“漏极”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果557227个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法-CN201610854258.7有效
发明人：李元行;李作银;陈国照 -专利权人：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法，包括基板以及设置在基板上的多个薄膜晶体管；薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，半导体层设置在基板的表面，源极和漏极依次设置在半导体层的表面，且源极和半导体层之间具有绝缘层，漏极和源极之间具有平坦化层；源极通过贯穿绝缘层的第一过孔与半导体层连接，漏极通过贯穿平坦化层和绝缘层的第二过孔与半导体层连接。由于漏极和源极位于不同层，且源极和漏极之间具有平坦化层，因此，即便增大漏极与像素电极之间过孔的尺寸也不会导致源极和漏极短接，从而可以通过增大漏极与像素电极之间过孔的尺寸，来解决漏极与像素电极之间接触电阻过大以及容易出现接触异常的问题
一种显示装置显示面板阵列及其制作方法

[发明专利]电流控制电路、模块及软启动电路-CN201410418576.X有效
发明人：菲利普·埃利斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：一种电流控制电路，包括第一终端；第二终端；在第一终端与第二终端之间的多个并联的晶体管模块，每个晶体管模块包括主晶体管，包括主漏极、主源极和主栅极，其中主源极和主漏极定义主源‑漏路径，主漏极耦合到第一终端，主源极耦合到第二终端，主栅极耦合到本地控制端；感应晶体管，包括感应漏极、感应源极和感应栅极，其中感应源极和感应漏极定义感应源‑漏路径，感应漏极耦合到第一终端，感应栅极耦合到本地控制端，感应源极配置为提供本地反馈信号；本地控制器，配置为接收本地反馈信号和主控制信号；以及根据本地反馈信号和主控制信号向本地控制端提供本地控制信号，以控制流经主源‑漏路径和感应源‑漏路径的电流。
电流控制电路模块启动电路

[发明专利]半导体器件-CN202110207134.0在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：第一晶体管包括位于第一和第二源极/漏极部件之间的第一沟道构件、包围在第一沟道构件周围的第一栅极结构、设置在第一源极/漏极部件上方的第一源极/漏极接触件以及设置在第一栅极结构与第一源极/漏极接触件之间的第一顶部栅极间隔件第二晶体管包括位于第三和第四源极/漏极部件之间的第二沟道构件、包围在第二沟道构件周围的第二栅极结构、设置在第三源极/漏极部件上方的第二源极/漏极接触件以及设置在第二栅极结构与第二源极/漏极接触件之间的第二顶部栅极间隔件第二栅极间隔件和第二源极/漏极接触件之间的距离大于第一栅极间隔件和第一源极/漏极接触件之间的距离。
半导体器件

[发明专利]3D快闪存储器及其操作方法-CN202111173472.3在审
发明人：吕函庭;陈威臣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开提供一种3D快闪存储器，包括栅极叠层结构、环型通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱及电荷储存结构。栅极叠层结构设置于电介质基板上，包括相互电性隔离的多个栅极层。第一源极/漏极柱及第二源极/漏极柱设置在该电介质基板上，位于该环型通道柱内，穿过该栅极叠层结构，该第一源极/漏极柱及该第二源极/漏极柱各自耦接至该环型通道柱，相互分隔。该第一源极/漏极柱及该第二源极/漏极柱的材料为P型掺杂半导体，该第一源极/漏极柱、该第二源极/漏极柱、该电荷储存结构、该环型通道柱型及这些栅极层形成多个存储单元。
闪存及其操作方法

[发明专利]半导体装置-CN201710203142.1有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置，包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极垫与第一漏极垫。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。第二绝缘层置于第一绝缘层上。第一源极垫电性连接源极电极且包含第一下源极分支与第一源极本体。第一下源极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一源极本体置于第二绝缘层上。第一漏极垫电性连接漏极电极且包含第一下漏极分支与第一漏极本体。第一下漏极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一漏极本体置于第二绝缘层上。
半导体装置

[发明专利]半导体器件中的不对称的源极和漏极结构-CN201811381368.1有效
发明人：黄玉莲;王鹏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明实施例提供了具有不对称的源极/漏极结构的半导体器件和形成方法。在一个实例中，半导体器件包括位于衬底上的第一组鳍结构上的第一组源极/漏极结构、位于衬底上的第二组鳍结构上的第二组源极/漏极结构、以及分别位于第一组鳍结构和第二组鳍结构上方的第一栅极结构和第二栅极结构，第一组源极/漏极结构和第二组源极/漏极结构分别靠近第一栅极结构和第二栅极结构，其中，位于第一组鳍结构上的第一组源极/漏极结构具有第一垂直高度的第一源极/漏极结构，其中，第一垂直高度不同于位于第二组鳍结构上的第二组源极/漏极结构的第二源极/漏极结构的第二垂直高度。本发明实施例涉及半导体器件中的不对称的源极和漏极结构。
半导体器件中的不对称结构

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201510461454.3在审
发明人：何晓龙;姚琪;曹占锋;刘聖烈;张斌 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括衬底基板，位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，源极包括与有源层接触的第一源极，位于第一源极上的第二源极；漏极包括与有源层接触的第一漏极，位于第一漏极上的第二漏极；其中，第一源极和第一漏极的材料为导电聚合物；第二源极和第二漏极的材料为金属。
一种薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110475581.4在审
发明人：邱奕正;林天声;许胜福;李陈毅;钟久华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：所述半导体器件具有位于衬底中的源极区及漏极区、栅极结构以及金属线。源极区在衬底中环绕漏极区。栅极结构设置在衬底上，且设置在源极区与漏极区之间。栅极结构环绕漏极区。金属线位于源极区及漏极区以及栅极结构上方且电连接到漏极区或源极区。源极区包括掺杂区，所述掺杂区具有位于所述掺杂区的两个相对端部之间的断开区。金属线从漏极区延伸、跨越栅极结构且跨越断开区并超过源极区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110631750.9在审
发明人：周孟翰;叶冠瑜;卢炜业;陈泓旭;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供了一种扩大用于形成源极/漏极接触件的工艺窗口的方法。该方法可以包括：接收包括源极/漏极特征的工件，该源极/漏极特征在被限定在两个栅极结构之间的源极/漏极开口中暴露；在源极/漏极开口的侧壁和源极/漏极特征的顶表面之上共形地沉积电介质层；各向异性地蚀刻电介质层，以暴露源极/漏极特征；对电介质层进行注入工艺；以及在执行注入工艺之后，对工件执行预清洁工艺。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202110756401.X在审
发明人：摩尔·沙哈吉·B;叶忠宪;马志宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法，本揭示内容的多个实施方式提供自两个或更多的鳍式结构中形成合并的源极/漏极特征的方法。根据本揭示内容的合并的源极/漏极特征具有合并部分，合并部分相对于源极/漏极特征的总高度，具有提升的高度百分比。提升的高度百分比，提供源极/漏极触点特征提升的着陆范围，因此，降低源极/漏极特征以及源极/漏极触点特征之间的连接阻抗。在一些实施方式中，合并的源极/漏极特征包括在合并部分内形成的一或多个孔隙。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210163300.6在审
发明人：林芮萍;李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括：形成栅极堆叠件；通过外延在栅极堆叠件的侧上生长源极/漏极区；在源极/漏极区上方沉积接触蚀刻停止层(CESL)；在CESL上方沉积层间电介质；蚀刻层间电介质和CESL以形成接触开口；蚀刻源极/漏极区，使得接触开口延伸至源极/漏极区中。执行退火工艺以使金属层与源极/漏极区反应，以形成源极/漏极硅化物区。填充该接触开口以形成源极/漏极接触插塞。
形成半导体器件方法

[发明专利]mos版图及应用其的mos管单元及功率mos管-CN202210591932.2在审
发明人：刘道国 -专利权人：深圳市尚鼎芯科技有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种mos板图，以及其应用的mos管单元及功率mos管；版图方面，根据版图规则设计版图，包括有衬底层、源漏层、栅极层和金属层；其中，源漏层包括有长条和短条，栅极层与长条的形成并联单元，长条上形成多个第一漏极和第一源极，且相邻设置的第一源极和第二漏极合并为同一位置；栅极层与短条形成串联单元，短条上形成多个依次排列的第二漏极、串联点和第二源极，且相邻设置的第二源极和第二漏极合并为同一位置；长条以及的短条在形成源极和漏极时，漏极和源极的漏极可以理解为重叠共同设置，使得该位置即作为漏极亦可作为下个mos的源极，进而减少了版图设计的面积。
mos 版图应用单元功率

[发明专利]半导体装置-CN202010830162.3在审
发明人：黄柏瑜;林诗哲;王朝勋;赵高毅;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，源极/漏极位于基板上。源极/漏极接点位于源极/漏极上。第一通孔位于源极/漏极接点上。第一通孔具有横向凸出的底部，与位于横向凸出的底部上的顶部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
半导体装置

[发明专利]一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法-CN202110965645.9有效
发明人：王文樑;李善杰;李国强;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法，包括HEMT结构，在HEMT结构的源极及漏极外侧分别设置源极垂直金属场板及漏极垂直金属场板，在源极及漏极平行于HEMT外延片的方向分别设置源极平行金属场板及漏极平行金属场板，且源极及漏极分别与各自的垂直金属场板及平行金属场板连接，垂直金属场板与平行金属场板通过SiN层与外延结构隔离，在源极和漏极之间设置制备T型栅极以提高HEMT器件的频率特性。
一种具有新型源漏场板结 hemt 器件制备方法