专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种水晶灯环结构-CN202222404846.4有效
  • 江安群 - 中山市古镇曜影灯饰厂
  • 2022-09-09 - 2023-01-17 - F21V19/00
  • 本实用新型公开了一种水晶灯环结构,包括带有一个缺口的圆环形水晶片,还包括截面为U形的支撑底座,支撑底座的顶面设置有压板,压板的底面一体成型有V形灯座,V形灯座的两个外侧面均固定有LED光源,压板的中部设置有穿线孔,V形灯座的侧壁上设置有通孔,圆环形水晶片的两端、支撑底座和压板上均开设有安装孔位,圆环形水晶片的两端卡入支撑底座内,压板处于支撑底板的顶面并通过安装螺杆固定,安装螺杆穿设在安装孔位内。本实用新型的结构设置合理,LED光源向侧面照射,并从圆环形水晶片的缺口处向圆环形水晶片照射,不但有利于检修与维护LED光源,而且也可以保证照射及装饰效果,使用平稳可靠,适用性强且实用性好。
  • 一种水晶灯结构
  • [发明专利]激光加工装置-CN201110043746.7有效
  • 远藤智裕;星野仁志;大庭龙吾;福冈武臣;秋田壮一郎 - 株式会社迪思科
  • 2011-02-22 - 2011-09-21 - B23K26/36
  • 本发明提供一种激光加工装置,其不会伴随繁琐的作业,能在确保作业人员安全的状态下可靠进行激光光线照射角度调整作业。在激光光线光轴上配设光轴确认部,该光轴确认部具有激光光线所通过的荧光板和对荧光板进行摄像的摄像部,在卸下聚光透镜的状态下向晶片(工件)照射激光光线。通过荧光板的激光光线的照射光和来自晶片的反射光在荧光板处发光,在发光点为1个的情况下判断为相对于晶片表面的照射角度为直角。在发光点为2个的情况下,一边对摄像部拍摄的像进行确认一边利用角度调整镜对照射角度进行调整,以使发光点成为一个。由于利用壳体遮挡激光光线、并利用摄像部对荧光板的发光状态进行确认,因此照射角度的调整不需要遮光隔室和护目镜。
  • 激光加工装置
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201510684557.6在审
  • 小川雄辉;长冈健辅;小幡翼;伴祐人 - 株式会社迪思科
  • 2015-10-20 - 2016-04-27 - H01L21/78
  • 本发明提供晶片的加工方法。对通过在基板的正面上层叠的功能层而形成了多个器件的晶片,沿划分该器件的多条切割线进行分割,包括:保护带贴附工序,使敷设有粘结层的保护带的粘结层侧与晶片的功能层的正面相对并在功能层的正面贴附保护带;和晶片分割工序,将被实施了保护带贴附工序的晶片的保护带侧保持于卡盘台的保持面,从晶片的基板的背面侧沿分割预定线照射对基板和功能层具有吸收性的波长的激光光线,沿分割预定线形成到达保护带的激光加工槽,从而将晶片分割为各个器件芯片,在保护带贴附工序中,以在晶片分割工序中因照射激光光线而沿分割预定线生成的碎屑不附着于器件的正面上的方式,将保护带的粘结层贴附为与器件紧密贴合而不存在间隙。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201510541003.0在审
  • 古田健次 - 株式会社迪思科
  • 2015-08-28 - 2016-03-09 - H01L21/268
  • 提供晶片的加工方法。对在正面上通过多条分割预定线划分多个器件而形成的由硅构成的晶片进行加工,具有如下步骤:波长设定步骤,将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm~1400nm的范围;改质层形成步骤,在实施波长设定步骤之后,将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部,从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射脉冲激光束而在晶片的内部形成改质层;分割步骤,在实施改质层形成步骤之后,对晶片施加外力而以改质层为分割起点沿着分割预定线分割晶片,在改质层形成步骤中,避开与分割预定线相邻形成的器件的脆弱部分来定位脉冲激光束的聚光点,该脆弱部分因发生散射而照射的脉冲激光束而受到损伤。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201510640532.6有效
  • 山下阳平;古田健次;李怡慧 - 株式会社迪思科
  • 2015-09-30 - 2019-09-06 - H01L21/78
  • 本发明提供一种晶片的加工方法,包括:晶片支撑工序,在晶片的背面贴附切割带的正面并通过环状框架支撑切割带的外周部;晶片保持工序,在保持台的保持面上保持晶片的正面侧,并且通过框架夹钳固定环状框架;环状改质层形成工序,从切割带的背面侧透过切割带,将激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部并沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部照射激光光线,在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状的改质层的环状改质层形成工序;以及改质层形成工序,从切割带的背面侧透过切割带将激光光线的聚光点定位于晶片的内部并沿着分割预定线照射激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201811066921.2有效
  • 铃木克彦;伴祐人 - 株式会社迪思科
  • 2018-09-13 - 2022-03-04 - B28D5/00
  • 提供晶片的加工方法。该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片,其正面被密封材料密封,该方法具有如下工序:对准工序,通过可见光拍摄构件透过密封材料对器件晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记并据此检测应进行激光加工的分割预定线;改质层形成工序,将对于器件晶片和密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在器件晶片或密封材料的内部并沿着分割预定线照射而形成改质层;和分割工序,对器件晶片和密封材料赋予外力而以改质层为分割起点将该晶片分割成正面被密封材料密封的各个器件芯片,一边通过倾斜光构件对可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光,一边实施对准工序。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]利用多面反射镜的激光加工设备-CN200410059046.7有效
  • 韩裕熙 - EO技术有限公司
  • 2004-07-29 - 2005-10-05 - B23K26/04
  • 本设备包括:发射激光束的激光发生器;在轴上旋转并有多个反射平面的多面反射镜,它反射从激光发生器入射其上的激光束;和透镜,该透镜在把多面反射镜反射的激光束会聚之后,使该激光束照射到物体上,例如放置在台上的晶片根据多面反射镜的旋转使激光束照射晶片上的过程中,移动放置晶片的台,以增大激光束的相对扫描速度,这样能有效地切割晶片。因为它只用激光束切割晶片,所以不必改变任何附加的装置,这样可以改进加工速度和切割效率。此外,可以控制切割宽度,并防止切割加工时从晶片产生的蒸气淀积在晶片切口的再铸造效应,实现高纤细和精确尺寸的晶片切割加工。
  • 利用多面反射激光加工设备
  • [发明专利]芯片接合机-CN201711317672.5有效
  • 川合章仁;森数洋司 - 株式会社迪思科
  • 2017-12-12 - 2023-09-26 - H01L21/67
  • 芯片接合机至少包含:基板保持单元(42),其具有对在外延基板(201、221、241)的上表面上隔着剥离层(30)层叠LED层而供器件接合的基板进行保持的由X轴方向、Y轴方向规定的保持面;晶片保持单元(50),其对在正面上隔着剥离层配设有多个器件的晶片(LED晶片20、22、24)的外周进行保持;面对单元,其使晶片保持单元所保持的晶片的正面面对基板保持单元所保持的基板的上表面;器件定位单元,其使基板保持单元与晶片保持单元在X方向、Y方向上相对地移动而将配设在晶片上的器件定位于基板的规定位置;和激光照射单元,其从晶片的背面照射激光光线,将对应的器件的剥离层破坏而将器件接合在基板的规定位置上。
  • 芯片接合
  • [发明专利]热处理方法及热处理装置-CN202310933478.9在审
  • 秋吉克一;大森麻央;池田真一 - 株式会社斯库林集团
  • 2018-12-25 - 2023-09-29 - H01L21/67
  • 本发明提供一种能以简易的构成来检测闪光灯光照射时的衬底破裂的热处理方法及热处理装置。半导体晶片由卤素灯预加热之后,通过来自闪光灯的闪光灯光照射而被加热。放射温度计以特定的采样间隔测定半导体晶片W的背面温度而获得多个温度测定值。将这些多个温度测定值中的从闪光灯光的照射开始时以后的累计开始时点起获得的设定数量的温度测定值进行累计,而算定温度累计值。当所算定的温度累计值偏离预先设定的上限值与下限值之间的范围时,判定在闪光灯光照射时半导体晶片破裂。
  • 热处理方法装置
  • [发明专利]激光加工装置和GaN晶片的生成方法-CN201710341747.7有效
  • 平田和也;汤平泰吉 - 株式会社迪思科
  • 2017-05-16 - 2021-08-03 - B23K26/53
  • 提供激光加工装置和GaN晶片的生成方法,能够高效地将GaN锭切断而生成GaN晶片。一种激光加工装置,从GaN锭生成GaN晶片,其中,该激光加工装置包含激光束照射单元,该激光束照射单元照射对于保持在卡盘工作台上的GaN锭具有透过性的波长的激光束。该激光束照射单元包含振荡出激光束的激光振荡器,该激光振荡器包含:激光光源,其振荡出高频的脉冲激光;间疏部,其按照规定的重复频率对该激光光源振荡出的高频脉冲进行间疏而将多个该高频脉冲作为子脉冲来生成1突发脉冲
  • 激光加工装置gan晶片生成方法
  • [发明专利]热处理方法及热处理装置-CN201811588340.5有效
  • 秋吉克一;大森麻央;池田真一 - 株式会社斯库林集团
  • 2018-12-25 - 2023-07-25 - H01L21/67
  • 本发明提供一种能以简易的构成来检测闪光灯光照射时的衬底破裂的热处理方法及热处理装置。半导体晶片由卤素灯预加热之后,通过来自闪光灯的闪光灯光照射而被加热。放射温度计以特定的采样间隔测定半导体晶片W的背面温度而获得多个温度测定值。将这些多个温度测定值中的从闪光灯光的照射开始时以后的累计开始时点起获得的设定数量的温度测定值进行累计,而算定温度累计值。当所算定的温度累计值偏离预先设定的上限值与下限值之间的范围时,判定在闪光灯光照射时半导体晶片破裂。
  • 热处理方法装置
  • [实用新型]照射范围广的LED路灯-CN201320205431.2有效
  • 郭唐辉 - 福建鼎坤电子科技有限公司
  • 2013-04-22 - 2013-09-04 - F21S8/00
  • 本实用新型涉及半导体照明系统技术领域,尤其涉及一种照射范围广的LED路灯。本实用新型的目的在于提供一种能大大提高照射角度,光能损失小的LED路灯。本实用新型照射范围广的LED路灯,具有基板、基板正面固定有一个或一个以上LED晶片,所述基板正面安装有配光结构,所述配光结构由一个或一个以上透镜组成,每个透镜与一个LED晶片相对应,所述透镜包括一半椭球形外壳,所述透镜罩设于LED晶片并固定在基板上,所述基板背面与导热基板连接。本实用新型采用椭球形的透镜结构,照射范围增大,大大减少了光能损失,结构简单,大大降低了生产成本。
  • 照射范围led路灯

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