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[实用新型]剥离系统及制造系统-CN202222549967.8有效
发明人：石崎顺也;山田雅人;小川敬典 -专利权人：信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：接合型晶片的剥离系统从接合型晶片剥离支撑体。接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合，接合型晶片的剥离系统具有机构，所述机构将从激光振荡器振荡产生的激光照射至接合型晶片本实用新型的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。
剥离系统制造

[发明专利]半导体芯片的制造方法及保护膜形成剂-CN202210125261.0在审
发明人：后藤龙生;木下哲郞;大久保明日香 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：提供半导体芯片的制造方法和能够在该半导体芯片的制造方法中使用的保护膜形成剂，其为将半导体晶片切断的半导体芯片的制造方法，能通过激光照射以高加工精度在形成于半导体晶片上的保护膜及半导体晶片中形成加工槽。半导体芯片的制造方法，通过将半导体晶片切断而进行，包括：在半导体晶片上涂布包含水溶性树脂、吸光剂和溶剂的保护膜形成剂而形成保护膜；和对半导体晶片上的包含保护膜的1个以上的层的规定位置照射包含波长为515nm的光的激光形成半导体晶片的表面露出并且与半导体芯片形状相对应的图案的加工槽，保护膜在波长515nm处的每1μm厚度的吸光度为0.05以上。
半导体芯片制造方法保护膜形成

[发明专利]一种光驱动的微夹钳装置-CN201310675398.4有效
发明人：王新杰;黄家瀚;王炅;陆静;黄学功;李光辉;王家宁 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： B25J15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧改性锆钛酸铅陶瓷双晶片驱动的微夹钳装置，包括基座、紫外通光孔、PLZT双晶片、一级放大机构、二级放大机构和夹持臂。PLZT双晶片一端与基座底端固连，另一端与一级放大机构固连，一级放大机构通过柔性铰链与基座侧壁固连，输出端与二级放大机构连接，二级放大机构以夹持臂为输出端。当PLZT双晶片上方受到紫外光照射时，PLZT双晶片会向下发生弯曲，经过一级放大机构传递分解和二级放大机构放大后，驱动夹持臂实现夹持动作；当PLZT双晶片下方受到紫外光源照射时，PLZT双晶片向上弯曲，
一种驱动夹钳装置

[发明专利]离子注入装置-CN201610831654.8有效
发明人：二宫史郎;冈本泰治;越智昭浩;上野勇介 -专利权人：住友重机械离子技术有限公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。本发明的离子注入装置(10)对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前，执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。
离子注入装置

[发明专利]X射线回摆曲线测定系统-CN200610046663.2无效
发明人：关守平;赵久 -专利权人：关守平;赵久
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：X射线回摆曲线测定系统，包括X射线发生器、衍射线控测器、晶片样品旋转台及计算机控制系统；所述的X射线发生装置中设置有X射线管和单色器，X射线管的出口射线以布拉格θ角照射在直立的单色器上，去掉K_β及连续谱线，剩下的较单色化的K_α射线照射在晶片样品旋转台上的被测晶片上，并在被测晶片中心交于一点，产生晶片衍射光线，晶片衍射光线被X射线探测器接收；所述的计算机系统，包括数据采集器、工业用PC机、打印机及应用软件；所述控测器的输出信号经数据采集器后进入工业用PC机，由应用软件进行去掉K_α2谱线处理后得到样品晶片的回摆曲线。
射线曲线测定系统

[实用新型]蓝宝石表面缺陷测定系统-CN201220309927.X有效
发明人：甄伟;关守平;赵松彬 -专利权人：丹东新东方晶体仪器有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：蓝宝石表面缺陷测定系统，包括X射线发生器、闪烁探测嚣、蓝宝石晶片样品旋转台及计算机控制系统；所述的X射线笈生装置中设置有X射线管和单色嚣，X射线管的出口射线以布拉格。角照射在直立的单色器上，去掉K。及连续谱线，剩下的较单色化的Ka射线照射在蓝宝石晶片样品旋转台上的被测晶片上，并在被捌晶片中心交于一点，产生晶片衍射光线，晶片衍射蓝宝石光线被闪烁探涮器接收；所述的计算机系统，包括数据采集器、工业用PC机、打印机及应用软件：所述控测器的输出信号经数据采集器后进入工业用PC机，由应用软件进行去掉Ka2谱线处理后得到蓝宝石样品晶片的回摆曲线。
蓝宝石表面缺陷测定系统

[实用新型]X射线回摆曲线测定系统-CN200620091761.3无效
发明人：关守平;赵久 -专利权人：关守平;赵久
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：X射线回摆曲线测定系统，包括X射线发生器、衍射线控测器、晶片样品旋转台及计算机控制系统；所述的X射线发生装置中设置有X射线管和单色器，X射线管的出口射线以布拉格θ角照射在直立的单色器上，去掉K_β及连续谱线，剩下的较单色化的K_α射线照射在晶片样品旋转台上的被测晶片上，并在被测晶片中心交于一点，产生晶片衍射光线，晶片衍射光线被X射线探测器接收；所述的计算机系统，包括数据采集器、工业用PC机、打印机及应用软件；所述控测器的输出信号经数据采集器后进入工业用PC机，由应用软件进行去掉K_α2谱线处理后得到样品晶片的回摆曲线。
射线曲线测定系统

[发明专利]涂覆有钝化层的硅晶片-CN201380027004.2无效
发明人：赛义德·萨尔曼·阿萨德;G·博卡恩;皮埃尔·德斯坎普斯;文森特·凯撒;帕特里克·里姆波尔 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及生产涂覆有钝化层的硅晶片。经涂覆的硅晶片可适用于将照射在电池正面的光的能量转换成电能的光伏电池。
涂覆有钝化晶片

[发明专利]涂覆有钝化层的硅晶片-CN201380027106.4无效
发明人：赛义德·萨尔曼·阿萨德;G·博卡恩;皮埃尔·德斯坎普斯;文森特·凯撒;帕特里克·里姆波尔 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及生产涂覆有钝化层的硅晶片。经涂覆的硅晶片可适用于将照射在电池正面的光的能量转换成电能的光伏电池。
涂覆有钝化晶片

[发明专利]晶片的生成方法-CN201510856866.7有效
发明人：平田和也;高桥邦充;西野曜子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：提供晶片的生成方法，能够从锭高效地生成晶片。一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，具有分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对正面照射该激光束在该分离起点形成步骤中，将激光束的聚光点定位于所形成的改质层并对该改质层多次照射激光束而使改质层与裂痕乖离。
晶片生成方法

[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法-CN201310279317.9有效
发明人：大仓雅人 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法，其中，所述半导体晶片表面保护用胶带在基材膜上至少具有1层放射线固化型粘合剂层，下述的固化收缩值S为0.3～1.8，相对于不锈钢研磨面的放射线照射前的粘合力A为1.5N/25mm～20N/25mm、并且放射线照射后的粘合力B为0.01N/25mm～1.5N/25mm，在所述半导体晶片的半导体晶片表面保护用胶带的贴合面侧的表面上存在的凹凸的顶部的高度与底部的高度的最大差为
半导体晶片表面保护胶带制造方法

[发明专利]用于制造SOI基板及半导体器件的方法-CN200810166534.6有效
发明人：山崎舜平;大沼英人;饭漥阳一;山本孔明;牧野贤一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：该半导体层通过以下步骤转变为支撑基板：用离子从一表面的离子照射半导体晶片以形成损伤层；在该半导体晶片的一表面上形成绝缘层；使支撑基板的一表面附着到形成在半导体晶片上的绝缘层上，并进行热处理以将该支撑基板结合到半导体晶片上；以及在损伤层处分离为半导体晶片和支撑基板。通过湿法刻蚀和用激光束照射半导体层的表面去除在半导体层上部分剩余的损伤层。
用于制造 soi 半导体器件方法

[发明专利]检测掩模缺陷的方法和设备-CN200810003810.7无效
发明人：吴宬贤;崔容奎;赵丙燮 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该方法还可以包括准备晶片缺陷检测设备，其包括通过在掩模的表面上照射光线并且根据反射光线获得图像能够检测缺陷的缺陷检测单元以及其上面对缺陷检测单元安装掩模的掩模载物台。掩模载物台可以替换晶片缺陷检测设备的晶片载物台，并且掩模载物台可以支撑掩模使其表面高度基本上等于在晶片载物台上安装的晶片的表面高度。该方法还可以包括在掩模载物台上安装掩模，以及通过操作缺陷检测单元在掩模的表面上照射光线并且根据反射的光线获得图像来检测掩模缺陷。
检测缺陷方法设备

[发明专利]IC芯片的制造方法-CN200480043615.7无效
发明人：畠井宗宏;林聪史;福冈正辉;檀上滋;大山康彦;下村和弘;杉田大平;北岛义一 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明至少包括：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序(1)，在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下磨削所述晶片的工序(2)，向所述双面粘合带照射光的工序(3)，以及从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序(4)；在工序(3)中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm²·分钟以上。
ic 芯片制造方法

[发明专利]一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置-CN202111344971.4有效
发明人：王蓉;耿文浩;皮孝东;王明华;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及单晶片剥离技术领域，公开了一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供半绝缘型碳化硅晶锭，将半绝缘型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，其中，半绝缘型碳化硅晶锭包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层，非晶层位于半绝缘型碳化硅晶锭内部的预定位置处；采用特定波长的入射光对半绝缘型碳化硅晶锭进行照射，入射光经过单晶层照射在非晶层表面，在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，刻蚀液对具有光生空穴‑电子对的非晶层表面进行选择性刻蚀，得到半绝缘型碳化硅单晶片；本发明能够获得厚度可控的半绝缘型碳化硅单晶片，无需减薄研磨处理，且得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
一种绝缘碳化硅晶片剥离方法装置