式标记指示IPD值是否用于空间信息的帧；基于IPD模式标记获得在帧中参数时隙的参数频带的IPD值；通过使用先前的参数时隙的IPD值修改IPD值来平滑IPD值；以及通过将已平滑的IPD值应用于所述下混信号来生成多信道信号。
处理信号方法装置

[发明专利]高频IPD模块三维集成晶圆级封装结构及封装方法-CN201410751394.4在审
发明人：孙鹏;何洪文;徐健 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频IPD模块三维集成晶圆级封装结构及封装方法，包括PCB系统板，其特征是：在所述PCB系统板上堆叠低频IPD封装体，在低频IPD封装体上堆叠射频IPD封装体；所述PCB系统板通过焊球与低频IPD封装体的正面连接，低频IPD封装体通过焊球实现与外界的电学连接；所述低频IPD封装体通过第一金属焊垫和第二金属焊垫与射频IPD封装体连接。本发明将射频IPD模块功能进行分割，将IPD芯片分割为低频电路和射频电路两部分，并采用基于高电阻硅材料的晶圆级平面加工、TSV三维集成晶圆工艺，实现三维结构的射频IPD模块封装，减少射频IPD模块对于PCB
高频 ipd 模块三维集成晶圆级封装结构方法

[发明专利]处理信号的方法和装置-CN200980137869.8无效
发明人：李显国;金东秀;尹圣龙;林宰显 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G10L19/00 文献下载
摘要：本发明包括接收(a)从多信道信号生成的下混信号，和(b)表示多信道信号的属性的空间信息，以便对下混信号进行上混；从空间信息的头部获得表示IPD值是否被用于空间信息的信道间相位差(IPD)编译标记；基于IPD编译标记从帧中获得表示IPD值是否被用于空间信息的帧的IPD模式标记；基于IPD模式标记从帧中的参数频带获得IPD值；通过将IPD值应用于下混信号而生成多信道信号，其中空间信息被划分为头部和多个帧，并且其中IPD值表示多信道信号的两个信道之间的相位差，并且其中参数频带是包括IPD值的频域的至少一个子频带。
处理信号方法装置

[发明专利]音频信号之间的声道间相位差的编码和解码-CN201780036764.8有效
发明人： V·S·C·S·奇比亚姆;V·S·阿提 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G10L19/008 文献下载
摘要：一种用于处理音频信号的装置包含声道间时间失配分析器、声道间相位差IPD模式选择器和IPD估计器。所述声道间时间失配分析器被配置成确定指示第一音频信号与第二音频信号之间的时间未对准的声道间时间失配值。所述IPD模式选择器被配置成至少基于所述声道间时间失配值选择IPD模式。所述IPD估计器被配置成基于所述第一音频信号和所述第二音频信号确定IPD值。所述IPD值具有对应于所述选定IPD模式的分辨率。
音频信号之间声道相位差编码解码

[实用新型]射频前端模组-CN202222271935.6有效
发明人：余聪 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频前端模组，该射频前端模组包括：薄膜集成无源器件IPD滤波模块和射频开关模块，其中，IPD滤波模块包括多个IPD滤波链路，射频开关模块包括发射接口和多个信号接口，多个IPD滤波链路与多个信号接口一一连接，发射接口与射频天线模块连接；多个IPD滤波链路复用一个电感组，多个IPD滤波链路中的每个IPD滤波链路包括电感组和第一开关阵列，第一开关阵列连通电感组中电感的对应位置形成每个IPD滤波链路对应频段的IPD
射频前端模组

[发明专利]集成IPD芯片的滤波器结构、封装模组及制备方法-CN202211622379.0在审
发明人：蒋品方;朱勇;张巳龙;张磊;林红宽 -专利权人：唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成IPD芯片的滤波器结构、封装模组及制备方法。该滤波器结构包括：IPD芯片，用于与模组基板电连接；滤波器芯片，设置于IPD芯片的表面，并与IPD芯片电连接；薄膜层，覆盖于IPD芯片和滤波器芯片的外侧；塑封层，塑封于IPD芯片的表面，以完全覆盖薄膜层该滤波器结构通过将需要贴装在模组基板上的IPD芯片集成在滤波器上，以此增大后续贴装在所应用的模组基板的空间利用率。在不增加滤波器本身尺寸的同时，集成IPD芯片作为滤波器封装基板，实现滤波器封装，并使滤波器形成完整电路，保证了滤波器的使用效果。
集成 ipd 芯片滤波器结构封装模组制备方法

[发明专利]基于单喇叭反射天线罩IPD的天线罩电性能修正方法-CN201711160449.4有效
发明人：曾照勇;夏红娟;俞玉澄;顾昊 -专利权人：上海无线电设备研究所
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01Q1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单喇叭反射天线罩IPD的天线罩电性能修正方法，包含以下过程：确定天线罩结构参数与测量频率f，对材料与结构相同的多个天线罩进行IPD的测量参数及测量影响系数的标定；基于天线罩的罩壁的单位厚度变化引起的IPD变化量最大原则，确定优选测量参数，并建立天线罩IPD变化与壁厚误差的影响关系公式；对被测天线罩进行IPD测试，并与标准曲线进行对比，建立IPD超差曲线；结合IPD超差曲线和IPD影响关系公式，确定天线罩各部位的壁厚修正量
基于喇叭反射天线罩 ipd 性能修正方法

[发明专利]包含多路径集成无源装置的功率放大器封装-CN202011585149.2在审
发明人：魏允;瑞卡都·优斯库拉;蒙特·吉恩·米勒 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了例如多尔蒂PA封装的功率放大器(PA)封装，所述PA封装包含多路径集成无源装置(IPD)。多路径IPD另外包含在所述封装主体中。所述多路径IPD包括：第一IPD区，所述第一信号放大路径延伸穿过所述第一IPD区；第二IPD区，所述第二信号放大路径延伸穿过所述第二IPD区；以及隔离区，所述隔离区形成于所述IPD基板中，在所述第一IPD区和所述第二IPD区中间的位置。
包含路径集成无源装置功率放大器封装

[发明专利]一种声道间相位差参数的编码方法及装置-CN201710524352.0有效
发明人：张兴涛;李海婷;刘泽新;苗磊 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G10L19/008 文献下载
摘要：本申请公开了一种声道间相位差参数的编码方法，包括：获取用于确定多声道信号的当前帧的声道间相位差IPD参数编码方式的参考参数；根据所述参考参数确定当前帧的IPD参数编码方式，所述确定的当前帧的IPD参数编码方式为预设的至少两种IPD参数编码方式中的一种；根据所述确定的当前帧的IPD参数编码方式对所述当前帧的IPD参数进行处理。
一种声道相位差参数编码方法装置

[发明专利]一种包含ESD防护的IPD无源器件及滤波器-CN202111524973.1在审
发明人：陈立均;代文亮;李苏萍;吴梁成 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含ESD防护的IPD无源器件及滤波器，包括第一接口端口、第二接口端口、IPD滤波器电路及第一大电感；所述IPD滤波器电路的输入端和所述第一接口端口连接，所述IPD滤波器电路的输出端和所述第二接口端口连接；在所述IPD滤波器电路的输入端和所述第一接口端口之间连接有和所述IPD滤波器电路并联的所述第一大电感，所述第一大电感的另一端与参考地相连。其优点在于，该包含ESD防护的IPD无源器件，既能解决IPD滤波器ESD防护不高的问题，同时提高了滤波器的高频抑制，进一步改善高频抑制及带内平坦度。
一种包含 esd 防护 ipd 无源器件滤波器

[发明专利]用于无源集成器件的ESD保护-CN200680047227.5有效
发明人：阿格尼·米特拉;达雷尔·G·希尔;卡思克·拉贾戈帕兰;阿道夫·C·雷耶斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：提供了用于集成无源器件(IPD)的ESD保护的方法和装置。该装置包括一个或多个IPD(60)，其具有可能暴露于ESD瞬变的接线端或其他元件，该可能暴露于ESD瞬变的接线端或其他元件通过电荷泄漏电阻耦合，该电荷泄漏电阻具有比该IPD在关注操作频率下的普通阻抗大很多的电阻值当IPD在半绝缘基板(61)上构建时，IPD的多种元件通过分隔的连接耦合到基板，由此基板自身提供耦合元件的高阻值电阻，但是这不是必要的。在应用于IPD RF耦合器时，ESD容限增加超过70％。本发明的配置还可以应用于有源器件和集成电路以及具有传导或绝缘基板的IPD。
用于无源集成器件 esd 保护

[发明专利]集成无源器件-CN200910173649.2无效
发明人：安东尼·M·基乌;伊农·德加尼;查利·春雷·高;孙昆泉;孙立国 -专利权人：赛骑有限公司
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明描述了一种包含集成无源器件(IPD)作为载体基板(IPD MCM)的多芯片模块(MCM)。寄生电气干扰通过从该表面省去金属、或选择性地使用远离敏感器件元件的MCM的部件中的金属而在IPD的一个或两个界面被控制。这些敏感的器件元件主要是模拟电路元件，尤其是RF电感器元件。在IPD设计中，该敏感元件被与其它元件隔离。这允许选择性金属方法的实现。这也使得在IPD基板顶部的寄生干扰通过IC半导体芯片和IC芯片的接地面的选择性放置而被减小。在本发明的IPD MCM的优选实施例中，该IPD基板是多晶硅，以进一步减小RF干扰。这些组装该模块的不同的方法可以适合保持整体厚度在1.0mm之内。
集成无源器件

[发明专利]集成无源器件-CN200610074756.6无效
发明人：安东尼·M·基乌;伊农·德加尼;查利·春雷·高;孙昆泉;孙立国 -专利权人：赛骑有限公司
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明描述了一种包含集成无源器件(IPD)作为载体基板(IPD MCM)的多芯片模块(MCM)。寄生电气干扰通过从该表面省去金属、或选择性地使用远离敏感器件元件的MCM的部件中的金属而在IPD的一个或两个界面被控制。这些敏感的器件元件主要是模拟电路元件，尤其是RF电感器元件。在IPD设计中，该敏感元件被与其它元件隔离。这允许选择性金属方法的实现。这也使得在IPD基板顶部的寄生干扰通过IC半导体芯片和IC芯片的接地面的选择性放置而被减小。在本发明的IPD MCM的优选实施例中，该IPD基板是多晶硅，以进一步减小RF干扰。这些组装该模块的不同的方法可以适合保持整体厚度在1.0mm之内。
集成无源器件

[发明专利]基于头部运动的瞳孔间距离补偿的观察系统-CN201980061450.2在审
发明人： S·A·米勒 -专利权人：奇跃公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H04N13/117 文献下载
摘要：本发明提供了一种观察系统，其包括：增强现实系统，其至少部分地基于用户的IPD向用户生成视觉呈现；以及IPD补偿器，其基于IPD补偿因子来调节视觉呈现。
基于头部运动瞳孔间距补偿观察系统

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