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[发明专利]一种场效应管、其制备方法及电子电路-CN202111001372.2在审
发明人：易洪昇;杨钢宜;黄惠东;王汉星 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种场效应管、其制备方法及电子电路，场效应管包括：在衬底上依次层叠的沟道层、控制栅极、钝化层、栅金属层、层间介质层、源漏金属层；其中，栅金属层包括间隔设置的金属栅极和台阶，源漏金属层包括源极、漏极以及与源极电连接的场板，场板从源极向漏极一侧延伸且与漏极断开设置，场板具体包括在衬底上的正投影位于金属栅极与漏极之间的一阶场板和二阶场板，二阶场板为覆盖台阶的部分，一阶场板为除了二阶场板之外的部分通过在栅金属层中形成金属栅极图案的同时增加形成台阶的图案，使源漏金属层覆盖台阶的部分被垫高形成二阶场板，这样整个场板的加工只需要通过一次构图工艺，减少了场板制备工艺的复杂度和工业成本。
一种场效应制备方法电子电路

[实用新型]薄膜晶体管、液晶显示屏及电子设备-CN201821752716.7有效
发明人：于靖;庄崇营;李林 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括第一金属层、半导体层及第二金属层。半导体层设置于第一金属层上；第二金属层设置于半导体层远离第一金属层的一侧。第二金属层包括源极线、源极连接线、漏极线及漏极连接线，源极线与漏极线之间、源极连接线与漏极线之间，及漏极连接线与源极线之间由半导体层形成沟道。上述薄膜晶体管可以在保证薄膜晶体管的正常驱动能力的前提下，将源极连接线和漏极连接线设置在半导体层上，可以减小现有技术中源极连接线和漏极连接线位于半导体层外时，薄膜晶体管的不透光区域所占的面积，增加薄膜晶体管的面积利用率
薄膜晶体管连接线半导体层漏极源极第二金属层第一金属层液晶显示屏漏极线源极线电子设备不透光区域连接线设置面积利用率驱动能力宽窄沟道减小申请应用保证

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体组件-CN201010219200.8有效
发明人：林伟捷;陈和泰;林家福;李柏贤 -专利权人：大中积体电路股份有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体组件。上述横向扩散金属氧化物半导体组件包括一基底、一柵极介电层、一柵极多晶硅层、一源极区、一漏极区、一基体区、一第一漏极接触插塞、一源极多晶硅层、一绝缘层、以及一源极金属层。其中，利用于漏极区上方的柵极介电层上设置源极多晶硅层作为场板，用以提升崩溃电压，并且可以提高漏极与源极间电容。另外，通过本发明的第一漏极接触插塞，可以有效的减少漏极与源极间导通电阻与横向的延伸长度，进而降低功率的耗损且增加组件的集成度。
横向扩散金属氧化物半导体组件

[实用新型]一种氧化物半导体薄膜晶体管-CN201420516491.0有效
发明人：司红康;金一琪 -专利权人：六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管，在所述源漏极金属电极层与所述源漏极区域接触的区域引入氢浓度分布。在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。进一步的，在靠近所述沟道区域的所述源漏极区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，且在所述源漏极金属电极层远离所述源漏极区域的一端以及沟道区域内没有引入的氢浓度分布，本实用新型在不导致氧化物薄膜晶体管性能下降的情况下
一种氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]顶发射OLED显示背板及其制作方法和OLED显示装置-CN201911129991.2在审
发明人：张扬;周斌;程磊磊;王庆贺;刘军;王超;张晓东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：顶发射OLED显示背板包括：衬底基板，衬底基板中设有源极和漏极；平坦层，平坦层设置在衬底基板的表面上；金属反射层，金属反射层设置在平坦层远离衬底基板的一侧，其中，平坦层和金属反射层中具有贯穿平坦层和金属反射层的通孔，且通孔暴露出源极或漏极；阳极，阳极设置在金属反射层远离衬底基板的一侧，且通过通孔与源极或漏极电连接。阳极直接通过通孔与源极或漏极电连接，而不是通过金属反射层与源极或漏极间电连接，如此可以避免在制作中因金属反射层在通孔侧壁出现断线裂缝等现象而导致阳极与源极或漏极之间接触不良的现象，从而提升显示面板的质量和显示效果
发射 oled 显示背板及其制作方法显示装置

[发明专利]隧道场效应晶体管及其制造方法-CN201510099898.7有效
发明人：蔡腾群;林正堂;王立廷;彭治棠;陈德芳;林宏达;王建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种隧道场效应晶体管，包括漏极层、源极层、沟道层、金属栅极层和高k介电层。漏极层和源极层具有相反的导电类型。沟道层设置在漏极层和源极层之间。漏极层、沟道层和源极层中的至少一个具有基本恒定的掺杂浓度。金属栅极层设置在沟道层周围。高k介电层设置在金属栅极层和沟道层之间。本发明还提供了一种用于制造隧道场效应晶体管的方法。
沟道层漏极层源极层隧道场效应晶体管金属栅极层高k介电层导电类型基本恒定制造掺杂

[发明专利]一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法-CN202110965645.9有效
发明人：王文樑;李善杰;李国强;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法，包括HEMT结构，在HEMT结构的源极及漏极外侧分别设置源极垂直金属场板及漏极垂直金属场板，在源极及漏极平行于HEMT外延片的方向分别设置源极平行金属场板及漏极平行金属场板，且源极及漏极分别与各自的垂直金属场板及平行金属场板连接，垂直金属场板与平行金属场板通过SiN层与外延结构隔离，在源极和漏极之间设置制备T型栅极以提高HEMT器件的频率特性。
一种具有新型源漏场板结 hemt 器件制备方法

[发明专利]驱动背板及其制备方法、显示面板-CN202210363479.X在审
发明人：戴星强 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述驱动背板包括基板和设置在基板上的有源层、源极、漏极、栅极、金属氧化物阻隔部以及透明电极。其中，源极和漏极设置在有源层上，源极和漏极分别与有源层连接；栅极位于有源层靠近或远离源极的一侧；金属氧化物阻隔部设置在源极远离有源层的一侧，金属氧化物阻隔部覆盖源极，并与源极的表面接触；透明电极设置在漏极远离有源层的一侧，并与漏极连接。
驱动背板及其制备方法显示面板

[发明专利]横向功率半导体器件-CN202211566422.6在审
发明人：斯特凡诺·达尔卡纳莱;亚当·布朗;吉姆·帕金 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向功率半导体器件，包括：源极焊盘区域，其形成在器件的金属层中；漏极焊盘区域，其与源极焊盘间隔开并形成在器件的该金属层中；多个导电指状物，其形成在器件的另一金属层中，并且包括：多个平行的源极指状物，其联接到源极焊盘区域并从源极焊盘区域朝向漏极焊盘区域延伸至漏极焊盘区域下方，以及多个平行的漏极指状物，其与多个源极指状物隔离，并且联接到漏极焊盘区域并从漏极焊盘区域朝向源极焊盘区域延伸至源极焊盘区域下方，漏极指状物叉指式布置在源极指状物之间；漏极焊盘区域包括分别与多个漏极焊盘对应的多个漏极指状物，其中多个漏极焊盘通过与延伸到漏极焊盘区域下方的源极指状物的位置相对应的间隔而彼此隔离。
横向功率半导体器件

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201811270397.0有效
发明人：操彬彬 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及电子器件领域，能够降低源极和/或漏极中的第二金属层中的金属原子扩散至沟道区域的几率；该薄膜晶体管包括设置于基板上的有源层以及与有源层接触的源极和漏极；其中，源极和漏极包括层叠设置的第一金属层、第二金属层，且第一金属层相对于第二金属层靠近有源层；源极中的第二金属层与有源层在基板上的正投影的交叠区域的面积，小于源极中的第一金属层与有源层在基板上的正投影的交叠区域的面积；和/或，漏极中的第二金属层与有源层在基板上的正投影的交叠区域的面积，小于漏极中的第一金属层与有源层在基板上的正投影的交叠区域的面积。
一种薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]一种探测基板的制作方法、探测基板及X射线探测器-CN201710509175.9有效
发明人：孙建明;黄睿;吴慧利;李东升;任庆荣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：通过在衬底上通过构图工艺依次形成栅电极层、栅绝缘层、有源层，通过构图工艺形成源极和漏极，所述源极和所述漏极均部分覆盖所述有源层，所述源极和所述漏极均为金属层与金属氧化物层的复合层，所述金属层靠近所述有源层，依次形成第一钝化层、遮光层以及PIN光电二极管的I型层和P型层，所述I型层覆盖所述源极与所述漏极间的有源层。金属层与金属氧化物层的复合层作为薄膜晶体管的源极和漏极，金属氧化物层既可以作为金属层的保护层，同时可代替PIN光电二极管的重掺杂N型层，减少制作过程中的工艺流程，提高生产效率，降低生产成本。
一种探测制作方法射线探测器

[发明专利]晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置-CN201210126730.7有效
发明人：姜春生 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置，用于提高阵列基板的开口率，该方法包括：形成第一源极和漏极金属层；在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层；在绝缘层上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层形成半导体层；在半导体层上形成的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层；在第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。
晶体管制作方法阵列以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN201410830699.4有效
发明人：赵加湘 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提出了一种薄膜晶体管及其制备方法，在有源层上形成栅极绝缘层，且栅极绝缘层暴露出有源层的两端，用于形成源/漏极，接着，在栅极绝缘层上形成金属栅极，且金属栅极暴露出栅极绝缘层的两端，借助金属栅极和栅极绝缘层的遮挡作用，在栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内形成LDD区，通过一次工艺即可同时形成源/漏极和LDD区，减少工艺步骤，降低生产成本。此外，在形成金属栅极的同时，还在有源层两端及缓冲层表面形成金属源漏连线，金属源漏连线与后续形成的源/漏极分别相连，在后续刻蚀形成第一通孔时，刻蚀暴露出的是金属源漏连线，而非常规的源/漏极，可防止对源/漏极进行刻蚀的过程中造成的电性能恶化
薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]制造金属通道元件的方法-CN201610910128.0在审
发明人：陈敏璋;刘继文;郑柏贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造金属通道元件的方法，包含形成金属层于基材上，金属层透过原子层沉积技术而形成且具有第一厚度；形成绝缘层于金属层上；形成栅极接触层于绝缘层上；处理已形成的栅极接触层、绝缘层与金属层以移除栅极接触层、绝缘层与金属层不位于源极‑漏极区上的部分，金属层位于源极‑漏极区上的剩余部分具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度；以及形成源极与漏极金属接触于金属层的剩余部分。
制造金属通道元件方法

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管-CN202210465622.6在审
发明人：陈玉云;沈奕;吕岳敏;杨秋强;余荣;陈远明 -专利权人：汕头超声显示器技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管，包括设置在基板上的栅极和绝缘层，以及有源层、源极、漏极和沟道保护层，栅极被绝缘层所覆盖，有源层、源极、漏极均设置在绝缘层上，沟道保护层设置在沟道部位上，源极、漏极相对设置并与有源层顶部搭接；沟道保护层包括混有吸光物质的光敏树脂涂层；源极、漏极为由金属层图形化而成的金属电极，源极、漏极分别设有向沟道保护层顶部延伸的源极延伸部、漏极延伸部，源极延伸部和漏极延伸部覆盖光敏树脂涂层而构成沟道保护层的遮挡结构，源极延伸部与漏极延伸部之间设有缝隙。
一种氧化物薄膜晶体管