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- [发明专利]晶片的加工方法和加工装置-CN201611059362.3有效
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能丸圭司
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株式会社迪思科
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2016-11-25
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2020-06-30
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H01L21/768
- 本发明的课题在于提供晶片的加工方法和加工装置，能够维持所限制的脉冲激光光线的最大重复频率，并且在多个部位同时地形成通孔。根据本发明，该晶片的加工方法具有如下的步骤：椭圆轨道生成步骤，将4个器件作为一个群组而生成通过各器件中的配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道；激光光线照射步骤，一边描绘该椭圆轨道一边从晶片的背面向与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线；以及椭圆轨道定位步骤，对该椭圆轨道进行定位以使该椭圆轨道通过与接下来应该加工的4个电极垫对应的位置，一边对该晶片与脉冲激光光线照射单元相对地加工进给一边依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤而实施通孔加工
- 晶片加工方法装置
- [发明专利]晶片加工方法和晶片加工装置-CN202110060823.3在审
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能丸圭司
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株式会社迪思科
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2021-01-18
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2021-07-27
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H01L21/78
- 本发明提供晶片加工方法和晶片加工装置，不检测应分割的区域的上表面高度而高效地将晶片分割成各个芯片。将晶片分割成各个芯片的晶片加工方法包含如下工序：热应力波生成工序，从卡盘工作台所保持的晶片的上表面向应分割的区域照射对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，使热应力波在应分割的区域的内部传播；和破碎层形成工序，按照在热应力波生成工序中生成的热应力波以与晶片的材质对应的音速在内部传播而到达应生成分割起点的深度位置的时间从晶片的上表面照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在因热应力波的拉伸应力使带隙变窄的区域中产生具有透过性的波长的脉冲激光光线的吸收
- 晶片加工方法装置
- [发明专利]晶片、晶片的制造方法以及器件芯片的制造方法-CN202110834950.4在审
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关家一马
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株式会社迪思科
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2021-07-23
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2022-02-18
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H01L21/02
- 本发明提供晶片、晶片的制造方法以及器件芯片的制造方法，迅速地确定晶片的加工条件。晶片的制造方法从锭制造晶片，具有如下步骤：电阻率测量步骤，在端面测量该锭的电阻率；剥离层形成步骤，从该端面将对于该锭具有透过性的波长的第1激光束的聚光点定位于相当于要生成的该晶片的厚度的深度而向该锭照射该第1激光束，在该锭的内部形成剥离层；信息打印步骤，将第2激光束的聚光点定位于要生成的该晶片的不形成器件的区域而向该锭照射该第2激光束，在该锭的该端面或内部形成表示与通过该电阻率测量步骤测量的该电阻率相关的信息的文字、数字或标记；和晶片生成步骤，以该剥离层作为起点而将该锭分割，将所生成的该晶片剥离而生成该晶片。
- 晶片制造方法以及器件芯片
- [发明专利]光器件晶片的分割方法-CN201110188100.8有效
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相川力
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株式会社迪思科
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2011-07-06
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2012-01-11
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H01L21/78
- 光器件晶片的分割方法，能够以断裂面与正面和背面垂直的方式沿着间隔道分割在蓝宝石基板的表面形成有光器件层的光器件晶片。其中，沿间隔道将光器件晶片分割成各个光器件，光器件晶片在由第1、第2间隔道划分的区域中形成有光器件，该分割方法包含：第1激光加工槽形成工序，从光器件晶片的正面或背面侧沿着第1间隔道照射激光光线，形成第1激光加工槽；第2激光加工槽形成工序，从光器件晶片的正面或背面侧沿第2间隔道照射激光光线，形成第2激光加工槽；第1断裂工序，沿光器件晶片的第1间隔道施加外力使光器件晶片断裂；第2断裂工序，沿光器件晶片的第2间隔道施加外力使光器件晶片断裂，第2激光加工槽的深度比第1激光加工槽的深度深。
- 器件晶片分割方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201610325658.9在审
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小川雄辉;长冈健辅;小幡翼;伴祐人
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株式会社迪思科
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2016-05-17
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2016-11-30
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法，抑制晶片在搬送时破损并容易地校正激光光线的照射位置。晶片的加工方法具有保护带粘接步骤(ST1)、切削槽形成步骤(ST4)和分割步骤(ST5)。保护带粘接步骤中，将因外部刺激而硬化的保护带粘接在晶片的功能层的正面上。切削槽形成步骤中，通过切削刀具从晶片的基板的背面侧沿着分割预定线进行切削，形成残留出不到达功能层的残存部的切削槽。在实施了切削槽形成步骤之后，在分割步骤(ST5)中，沿着切削槽照射对于基板具有吸收性的波长的激光光线，对残存部进行分割而将晶片分割成器件芯片。在切削槽形成步骤(ST4)中，在晶片的外周剩余区域内形成非加工部，该非加工部不形成切削槽。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201710007888.5有效
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中村胜
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株式会社迪思科
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2017-01-05
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2021-03-26
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法，当在晶片的内部沿着分割预定线层叠多层改质层而进行分割时，通过对从初期改质层朝向正面成长的裂纹的方向进行限制，能够对分割面的弯曲行进进行抑制。一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法包含如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及次期改质层形成工序，与初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的聚光点而沿着分割预定线进行照射，由此形成用于使裂纹从初期改质层朝向正面成长的次期改质层。
- 晶片加工方法
- [发明专利]激光加工装置-CN200810182338.8无效
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浅野健司;森数洋司;高桥邦充
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株式会社迪思科
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2008-11-21
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2009-05-27
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B23K26/38
- 本发明提供一种不会在焊盘上开孔而能在晶片基板上形成到达焊盘的贯通孔的激光加工装置。该激光加工装置具有：保持晶片的卡盘工作台；以及向由卡盘工作台保持的晶片照射脉冲激光光线的激光光线照射单元，该激光加工装置具有等离子体检测单元和控制单元，该等离子体检测单元具有：等离子体受光单元，其接收通过从激光光线照射单元向被加工物照射激光光线而产生的等离子体；以及光谱分析单元，其分析由等离子体受光单元所接收的等离子体的光谱，该控制单元根据来自等离子体检测单元的光谱分析单元的光谱分析信号来判定被加工物的材质，并控制激光光线照射单元。
- 激光加工装置
- [发明专利]光器件晶片的加工方法-CN201910751839.1在审
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小柳将
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株式会社迪思科
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2019-08-15
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2020-03-24
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H01L33/00
- 本发明提供光器件晶片的加工方法，降低在光器件层中产生的崩边和裂纹等。该光器件晶片的加工方法将光器件晶片的光器件层转移到移设部件，其中，该光器件晶片的加工方法包括下述步骤：分割槽形成步骤，沿着分割预定线在该光器件层侧形成未将光器件晶片的缓冲层完全断开的分割槽；移设部件接合步骤，将移设部件接合至光器件层的表面；激光束照射步骤，从结晶性基板的背面侧照射具有对于结晶性基板来说为透过性、对于缓冲层来说为吸收性的波长的脉冲激光束；以及结晶性基板剥离步骤，将结晶性基板从光器件层剥离，将光器件层移设到移设部件，在激光束照射步骤中，使在分割槽形成步骤未被断开而残留的缓冲层、或者缓冲层与光器件层的一部分变质。
- 器件晶片加工方法
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