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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种氮化镓开关器件及其制备方法-CN202210972637.1在审
发明人：黄汇钦;吴龙江;曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种氮化镓开关器件及其制备方法，氮化镓开关器件包括：衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层、源极层、栅极层、漏极层、源极电极、栅极电极以及漏极电极，衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层从下至上依次层叠设置，源极层、栅极层以及漏极层设于势垒层上，源极电极、栅极电极以及漏极电极分别设于源极层、栅极层以及漏极层上，通过将栅极电极与漏极电极设置为指叉状金属场板，且栅极电极和漏极电极的指叉金属条交替设置
一种氮化开关器件及其制备方法

[发明专利]接触电阻监测器件及其制作方法、显示面板-CN202010376730.7有效
发明人：聂晓辉 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种接触电阻监测器件及其制作方法、显示面板，所述接触电阻监测器件包括基板、设置于所述基板上的栅极金属层、设置于所述基板上的层间介电层、设置于所述层间介电层的凹孔内的源漏极金属层、以及设置于所述层间介电层及所述源漏极金属层上的像素电极层本申请通过将源漏极金属层设置于层间介电层的凹孔中，避免了源漏极金属层因自身的凹陷表面而导致的像素电极层断裂，有利于保证通过该接触电阻监测器件测得的像素电极层与源漏极金属层之间的接触电阻准确性和稳定性。
接触电阻监测器件及其制作方法显示面板

[发明专利]非易失性存储器、源极/漏极线插塞及其制造方法-CN200710128380.7无效
发明人：陈启明;魏鸿基;毕嘉慧 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种源极/漏极线插塞的制造方法。首先，在基底中形成多个元件隔离结构，且两相邻的元件隔离结构之间定义出有源区。然后，在各有源区的基底中形成源极/漏极区。接着，移除部分源极/漏极区两侧的元件隔离结构，使元件隔离结构的表面低于源极/漏极区的基底表面。之后，在基底上形成介电层，接着图案化该介电层以形成暴露出源极/漏极区的多个沟渠。接着，在沟渠所暴露的源极/漏极区上形成选择性硅生长材料层，以至少覆盖源极/漏极区的基底的顶角。接着，在选择性硅生长材料层上依序形成金属硅化物层和金属层以填满沟渠，从而形成多个源极/漏极线插塞。
非易失性存储器源极漏极线插塞及其制造方法

[发明专利]具有未图案化的蚀刻停止的MOTFT-CN201480062664.9在审
发明人：俞钢;谢泉隆;于尔根·穆佐尔夫;法特·弗恩格;肖田 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：一种制造高迁移率半导体金属氧化物薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：沉积半导体金属氧化物材料层、在所述MO材料层上沉积蚀刻停止材料的覆盖层、以及在所述蚀刻停止材料的覆盖层上图案化源极/漏极金属层，所述图案化包括：将所述源极/漏极金属层蚀刻为源极/漏极端子，所述源极/漏极端子被设置为在所述半导体金属氧化物层中限定沟道区域；至少在所述源极/漏极端子之下，所述蚀刻停止材料在垂直于所述覆盖层的平面的方向上导电，以提供所述源极/漏极端子中的每一个与所述半导体金属氧化物沟道材料层之间的电接触。所述蚀刻停止材料还具有化学鲁棒性，以在蚀刻工艺期间保护所述半导体金属氧化物沟道材料层。
具有图案蚀刻停止 motft

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置-CN201510171291.5有效
发明人：刘威;姜春生 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该方法包括在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层；在衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，源漏极金属图案包括源漏极，预设金属至少包括铜；在衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，组成钝化层；在钝化层上，源漏极的间隙上方形成沟道，氧化硅层上的沟道宽度小于氮化硅层上的沟道宽度，且大于或等于源漏极的间隙距离；在源漏极金属图案上形成与氮化硅层不接触的氧化物沟道图案。本发明解决了Cu金属层被氧化的程度较高，且阵列基板的显示特性较差的问题，实现了降低Cu金属层被氧化的程度，提高阵列基板显示特性的效果，用于显示装置。
阵列制造方法显示装置

[发明专利]多栅器件及其形成方法-CN202110602005.1在审
发明人：乔治奥斯·韦理安尼堤斯;布兰丁·迪里耶 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种示例性器件包括布置在衬底上方的沟道层、第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件。该沟道层布置在第一外延源极/漏极部件与第二外延源极/漏极部件之间。金属栅极布置在第一外延源极/漏极部件与第二外延源极/漏极部件之间。该金属栅极布置在沟道层的至少两个侧上方并与其物理接触。源极/漏极接触件布置在第一外延源极/漏极部件上方。掺杂晶体半导体层，例如镓掺杂晶体锗层，布置在第一外延源极/漏极部件与源极/漏极接触件之间。该掺杂晶体半导体层布置在第一外延源极/漏极部件的至少两个侧上方并与其物理接触。在一些实施例中，该掺杂晶体半导体层具有小于约1x10‑9Ω‑cm2的接触电阻率。
器件及其形成方法

[发明专利]底栅型TFT基板的制作方法-CN201710454064.2有效
发明人：何敏博 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种底栅型TFT基板的制作方法，在栅极金属层上形成第一蚀刻阻挡层，在源漏极金属层上形成第二蚀刻阻挡层，然后在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成过孔时，先采用第一蚀刻气体蚀刻到第一蚀刻阻挡层、及第二蚀刻阻挡层上，对应在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成第一初级过孔及第二初级过孔，再采用第二蚀刻气体同时对第一初级过孔下方第一蚀刻阻挡层、及第二初级过孔下方的第二蚀刻阻挡层进行蚀刻，由于第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层为相同的材料及厚度，因此可同时被刻穿，从而同步在栅极金属层上方形成第一过孔、在源漏极金属层上方形成第二过孔，避免源漏极金属层被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。
底栅型 tft 制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710979479.1有效
发明人：李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，在下面的结构上方形成层间介电(ILD)层。下面的结构包括栅极结构(每个均具有金属栅极和设置在金属栅极上方的覆盖绝缘层)、设置在两个邻近的栅极结构之间的源极/漏极外延层以及覆盖源极/漏极外延层的蚀刻停止层(ESL)。通过蚀刻在ILD层中形成开口。在开口中形成介电填充层。通过使用湿蚀刻，去除设置在源极/漏极外延层之上的ILD层。去除设置在源极/漏极外延层上的ESL，从而至少部分地暴露源极/漏极外延层。在暴露的源极/漏极外延层上方形成导电材料。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管-CN201410456678.0在审
发明人：司红康;金一琪 -专利权人：六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管，在所述源漏金属电极层与所述源漏极区域接触的区域引入氢浓度分布。在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。进一步的，在靠近所述沟道区域的所述源漏区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，且在所述源漏金属电极层远离所述源漏区域的一端以及沟道区域内没有引入的氢浓度分布，本发明在不导致氧化物薄膜晶体管性能下降的情况下
一种氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法-CN201510189304.1有效
发明人：刘张李 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法，包括形成绝缘体上硅射频开关器件的基本结构，基本结构包括在有源层中形成的源极区域、栅极区域和漏极区域，其中在栅极区域上形成了栅极氧化层和栅极多晶硅，有源层上覆盖有介质层，在介质层上形成有通过通孔分别与源极区域和漏极区域连接的源极金属布线和漏极金属布线；沉积介质材料并对沉积的介质材料进行平坦化处理，以使得介质层的厚度变大，其中介质材料完全覆盖源极金属布线和漏极金属布线；在介质层中刻蚀出位于源极金属布线和漏极金属布线之间的凹槽；在凹槽中部分地填充介质材料，以便在凹槽中形成被介质材料包围的空隙。
用于绝缘体射频开关器件结构制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201310260564.4有效
发明人：李志隆;施博理 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括栅极，配置于一基板上；栅极绝缘层，配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极；金属氧化物层，配置于所述的栅极绝缘层上，其中所述的金属氧化物层包括源极区、漏极区以及沟道区，且所述沟道区的氧浓度高于所述源极区和漏极区的氧浓度度；蚀刻阻挡层，配置于所述金属氧化物层上方，并包括两个接触孔，分别暴露出源极区和漏极区；以及源极和漏极，分别位于所述金属氧化物层的两侧，并分别透过两个接触孔与源极区和漏极区电连接。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种GaN HEMT器件的制备方法-CN202010393703.0在审
发明人：蒋洋;于洪宇;汪青;范梦雅;何佳琦 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括提供外延基底，外延基底包括衬底以及在衬底上依次层叠设置的沟道层以及势垒层；采用氧化刻蚀工艺图形化势垒层，形成源极欧姆接触凹槽和漏极欧姆接触凹槽；在源极欧姆接触凹槽内形成源极欧姆接触电极，同时在漏极欧姆接触凹槽内形成漏极欧姆接触电极；在势垒层、源极欧姆接触电极以及漏极欧姆接触电极背离衬底一侧形成图形化的钝化层，在钝化层背离外延基底的一侧形成源极、漏极、栅极开孔并沉积金属电极，金属电极包括源极金属电极、漏极金属电极和栅极金属电极。
一种 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管-CN202111176119.0在审
发明人：陈梦;江志雄;杨汉涛;董石宇 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管，包括：提供基板，在所述基板上形成栅极，在所述基板及栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层及金属层；将所述金属层形成为源极及漏极，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及对位于所述源漏极接触区之间的所述有源层进行氧化形成隔绝层。
一种薄膜晶体管制作方法

[发明专利]半导体元件及半导体元件的制造方法-CN201110301069.4无效
发明人：内原士 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，其具备：漏极层；选择性地设于漏极层内的漂移区域；选择性地设于漂移区域内的衬底区域；选择性地设于衬底区域内的源极区域；在源极区域或漏极层的至少一方的内部，选择性地设于源极区域或漏极层的至少一方的第一、第二金属层；在与漏极层的表面大致平行的方向上，从源极区域的一部分贯通与源极区域的至少一部分邻接的衬底区域而到达漂移区域的一部分的沟槽状的栅电极；与第一金属层连接的源电极；以及与漏极层或第二金属层连接的漏电极
半导体元件制造方法

[发明专利]基于倒置工艺的射频功率管及其形成方法-CN201210331121.5有效
发明人：吕宏鸣;肖柯;吴华强;钱鹤;伍晓明 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于倒置工艺的射频功率管及其形成方法，该方法包括：提供衬底；形成过渡层；形成源极连接线、漏极连接线和栅极连接线；在过渡层之上形成层间介质层，层间介质层填充在连接线之间；在层间介质层之上形成金属接触层，金属接触层与连接线相连；刻蚀金属接触层以形成互相平行的N个源极、N个漏极和2N-1个栅极，其中，源栅漏极按照源极-栅极-漏极-栅极的顺序依次相邻排列，N个源极与源极连接线相连，N个漏极与漏极连接线相连，2N-1个栅极与栅极连接线相连；形成栅极介质层；以及形成石墨烯薄膜作为沟道层。本发明的方法采用倒置工艺，易于实现、稳定可靠；本发明的器件具有倒置结构，源漏接触小、栅控能力强。
基于倒置工艺射频功率管及其形成方法

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