专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶体管装置-CN202011161108.0在审
  • 吕俊颉;郑兆钦;赵子昂;李连忠 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-10-27 - 2021-05-04 - H01L27/088
  • 本发明提供一种具有鳍片结构、端子及漏极端子、沟道层以及栅极结构的晶体管装置。鳍片结构设置在材料层上。鳍片结构平行地布置且在第一方向上延伸。端子及漏极端子设置在鳍片结构及材料层上且覆盖鳍片结构的相对末端。沟道层分别设置在鳍片结构上,且每个沟道层在相同鳍片结构上的端子与漏极端子之间延伸。栅极结构设置在沟道层上且跨越鳍片结构。沟道层的材料包含过渡金属及硫族化物,端子及漏极端子包含金属材料,以及沟道层与端子及漏极端子共价键合。
  • 晶体管装置
  • [发明专利]半导体器件-CN200910141536.4有效
  • 川岛彻也;三岛彰 - 株式会社瑞萨科技
  • 2004-12-29 - 2009-10-28 - H01L25/04
  • 在输入侧板状引线部5上配置了控制用功率MOSFET芯片2,在该芯片的背面上形成了漏极端子DT1,另一方面,在主面上形成了端子ST1和栅极端子GT1,该端子ST1与极用板状引线部12连接,此外,在输出侧板状引线部6上配置了同步用功率MOSFET芯片3,在该芯片的背面上形成了漏极端子DT2,将输出侧板状引线部6连接到该漏极端子DT2上,再者,在同步用功率MOSFET芯片3的主面上形成了端子ST2和栅极端子GT2,连接该端子ST2与极用板状引线部13,通过露出极用板状引线部12、13,可提高MCM1的散热性。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN200410104839.6有效
  • 川岛彻也;三岛彰 - 株式会社瑞萨科技
  • 2004-12-29 - 2005-08-03 - H01L25/04
  • 在输入侧板状引线部5上配置了控制用功率MOSFET芯片2,在该芯片的背面上形成了漏极端子DT1,另一方面,在主面上形成了端子ST1和栅极端子GT1,该端子ST1与极用板状引线部12连接,此外,在输出侧板状引线部6上配置了同步用功率MOSFET芯片3,在该芯片的背面上形成了漏极端子DT2,将输出侧板状引线部6连接到该漏极端子DT2上,再者,在同步用功率MOSFET芯片3的主面上形成了端子ST2和栅极端子GT2,连接该端子ST2与极用板状引线部13,通过露出极用板状引线部12、13,可提高MCM1的散热性。
  • 半导体器件
  • [发明专利]通信控制器短路保护-CN202080022138.5在审
  • J·翁蒂韦罗斯 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2020-03-20 - 2021-11-12 - H02H3/24
  • 在一些示例中,该电路包括:具有耦合到第一节点(314)的端子和第二端子的第一电流(302)、在第一电流的第二端子和第二节点(316)之间耦合的第一开关(306)、在第二节点和接地端子(318)之间耦合的第一电阻器(310)、具有耦合到第一节点的端子和第二端子的第二电流(304)、在第二电流的第二端子和第三节点(320)之间耦合的第二开关(308)、在第三节点和接地端子之间耦合的第二电阻器(312)、具有耦合到第一节点的端子和第二端子的第三电流、在第三电流的第二端子和第四节点之间耦合的第三开关,以及在第四节点和接地端子之间耦合的第三电阻器。
  • 通信控制器短路保护
  • [发明专利]前向体偏置控制的半导体集成电路-CN200710109460.8无效
  • 炭田昌哉 - 松下电器产业株式会社
  • 2007-06-21 - 2007-12-26 - H01L27/092
  • 本发明公开了一种半导体集成电路,在第一功能块中,PMOS晶体管的电压输入端子和NMOS晶体管的衬底电压输入端子分别与其电源端子连接。第i(1≤i≤n-1)功能块中的该PMOS晶体管的衬底电压输入端子和其中的NMOS晶体管的电压输入端子与第(i+1)功能块中的PMOS晶体管的电压输入端子和包括在其中的NMOS晶体管的衬底电压输入端子双极连接在该第n功能块中,PMOS晶体管的衬底电压输入端子和NMOS晶体管的电压输入端子分别与其电源端子连接。
  • 偏置控制半导体集成电路
  • [发明专利]电化学FET传感器-CN202080062414.0在审
  • S·莱夫勒;I·塔米尔;D·施赖伯;H·马萨萨 - 曲莱博医疗有限公司
  • 2020-07-10 - 2022-04-15 - G01N27/414
  • 一种传感器包括:工作电极,该工作电极与分析物溶液接触;放大器,包括:端子;漏极端子;背栅端子;以及纳米线,每个纳米线将端子电连接至漏极端子;以及绝缘体,该绝缘体具有第一侧和第二侧。端子、漏极端子和纳米线位于绝缘体的第二侧。绝缘体防止工作电极、分析物溶液和端子、漏极端子或纳米线之间的直接电接触。工作电极被配置使得当化学物质存在于分析物溶液中时,在纳米线的位置引发电场的变化,从而引发源极端子与漏极端子之间相应的电流变化。
  • 电化学fet传感器
  • [发明专利]开关电路装置和方法-CN200810149727.0有效
  • B·C·孔弗;R·K·霍伦贝克 - 通用电气公司
  • 2008-09-19 - 2009-03-25 - H03K17/08
  • 电路(200)包括多个三端开关(215)和一控制(252)。三端开关(215)限定了可在电源(210)和负载(205)之间连接的串联导通通路(250)。多个三端开关(215)中的每一个都包括端子(235)、漏极端子(240)和栅极端子(245)。控制(252)可能产生控制电压并在多个三端开关(215)中的每一个的栅极端子(245)和端子(235)之间电源连接。多个三端开关(215)中的每一个在其各自的栅极端子(245)响应控制电压以闭合在多个三端开关(215)中的每一个的各自端子(235)和各自漏极端子(240)之间的连接(255)。
  • 开关电路装置方法
  • [发明专利]显示装置-CN201880020498.4有效
  • 河内玄士朗;天野邦晶;桶隆太郎;梶田大介 - 松下液晶显示器株式会社
  • 2018-01-31 - 2022-03-22 - G09G3/36
  • 显示装置包括:多个极线;多个栅极线;极驱动器;栅极驱动器;多个像素晶体管,所述多个像素晶体管与各所述极线及各所述栅极线电连接;监视晶体管,所述监视晶体管的漏电极与第一外部端子电连接,栅电极与第二外部端子电连接,电极与第三外部端子电连接;基准晶体管,所述基准晶体管的漏电极与第四外部端子电连接,栅电极与第五外部端子电连接,电极与第六外部端子电连接;以及检测部,其与所述第三外部端子及所述第六外部端子电连接,用于检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量
  • 显示装置
  • [实用新型]一种测试板卡搭验证板-CN202222238737.X有效
  • 陈彪;刘志业;官朝伟;简泓丞;陈勇;张怡;蔡择贤 - 广东气派科技有限公司
  • 2022-08-24 - 2023-01-10 - G01R31/28
  • 本实用新型涉及一种测试板卡搭验证板,包括基板、模拟接线端子、BNC接口和多PIN脚排线,模拟接线端子、BNC接口和多PIN脚排线均布置在基板上,模拟接线端子用于外接模拟,BNC接口用于外接示波器,多PIN脚排线用于外接测试板卡,多PIN脚排线包括搭引脚和测试引脚,模拟接线端子通过基板上的电路与多PIN脚排线的搭引脚导通,所述BNC接口通过基板上的电路与多PIN脚排线的测试引脚导通。外部的模拟直接用导电线夹接到模拟接线端子上进行供电,不需要在测试板卡上飞线出来,可以大幅节省飞线接线的时间;本申请使用便利,能快速准确进行搭验证,程序开发进度会加快,从而提高工作效率。
  • 一种测试板卡验证

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