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- [发明专利]半导体装置-CN202110972491.6在审
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李元赫;朴钟撤;朴商德;申洪湜;李道行
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三星电子株式会社
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2021-08-24
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2022-04-22
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H01L27/088
- 所述半导体装置包括:第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案,在有源图案上且彼此分隔开;第一源极/漏极接触件,在第一源极/漏极图案上且包括第一源极/漏极阻挡膜和在第一源极/漏极阻挡膜上的第一源极/漏极填充膜;第二源极/漏极接触件,在第二源极/漏极图案上;以及栅极结构,在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间在有源图案上且包括栅电极,其中,第一源极/漏极接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低,并且从有源图案的顶表面到第一源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。
- 半导体装置
- [发明专利]具有双栅极晶体管器件的恒流CMOS输出驱动电路-CN98119669.1有效
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哈特马德·特利茨基
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西门子公司
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1998-09-21
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1999-06-30
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H03H11/00
- 一种输出驱动电路包含有源极和漏极晶体管的双栅极pFET器件,源极晶体管源极与电源连,其漏极与漏极晶体管源极连,漏极晶体管漏极与输出驱动电路输出端连;双栅极nFET器件有源极和漏极晶体管,源极晶体管源极与地电位连,其漏极与漏极晶体管源极连,漏极晶体管漏极与输出驱动电路输出端连;第一开关装置,连到pFET器件源极晶体管栅极;第二开关装置,连到nFET器件源极晶体管栅极;偏压发生装置,连到pFET器件漏极晶体管的栅极,还有连到nFET器件漏极晶体管栅极端的第二输出端。
- 具有栅极晶体管器件cmos输出驱动电路
- [实用新型]半导体装置-CN202221832715.X有效
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黄玉莲;李资良;李志鸿;张祺澔
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2022-07-14
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2022-10-28
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H01L29/78
- 一种半导体装置,包含:半导体鳍片、第一源极/漏极区域和一第二源极/漏极区域、层间介电质、栅极堆叠、第一源极/漏极接触件、以及第二源极/漏极接触件。半导体鳍片从半导体基板延伸。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域在半导体鳍片内。层间介电质在半导体基板上方。栅极堆叠介于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间,其中栅极堆叠的至少一下部在朝向半导体基板的方向在宽度上减小。第一源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第一源极/漏极区域。第二源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第二源极/漏极区域。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611114382.6有效
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郑凯予
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2016-12-07
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2020-08-11
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H01L29/78
- 该方法包括一系列步骤,包括:形成晶体管,该晶体管具有位于鳍式结构内并且邻近跨越鳍式结构的栅极结构的源极/漏极区;在源极/漏极区正上方形成第一源极/漏极接触件,并且第一源极/漏极接触件电连接至源极/漏极区;在晶体管和第一源极/漏极接触件上方沉积复合阻挡结构;以及在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件,并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括:在沉积复合阻挡结构之前沉积第二蚀刻停止层并且在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件,并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括在第二源极/漏极接触件上方形成接触件,并且接触件电连接至第二源极/漏极接触件。
- 半导体器件及其制造方法
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