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[发明专利]电压升压电路-CN200880116455.2无效
发明人：卢斯·德索萨;让-巴普蒂斯特·劳克斯;拉比·本达尼 -专利权人：法雷奥电机控制系统公司
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明的电路(100)包括：电压源(S)，具有第一端子(+BAT)和第二端子；至少一个电感器(Lb)，其第一端子连接到电压源(S)的第一端子(+BAT)；至少一个二极管(Db)，其正极连接到电感器(Lb)的第二端子；至少一个电容器(Cb)，其第一端子连接到二极管(Db)的负极；至少一个电流开关(Mb)，连接在电感器(Lb)的第二端子与电压源(S)的第二端子之间；和第二电流开关(M)，连接在电容器(Cb)的第二端子与电压源(S)的第二端子之间。电路(100)还包括使电流从电容器(Cb)的第二端子流向电压源(S)的第一端子(+BAT)的部件(D)。
电压升压电路

[发明专利]开关电路、高频前端电路以及通信装置-CN201980013618.2在审
发明人：别府伸耕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：开关电路(10)具备：晶体管(T1)，漏极端子(D1)与输入输出端子(110)连接，源极端子(S1)与第1路径上的节点(N1)连接，对漏极端子(D1)‑源极端子(S1)间的导通以及非导通进行切换；晶体管(T2)，源极端子(S2)与输入输出端子(120)连接，漏极端子(D2)与节点(N1)连接，与晶体管(T1)同步地对漏极端子(D2)‑源极端子(S2)间的导通以及非导通进行切换；晶体管(T3)，漏极端子(D3)以及源极端子(S3)配置在将节点(N1)和接地连结的第2路径上，与晶体管(T1以及T2)排他地对漏极端子(D3)‑源极端子(S3)间的导通以及非导通进行切换
开关电路高频前端电路以及通信装置

[发明专利]负载驱动装置和变速机的驱动系统-CN201980068828.1在审
发明人：小森山惠士;小林洋一郎 -专利权人：日立安斯泰莫株式会社
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：负载驱动装置包括对负载供给负载电流的主MOS(101)、用于检测负载电流的传感MOS(102)和在主MOS的源极端子与传感MOS的源极端子之间并联地设置的均衡器电路(110)和开关(120)。主MOS的漏极端子与传感MOS的漏极端子成为共同连接，在电流检测时用均衡器电路使主MOS的端子电压和传感MOS的端子电压均衡并且使开关断开，在不检测电流时使均衡器电路停止并且用开关使主MOS的源极端子和传感MOS的源极端子短路。
负载驱动装置变速系统

[发明专利]功率MOSFET及其应用装置和制造方法-CN200410044579.8无效
发明人：福原和矢 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在半导体基板的相向主面上配置源端子层、栅端子层、漏端子层。这些端子层以具有在各个主面的面积内所能容纳的大小的方式被配置在各个主面上并与源电极、栅电极、漏电极结合。在半导体晶片阶段，功率MOSFET用分离端子板的工序或者在源电极、栅电极、漏电极上用蒸镀金属层的方法形成源端子层、栅端子层、漏端子层。
功率 mosfet 及其应用装置制造方法

[发明专利]电流镜以及高依从性单级放大器-CN201180060156.3有效
发明人：派翠克·J·昆恩 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2011-08-23 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种用于在集成电路（IC）中使用的系统包含：输入差分对（205），其包含正输入节点（245）和负输入节点（240）；电流源（265），其耦接到所述输入差分对；以及电流镜（105）。所述系统包含偏置晶体管装置（110），其具有：源极端子，所述源极端子耦接到所述第一有源装置和所述第二有源装置中每一者的栅极端子；栅极端子，所述栅极端子耦接到所述第二有源装置的漏极端子；以及漏极端子，所述漏极端子耦接到电压源
电流以及依从性单级放大器

[发明专利]电流测量电路-CN201410424334.1有效
发明人：史蒂文·埃尔兹 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种电流测量电路，包括主晶体管，具有与第一控制端子相连的主栅极；限定了主漏极‑源极路径的与第一端子相连的主漏极和与第二端子相连的主源极；感测晶体管，具有与第一控制端子相连的感测栅极；限定了感测漏极‑源极路径的与第一端子相连的感测漏极和感测源极；旁路开关，具有可控导电路径，与主漏极‑源极路径并联连接；以及第二控制端子，使能或阻止电流通过可控导电路径；输出放大器，具有输入端，与感测源极和可控导电路径相连；输出端，提供电流信号；以及控制器，根据电流信号设置第一控制端子的第一控制信号和第二控制端子的第二控制信号，以使能电流通过主晶体管和感测晶体管的每个相应漏极‑源极路径或者可控导电路径。
电流测量电路

[发明专利]电压控制型振荡器-CN200510087439.3无效
发明人：大塚崇;竹内久人;新宫圭悟 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：负载电容构成为：串联连接了具有将源极端子和漏极端子短路的源极·漏极端子、栅极端子的第1MOS晶体管(5)、具有将源极端子和漏极端子短路的源极·漏极端子、栅极端子的第2MOS晶体管(6)。而且还具有：将共同的第1控制信号(S1)供给到上述第1、第2MOS晶体管(5、6)的源极·漏极端子的第1控制信号产生电路(41)；和将共同的第2控制信号(S2)供给到上述第1、第2MOS晶体管(5、6)的栅极端子的第2控制信号产生电路(42)。
电压控制振荡器

[发明专利]电子模块，传感器设备，传感器设备组和用于运行传感器设备的方法-CN202110955147.6在审
发明人：迈克尔·弗里德里希;马克·比施 -专利权人：巴鲁夫有限责任公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：提供一种用于传感器设备的电子模块，包括：电压控制的至少一个电流源、与电压控制的至少一个电流源有效电连接的用于借助于电压控制的至少一个电流源来提供电压控制的电流的电流源端子、加法器装置、与加法器装置有效电连接的加法器输入端子和与加法器装置有效电连接的加法器输出端子，其中电流源端子与电振荡回路和/或与线圈元件有效电连接或者可处于有效电连接状态，加法器输入端子与电流源端子或与至少一个另外的线圈元件可有效电连接或有效电连接，借助于加法器装置将施加在加法器输入端子上的电压和至少一个偏置电压相加和/或相减，并且其中在加法器输出端子上可提供或提供测评信号，以便通过测评装置进行测评。
电子模块传感器设备设备组用于运行方法

[发明专利]GOI测试电路结构-CN201210398529.4有效
发明人：宋卓;赵永;陆黎明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种GOI测试电路结构，该GOI测试电路结构在传统的区域棱式GOI测试电路结构基础上，将栅氧层部分覆盖于第一aa区上，使得呈条状的第一aa区中靠近两端的区域未被所述栅氧层覆盖，进而形成源/漏区，并利用第三接触孔和源漏金属层分别引出源极端子和漏极端子。本发明的GOI测试电路结构共引出4端子，分别为栅极端子Gate、衬底端子Substrate、源极端子和漏极端子，比传统区域棱式GOI测试电路结构多出2个端子。本发明的GOI测试电路结构在第一aa区中引入源/漏区，这样便将源/漏区包括在了GOI测试电路结构中，进而当CD在90nm以下时，可以避免GOI测试电路结构中的寄生节点以获得准确的击穿电压。
goi 测试电路结构

[发明专利]半导体装置-CN201280047577.7有效
发明人：濑户刚 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体芯片（3）的栅极电极（4）/源极电极（5）通过导电体（11a/11b）分别与栅极端子（7）/源极端子（9）连接，栅极端子（7）的与导电体（11a）的接合部分以与栅极电极（4）接近的方式被配置，源极端子（9）的与导电体（11b）的接合部分以与源极电极（5）接近的方式被配置。
半导体装置

[发明专利]显示设备及其控制方法、以及显示面板的驱动设备-CN200710302203.6无效
发明人：崔吉洙;黄京虎;蔡钟锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G09G5/14 文献下载
摘要：一种显示设备，包括：主显示面板；主驱动单元，其包括生成要被供应给该主显示面板的多个驱动电压的驱动电压生成单元、以及输出所述驱动电压的第一驱动电压端子，并且驱动该主显示面板；副显示面板；副驱动单元，其包括从主驱动单元接收源功率的源功率端子、第二驱动电压生成单元、与第一驱动电压端子连接的第二驱动电压端子、以及切换从源功率端子供应到第二驱动电压生成单元的源功率的切换单元，并且驱动该副显示面板；以及控制器，其控制所述切换单元在所述主显示面板处于不在该主显示面板上显示图像的待机模式时不将源功率从所述源功率端子供应到所述第二驱动功率生成单元
显示设备及其控制方法以及面板驱动

[发明专利]驱动电路、开关控制电路以及开关装置-CN201680026466.6有效
发明人：石井卓也;川上佳人;上原孝太;片濑银河 -专利权人：松下半导体解决方案株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：按照输入信号Vin驱动开关元件的驱动电路(20)，具备：被提供正电压Vcc的正电源端子(21)；被输入输入信号Vin的输入端子(22)；与开关元件(2)的源极连接的接地端子(23)；能够按照输入信号Vin输出正电压Vcc的第一输出端子(25)；电流源电路(10)；以及与电流源电路(10)连接的第二输出端子(26)，驱动电路(20)，将从第一输出端子(25)输出的正电压Vcc由第一阻抗电路(90)转换后的电流Ig2以及从电流源电路(10)经由第二输出端子(26)输出的电流Ig1提供到栅极，从而驱动开关元件(2)。
驱动电路开关控制电路以及装置

[实用新型]射频开关和射频开关单元-CN201920349737.2有效
发明人：巴克尔·斯科特;乔治·马克西姆;迪尔克·罗伯特·沃尔特·莱波尔德 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：多个开关单元中的每一者由具有主漏极端子、主源极端子、主栅极端子和主体端子的主场效应晶体管(FET)构成。还包括：第一体偏置FET，第一体偏置FET具有联接到主栅极端子的第一漏极端子、联接到主漏极端子的第一栅极端子、联接到主体端子的第一体端子，以及第一源极端子；以及第二体偏置FET，第二体偏置FET具有联接到主栅极端子的第二漏极端子、联接到主体端子的第二体端子，以及联接到第一源极端子的第二源极端子。
漏极端子体偏置源极端子主体端子主栅极开关单元射频开关体端子主场效应晶体管射频开关单元插入损耗栅极端子极端子裸片射频主源联接串联占用

[发明专利]用于调节PTAT电流以补偿器件晶体管的工艺变化的电路结构-CN202010766689.4有效
发明人：方时君;李世涛 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本公开提供一种电路结构，包括：电流源，其包括至少一个具有背栅端子的FDSOI晶体管，其中电流源产生与该电路结构的绝对温度成比例的电流；第一电流镜，其被电耦接到电流源和器件晶体管的栅极端子，其中第一电流镜基于电流的大小向器件晶体管施加栅极偏置，并且其中器件晶体管的源极端子或漏极端子包括电路结构的输出电流；以及可调电压源，其被耦接到电流源的至少一个FDSOI晶体管的背栅端子，其中可调电压源向至少一个FDSOI晶体管的背栅端子施加选定的背栅偏置电压
用于调节 ptat 电流补偿器件晶体管工艺变化电路结构

[发明专利]差分MEMS器件的单端读出-CN202210398222.8在审
发明人： W·付罗莉安;N·德米勒里;P·格雷纳;A·韦斯鲍尔;M·武尔策;B·青泽凌 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H03F13/00 文献下载
摘要：一种电路包括第一偏置电压源、第二偏置电压源、耦联在第一偏置电压源与电路的第一端子之间的第一电阻器器件、耦联在第二偏置电压源与电路的第二端子之间的第二电阻器器件、耦联在第二偏置电压源与第三端子之间的第三电阻器器件、耦联在第三端子与接地之间的第一电容器、以及具有耦联到第二端子的输入和耦联到电路输出的放大器。
mems 器件读出