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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有选择性地耦合的栅极端子的差分共源共栅放大器-CN201580021230.9有效
发明人： A·N·L·陈;G·S·T·约 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：一种装置包括差分共源共栅放大器，该差分共源共栅放大器包括第一晶体管(304)和第二晶体管(306)。该装置还包括晶体管(320)，该晶体管(320)包括被耦合到差分共源共栅放大器的第一晶体管(304)的栅极端子(312)的源极端子。该晶体管(320)还包括被耦合到差分放大器的第二晶体管(306)的栅极端子(314)的漏极端子。
具有选择性耦合栅极端子差分共源共栅放大器

[发明专利]具有色温移位的可调光源-CN201080008711.3有效
发明人： G·绍尔兰德 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-02-15 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：一种照明设备(1)，包括：用于耦合到AC电源的输入端子(2)；与输入端子串联连接的LED串(10)；整流器(30)，具有与LED串串联连接的输入端子；可控电压源(40)，具有耦合到整流器输出端子的输入端子；至少一个辅助LED(51)和第二镇流电阻器(52)的串联布置，该串联布置连接到可控电压源的输出端子。电压源包括：可调第一电阻器(46)和第二电阻器(47)的串联布置，该串联布置与输入端子并联连接；与输出端子并联连接的可调齐纳二极管(49)，该可调齐纳二极管(49)具有连接到两个电阻器之间的节点的控制输入端子(48)；其中正输出端子连接到正输入端子，并且负输出端子连接到负输入端子。
具有色温移位可调光源

[发明专利]用于馈电给和控制可变容量压缩机的系统和方法、可变容量压缩机和包括其的冷却器-CN201611182268.7在审
发明人： M.札内拉托;C.C.瓦勒里奥 -专利权人：惠而浦股份公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于馈电给和控制被冷却环境中的可变容量压缩机的方法和系统，其包括电子控件、布置在被冷却环境中的恒温器和功率源，功率源包括中性端子和相端子，恒温器包括第一端子和第二端子，并且电子控件包括相馈电输入和中性馈电输入，功率源的中性端子电气连接到电子控件的中性馈电输入，并且功率源的相端子电气连接到恒温器的第一端子，恒温器的第二端子电气连接到电子控件的相馈电输入，恒温器配置成选择性地馈电和不馈电给电子控件，电子控件选择性地激活和去激活压缩机并且控制其冷却容量
馈电电子控件可变容量压缩机恒温器功率源电气连接冷却环境中性端子冷却器相端子端子电气冷却容量去激活压缩机激活配置

[发明专利]过饱和电流场效应晶体管和跨阻抗MOS装置-CN201680056648.8有效
发明人： S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 -专利权人：电路种子有限责任公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明进一步涉及过饱和电流场效应晶体管(xiFET)，其具有源极、漏极、扩散、第一栅极和第二栅极端子，其中源极沟道界定于所述源极端子与所述扩散端子之间，漏极沟道界定于所述漏极端子与所述扩散端子之间。所述第一栅极端子电容耦合到所述源极沟道；且所述第二栅极端子电容耦合到所述漏极沟道。所述扩散端子接收引起整个所述源极和漏极沟道中的扩散电荷密度的改变的电流。
过饱和电流场效应晶体管阻抗 mos 装置

[发明专利]静电放电耐受能力评价装置和静电放电耐受能力评价方法-CN200780038764.8有效
发明人：下村奈良和;三本敏雄;上山浩一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：其中，上述施加装置(10)施加脉冲电荷，包括：第1连接部(15)，可与源极驱动器(120)的输入端子或输出端子连接，并对源极驱动器(120)施加电荷；以及第2连接部(16)，可连接不同于上述与第1连接部(15)连接的端子的端子，并且，第2连接部(16)所连接的端子可接地。上述公共连接部(51)可与源极驱动器(120)的多个输出端子连接，并使得该多个输出端子彼此电连接。源极驱动器(120)的输出端子通过公共连接部(51)与第1连接部(15)或第2连接部(16)连接。
静电放电耐受能力评价装置方法

[发明专利]显示装置及其驱动方法-CN201080011557.5有效
发明人：松井雅史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：与每行对应的栅极线(112)和复位线(113)、以及与每列对应的信号线(111)，各发光像素(110)具备发光元件(OLED)、向发光元件(OLED)供给电流的驱动晶体管(T3)、行选择晶体管(T1)、栅极端子与复位线(113)连接且源极端子和漏极端子的一方与驱动晶体管(T3)的源极端子连接的复位晶体管(T2)、以及介于驱动晶体管(T3)的栅极端子和源极端子之间的电容元件(CS)，复位晶体管(T2)的源极端子和漏极端子的另一方与对应于多个发光像素
显示装置及其驱动方法

[发明专利]电流检测设备和方法-CN201910463720.4有效
发明人：周才强;刘思超 -专利权人：伏达半导体（合肥）股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种电流检测设备包括：被配置成传导直流或交变电流的功率开关；具有第一漏极/源极端子和栅极的检测开关；所述检测开关的所述第一漏极/源极端子和栅极分别与所述功率开关的第一漏极/源极端子以及栅极连接；具有第一输入端以及第二输入端的放大器；所述放大器的所述第一输入端和所述第二输入端分别与所述功率开关的第二漏极/源极端子连接和所述检测开关的第二漏极/源极端子连接；具有栅极的第一电流检测处理开关，所述第一电流检测处理开关的所述栅极与所述放大器的输出端连接
电流检测设备方法

[发明专利]开关控制装置-CN201780087126.9有效
发明人：伊藤聪 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：驱动电路(21A)与FET(Q1)的栅极端子(g1)连接，并对该栅极端子(g1)施加电压来导通FET(Q1)，该FET(Q1)与变压对象的直流电源(VPP)连接并被控制导通或截止，且具有：输入电流的漏极端子(d1)、供从该漏极端子(d1)输入的电流输出的源极端子(s1)以及控制从漏极端子(d1)流向源极端子(s1)的电流的栅极端子(g1)。反向偏置电路22(A)具有：与FET(Q1)的源极端子(s1)连接的电容器(C4)；以及线圈(L1)，该线圈(L1)的一端连接到驱动电路(21A)与栅极端子(g1)之间，另一端连接到电容器(C4)与源极端子
开关控制装置

[发明专利]MOSFET源极/漏极区中的δ掺杂层-CN201310693713.6在审
发明人：林宏达;黄懋霖;王立廷;王建勛;陈孟谷;林群雄;蔡邦彦;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开的晶体管包括栅极端子、源极端子和漏极端子。源极和漏极端子中的至少一个具有分层结构，分层结构包括端子层和中间层。端子层具有顶面和底面。中间层位于端子层内，位于顶面和底面之间并且与顶面和底面间隔开，中间层定向为垂直于电流，并且小于端子层厚度的十分之一。所述端子层和所述中间层包括共同的半导体化合物以及共同的掺杂剂，并且中间层中的掺杂剂的浓度在端子层中的掺杂剂的平均浓度的十倍以上。本发明还提供了MOSFET源极/漏极区中的δ掺杂层。
mosfet 源极漏极区中的掺杂

[发明专利]电压校准装置和系统-CN201710677957.3在审
发明人：梁国鼎;周福东;金月红;姬云鹏;李诺;李颂扬;魏天舒;杨丽;郝松;顾亮 -专利权人：辽宁省计量科学研究院
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明提供了电压校准装置和系统，涉及计量科学技术领域，包括第一直流标准电压源、转换开关和分压箱，其中，分压箱包括零位端子和比率端子模块；第一直流标准电压源，与转换开关相连接，用于提供稳定的第一电压值；转换开关，分别与零位端子和比率端子模块相连接，用于切换比率端子模块中的比率端子，根据第一电压值计算比率端子与零位端子之间的第二电压值，并将第二电压值从比率端子和零位端子输出，结构简单、校准过程易实现、电压测量范围较大，且不要求直流标准电压源精度，在能够解决开关泄漏问题的基础上，较准确地对电压进行校准。
电压校准装置系统

[实用新型]电压校准装置和系统-CN201720992714.4有效
发明人：梁国鼎;周福东;金月红;姬云鹏;李诺;李颂扬;魏天舒;杨丽;郝松;顾亮 -专利权人：辽宁省计量科学研究院
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了电压校准装置和系统，涉及计量科学技术领域，包括第一直流标准电压源、转换开关和分压箱，其中，分压箱包括零位端子和比率端子模块；第一直流标准电压源，与转换开关相连接，用于提供稳定的第一电压值；转换开关，分别与零位端子和比率端子模块相连接，用于切换比率端子模块中的比率端子，根据第一电压值计算比率端子与零位端子之间的第二电压值，并将第二电压值从比率端子和零位端子输出，结构简单、校准过程易实现、电压测量范围较大，且不要求直流标准电压源精度，在能够解决开关泄漏问题的基础上，较准确地对电压进行校准。
电压校准装置系统

[发明专利]提供温度传感器或递送温度无关电流的电流源的电子设备-CN201910900436.9有效
发明人： R·勒蒂克;P·加利 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本公开涉及提供温度传感器或递送温度无关电流的电流源的电子设备。一种电子设备包括具有输出端子的模块，该模块被配置为在所述输出端子上递送正温度系数输出电压，并且该模块包括热敏电阻器和电流源，热敏电阻器具有第一MOS晶体管，第一MOS晶体管被配置为在弱反型模式中操作，并且具有负温度系数漏极‑源极电阻，并且该第一MOS晶体管的源极耦合到所述输出端子，电流源耦合到输出端子，并且被配置为施加第一晶体管的漏极‑源极电流。
提供温度传感器递送温度无关电流电子设备

[发明专利]并联通道配置中的MOS功率晶体管-CN201811096538.1有效
发明人： F·布鲁格;C·德耶拉希-切克;A·迈耶 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种电路，包括：第一金属氧化物半导体(MOS)功率晶体管，具有第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子；第二MOS功率晶体管，具有第二栅极端子、第二漏极端子与第二源极端子；以及开关，连接在第一栅极端子与第二栅极端子之间并且被配置为选择性地耦合第一栅极端子和第二栅极端子
并联通道配置中的 mos 功率晶体管

[发明专利]为分布式发电电源提供电弧故障和/或接地故障保护用的系统及方法-CN201180035002.9有效
发明人： J.德波尔 -专利权人：西门子工业公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H02H1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种系统，包括：电弧故障断路器AFCI（12），其具有线路侧端子（L、N、G）和负载侧端子（L'、N'、G'），其中，线路侧端子联结至电压源（16'），和联结至负载侧端子的电流源（20）以回馈到电弧故障断路器
分布式发电电源提供电弧故障接地保护系统方法

[发明专利]高频开关、高频开关·放大电路及移动体通信终端-CN03122420.2无效
发明人：中山雅央;稻森正彦;山本贵士;本吉要 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-04-25 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H04B1/50 文献下载
摘要：第1场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，源极与控制端子连接。第2场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，栅极与控制端子连接。基准电压生成电路生成其值相异的2个基准电压，将低的基准电压提供到第1场效应晶体管的栅极，将高的基准电压提供到第2场效应晶体管的源极。
高频开关放大电路移动通信终端

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