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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN201710660042.1在审
发明人：陈永翔;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括一基板、一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、和一栅极结构。第一源极/漏极区设置于基板中。第一源极/漏极区包括一第一区和一第二区，第二区位于第一区下。第二源极/漏极区设置于基板中。第二源极/漏极区与第一源极/漏极区相对设置。通道掺杂区设置于基板中，位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。栅极结构设置于通道掺杂之上。在平行于基板之上表面的一投影面中，第一源极/漏极区的第二区与栅极结构分离。第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、和通道掺杂区具有相同导电类型。
源极/漏极区基板通道掺杂栅极结构半导体结构第一区导电类型相对设置投影面平行

[发明专利]半导体结构-CN201810488000.9在审
发明人：郑宇彣;卢炜业;王毓萱;李弘贸;蔡彦明;陈泓旭;林威戎;张志维;蔡明兴;林圣轩;郑雅忆;林正堂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：在一实施例中，结构包括具有源极/漏极区的主动区于基板上；介电层，位于主动区上并具有对准源极/漏极区的侧壁的侧壁；以及导电结构，沿着介电层的侧壁至源极/漏极区。源极/漏极区具有侧壁与自源极/漏极区的侧壁横向延伸的横向表面，且源极/漏极区还包含自源极/漏极区的侧壁横向延伸至源极/漏极区中的氮化区。导电结构包含沿着源极/漏极区的横向表面并沿着源极/漏极区的侧壁的至少一部分的硅化物区。
源极/漏极区侧壁半导体结构导电结构横向表面横向延伸介电层漏极区主动区自源氮化硅化物区基板对准

[发明专利]具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置-CN202010657486.1在审
发明人：石井利尚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置。本文中公开一种设备，其包含：第一扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第三到第五源极/漏极区；第一栅电极，其沿第二方向延伸，并且设置于所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间以及所述第三源极/漏极区和第四源极/漏极区之间；和第二栅电极，其沿所述第二方向延伸，并且设置于所述第四源极/漏极区和第五源极/漏极区之间所述第一源极/漏极区和第三源极/漏极区带有彼此相同的电势，且所述第二源极/漏极区和第四源极/漏极区带有彼此相同的电势。
具有其中共享漏极区晶体管半导体装置

[发明专利]集成电路结构中的源极/漏极区-CN202011528909.6在审
发明人：马子烜;A·C-H·韦;G·布切 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明标题为“集成电路结构中的源极/漏极区”。本文公开了集成电路（IC）结构中的源极/漏极区，以及有关方法和组件。例如，在一些实施例中，IC结构可以包括：沟道区的阵列，包括第一沟道区和相邻的第二沟道区；第一源极/漏极区，所述第一源极/漏极区接近于第一沟道区；第二源极/漏极区，所述第二源极/漏极区接近于所述第二沟道区；以及绝缘材料区，至少部分地在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间。
集成电路结构中的漏极区

[发明专利]半导体结构-CN201611126760.2有效
发明人：陈永翔;张耀文;刘注雍;杨怡箴;张馨文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、一栅极结构、一第一阱、和一第二阱。第二源极/漏极区与第一源极/漏极区相对设置。通道掺杂区设置在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间。栅极结构设置在通道掺杂区上。第一阱具有设置在第一源极/漏极区下的一第一部分。第二阱与第一阱相对设置，并与第二源极/漏极区分离。第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、和通道掺杂区具有一第一导电类型。第一阱和第二阱具有不同于第一导电类型的一第二导电类型。
半导体结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110475581.4在审
发明人：邱奕正;林天声;许胜福;李陈毅;钟久华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：所述半导体器件具有位于衬底中的源极区及漏极区、栅极结构以及金属线。源极区在衬底中环绕漏极区。栅极结构设置在衬底上，且设置在源极区与漏极区之间。栅极结构环绕漏极区。金属线位于源极区及漏极区以及栅极结构上方且电连接到漏极区或源极区。源极区包括掺杂区，所述掺杂区具有位于所述掺杂区的两个相对端部之间的断开区。金属线从漏极区延伸、跨越栅极结构且跨越断开区并超过源极区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构、半导体器件及其制造方法-CN201910768199.5有效
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：读取器件包括耦合到第一字线的第一栅极、耦合到位线的第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区位于第一栅极的相对侧上。编程器件包括第二栅极、耦合到第二源极/漏极区的第三源极/漏极区以及第四源极/漏极区。第三源极/漏极区和第四源极/漏极区位于第二栅极的相对侧上。伪器件包括第三栅极、耦合到第四源极/漏极区的第五源极/漏极区以及第六源极/漏极区。第五源极/漏极区和第六源极/漏极区位于第三栅极的相对侧上。本发明的实施例还涉及半导体结构、半导体器件及其制造方法。
半导体结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]隔离元件及其制造方法-CN201210034008.0无效
发明人：黄宗义;邱建维 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：隔离元件包含：隔离井区，利用形成高压元件的微影制程与离子植入制程形成于基板中；栅极，形成于基板表面上；源极、漏极，分别位于栅极两侧的隔离井区中，且漏极与该源极由栅极隔开；漂移漏极区，形成于基板表面下方，且栅极与漏极由漂移漏极区隔开，部分漂移漏极区位于栅极下方，漏极位于漂移漏极区中；以及缓和区，形成于漂移漏极区下方的基板中，该缓和区的最浅部分位于漂移漏极区深度90％之下，且缓和区与漂移漏极区共享微影制程
隔离元件及其制造方法

[实用新型]半导体装置-CN202320187863.9有效
发明人：林哲宇;游明华;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包含一基板、一鳍片、一隔离区、一栅极结构、一源极/漏极区及一源极/漏极触点。鳍片自基板凸出。隔离区围绕鳍片。栅极结构在鳍片及隔离区上方延伸。源极/漏极区在邻接栅极结构的鳍片中，源极/漏极区的第一晶面平面与源极/漏极区的第二晶面平面之间的一隅角在110°与125°之间。源极/漏极触点在源极/漏极区上。
半导体装置

[发明专利]晶体管及形成集成电路系统的方法-CN202080056191.7在审
发明人：刘鸿威;S·查杰德;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064pm3内的平均晶体尺寸。公开包含方法的其它实施例。
晶体管形成集成电路系统方法

[发明专利]双RESURF LDMOS器件-CN201310385923.9在审
发明人：刘正超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双RESURF LDMOS器件，包括：布置在衬底表面的漏极阱区；布置在衬底表面的与漏极阱区邻接并且相对于漏极阱区对称布置的第一源极阱区和第二源极阱区；布置在漏极阱区表面中央位置的漏极接触区；布置在漏极阱区表面与漏极接触区邻接并且相对于漏极接触区对称布置的第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域；布置在漏极阱区中并且分别布置在第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域下方的第一掩埋区域和第二掩埋区域；布置在第一源极阱区表面的具有第二掺杂类型的第一源极接触区；布置在第二源极阱区表面的第二源极接触区；布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第一源极阱区上方的第一栅极；以及布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第二源极阱区上方的第二栅极。
resurf ldmos 器件

[发明专利]具有漏极通孔布置的晶体管管芯以及其制造方法-CN201811143631.3有效
发明人： I·克哈莉;D·C·伯德奥克斯;D·G·霍尔梅斯;H·鲁达;P·S·查卡拉博迪 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有漏极通孔布置的晶体管管芯以及其制造方法。一种晶体管管芯的一实施例包括半导体衬底、漏极区、沟道区、漏极端以及导电栅极抽头。所述导电栅极抽头包括耦接到所述沟道区之上的栅极结构的远侧末端。所述漏极区的第一区段邻近于所述栅极抽头的所述远侧末端。所述漏极端包括由图案化导电层的一个或多个部分形成的漏极流道。多个漏极柱将所述漏极流道电连接到所述漏极区的第二区段和第三区段，且多个第二漏极柱电连接所述漏极流道与第三漏极区区段。第一漏极柱与所述第二漏极柱之间的第二漏极区区段之上的堆积结构没有所述漏极流道与所述漏极区之间的电连接。
具有漏极通孔布置晶体管管芯及其制造方法

[实用新型]对称高压MOS器件-CN201120319214.7有效
发明人：胡林辉;吴健;曾金川;黄海涛 -专利权人：上海新进半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种对称高压MOS器件，该对称高压MOS器件包括：栅极；位于栅极下方两侧成对称结构的源极和漏极；位于所述源极和漏极周围，分别环绕所述源极和漏极的源极漂移区和漏极漂移区；位于栅极下方、隔离所述源极漂移区和漏极漂移区的沟道区，且所述沟道区延伸至所述源极漂移区和漏极漂移区的外围。本实用新型所提供的对称高压MOS器件，使沟道区延伸至源极漂移区和漏极漂移区的外围，因此，所述沟道区可将所述源极漂移区和漏极漂移区完全隔离开，从而可减小源极漂移区和漏极漂移区之间的距离，进而减小了沟道区的长度
对称高压 mos 器件

[发明专利]一种场效应晶体管器件及其控制方法-CN202110764781.1有效
发明人：埃里克·布劳恩;詹姆斯·阮 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：场效应晶体管器件包括具有第一导电类型的衬底、具有第二导电类型的第一漏极区、位于衬底上方并和第一漏极区接触的第一漏极接触、具有第二导电类型的第二漏极区、位于衬底上方并和第二漏极区接触的第二漏极接触、具有第二导电类型的源极区、位于衬底上方并和源极区相接触的源极接触、位于源极区和第一漏极区之间的第一栅极区、位于源极区和第二漏极区之间的第二栅极区。
一种场效应晶体管器件及其控制方法

[发明专利]LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片-CN202211205608.9有效
发明人：余山;赵东艳;陈燕宁;付振;刘芳;王帅鹏;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文;张同 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该LDMOS器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的源极结构、栅极结构和漏极结构；半导体衬底内形成有漂移区和体区，栅极结构形成在源极结构和漏极结构之间；源极结构包括源极掺杂区和源极金属，源极掺杂区形成在体区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，源极金属与源极掺杂区相连；漏极结构包括漏极掺杂区和漏极金属，漏极掺杂区形成在漂移区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，漏极金属与漏极掺杂区相连；源极掺杂区与漏极掺杂区上方还形成有low‑K介质层，low‑K介质层环绕在源极金属和漏极金属的四周。
ldmos 器件制造方法芯片

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