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[发明专利]一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法-CN202110965645.9有效
发明人：王文樑;李善杰;李国强;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法，包括HEMT结构，在HEMT结构的源极及漏极外侧分别设置源极垂直金属场板及漏极垂直金属场板，在源极及漏极平行于HEMT外延片的方向分别设置源极平行金属场板及漏极平行金属场板，且源极及漏极分别与各自的垂直金属场板及平行金属场板连接，垂直金属场板与平行金属场板通过SiN层与外延结构隔离，在源极和漏极之间设置制备T型栅极以提高HEMT器件的频率特性。
一种具有新型源漏场板结 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种基于GaN器件的低电阻欧姆接触器件与制备-CN202310254994.9在审
发明人：李国强;李善杰;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN器件的低电阻欧姆接触器件与制备；主要通过离子注入与2DEG连接并激活从而降低欧姆接触电阻，引入离子注入控制层，精确控制离子注入的区域，引入SiN/AlN保护层保护外延结构在高温下的稳定性；其组成包括依次层叠设置的GaN外延结构、离子注入控制层、AlN层、SiN层及欧姆接触合金；所述GaN外延结构需包含AlGaN/GaN异质结构，离子注入区域为欧姆接触下方区域；离子注入控制层在离子注入后去除。本发明制备的基于GaN器件的低电阻欧姆接触具有接触电阻率低、工艺简单、材料损伤小、欧姆接触形貌佳等优势，可有效提升GaN二极管、GaN HEMT器件、GaN MOSFET等器件的性能，适合进行大规模推广应用。
一种基于 gan 器件电阻欧姆接触制备

[发明专利]一种用于海上风电吸力桩基础的高流动性低密度灌浆料-CN202011517965.X有效
发明人：管友海;曲爽;樊长崎;张瀚之;王志成;王劲超;李善杰;王亚龙;王鸿凯 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C04B28/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于海上风电吸力桩基础的高流动性低密度灌浆料，属于灌浆料技术领域。按重量百分比计为，包括：水泥：30～35％，粉煤灰：55～65％，矿粉：5～10％，减水剂：0.2～0.5％；发泡剂：0.1～0.5％；抗分散剂：0.5～1.0％。本发明还提供所述灌浆料的制备方法和应用。本发明利用水泥与粉煤灰为主要材料制备灌浆料，海上风电吸力桩基础需要低密度、高流动性、低泌水的灌浆料，无需使用石英砂等骨料，采用水泥和粉煤灰为胶凝材料，且使用粉煤灰取代大部分水泥，可明显降低灌浆料的成本，并通过添加外加剂实现了高流动性、低泌水这一工程需求，并依据工程沿海施工这一特点，可以直接利用海水进行搅拌胶凝材料，具有显著的经济和环境效应。
一种用于海上吸力桩基础流动性密度灌浆

[实用新型]一种计重式制线控制电子电路板-CN202220852933.3有效
发明人： 李善杰;刘夫江 -专利权人：临沂大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及纺织制线技术领域，具体涉及一种计重式制线控制电子电路板，包括主控板、主控模块、称重模块、电机控制模块、通信模块、微调模块以及灯光提示模块，所述主控板呈现为一块矩形电路板结构，所述主控板上设有主控模块、称重模块、电机控制模块、通信模块、微调模块以及灯光提示模块，所述主控模块、称重模块、电机控制模块、通信模块、微调模块以及灯光提示模块均与主控板电气连接，所述称重模块、电机控制模块、通信模块、微调模块以及灯光提示模块均与主控模块电气连接进行数据交换。本实用新型较好地解决了现有技术中中装置生产质量偏差较大，合格率低以及采用人工导致工作效率较低等问题。
一种计重式制线控制电子电路板

[发明专利]物料周转车-CN202110615747.8在审
发明人：马宝金;卢宏越;张吉诚;时明惠;李善杰 -专利权人：日照魏牌汽车有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B62B3/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种物料周转车，包括行走机构(1)、车架(2)、储料架(3)以及锁止机构(4)，所述行走机构(1)设置于所述车架(2)的底部并能够带动所述车架(2)移动，所述储料架(3)绕枢转轴线可转动地设置于所述车架(2)，所述锁止机构(4)用于在锁止位置和解锁位置切换，以允许或限制所述储料架(3)相对于所述车架(2)的转动。该物料周转车能够解决取料不便和取料占用空间大的技术问题。
物料周转

[发明专利]一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用-CN202211066312.3在审
发明人：王文樑;李善杰;李国强 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用。本发明的N极性GaN基整流芯片的组成包括依次层叠设置的SiC衬底、低温N极性GaN缓冲层、SiN插入层、高温N极性GaN缓冲层、AlGaN势垒层、N极性GaN沟道层和钝化层，还包括欧姆接触阴极、肖特基接触阳极和T型金属电极。本发明的N极性GaN基整流芯片具有频率特性好、势垒层高度小、欧姆接触电阻低、开启电压低等优点，其可以有效提升射频前端整流效率，适合在微波能量传输、探测、通信等领域进行大规模推广应用。
一种极性 gan 整流芯片及其制备方法应用

[实用新型]一种废气处理装置-CN202221926756.5有效
发明人： 李善杰;李杨;张峰;孙剑;高裕弟 -专利权人：昆山梦显电子科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型属于废气处理技术领域，公开了一种废气处理装置。该废气处理装置包括蓄水池、曝气件、进口风机和牵引风机，蓄水池为圆柱状结构，蓄水池包括相互连接的中空锥形体和筒状体，筒状体内设有废气处理液；曝气件设于筒状体内且位于筒状体的底部，曝气件上均匀设有多个曝气孔；进口风机与曝气件通过进气管连通，进口风机的底部高于废气处理液的液面；牵引风机与中空锥形体的小端通过出气管连通。本实用新型提供的废气处理装置，曝气件设于筒状体的底部，且曝气件上均匀设有多个曝气孔，废气经由进气管进入曝气件，通过曝气件上均匀设置的多个曝气孔进入废气处理液中，使废气与废气处理液充分接触，改善了废气处理效果。
一种废气处理装置

[发明专利]一种Mg扩散增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用-CN202210461239.3在审
发明人：李国强;邢志恒;吴能滔;李善杰;罗玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg扩散增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用。本发明的Mg扩散增强型GaN基HEMT器件的组成包括衬底、GaN沟道层、超晶格结构层、P型Mg离子扩散势垒层、SiO2栅绝缘层、源金属电极、漏金属电极和栅金属电极，超晶格结构层由至少2个AlxGa1‑xN层和至少2个AlyGa1‑yN层交替层叠构成，0x≤0.1，0.1≤y1，且x≠y。本发明的Mg扩散增强型GaN基HEMT器件具有栅控能力强、阈值电压高、栅极漏电小等优点，且Mg离子掺杂难度低，适合进行大规模工业化应用。
一种 mg 扩散增强 gan hemt 器件及其制备方法应用

[发明专利]一种HEMT射频器件及其制备方法和应用-CN202210358702.1在审
发明人：李国强;罗玲;邢志恒;吴能滔;李善杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种HEMT射频器件及其制备方法和应用。本发明的HEMT射频器件的组成包括依次层叠设置的衬底、AlN成核层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN沟道层的一面设置有Si3N4钝化层、源TiAl/TiN合金电极、漏TiAl/TiN合金电极和栅金属电极，栅金属电极部分嵌入Si3N4钝化层。本发明的HEMT射频器件具有欧姆接触电阻小、频率和效率高、生产成本低等优点，且其制备过程简单，适合进行大规模工业化应用。
一种 hemt 射频器件及其制备方法应用

[发明专利]一种GaN基双沟道HEMT及其制备方法和应用-CN202210360444.0在审
发明人：李国强;曾凡翊;邢志恒;吴能滔;李善杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基双沟道HEMT及其制备方法和应用。本发明的GaN基双沟道HEMT的组成包括依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN下沟道层、第一AlGaN势垒层、GaN上沟道层、第二AlGaN势垒层、GaN帽层和钝化层，缓冲层同一面的两端分别设置有源极金属电极和漏极金属电极，GaN下沟道层、第一AlGaN势垒层、GaN上沟道层、第二AlGaN势垒层、GaN帽层和钝化层均设置在源极金属电极和漏极金属电极之间，钝化层中还设置有至少部分嵌入钝化层的栅极斜场板和栅漏场板。本发明的GaN基双沟道HEMT的耐压和抗击穿性能强、可靠性高，适合进行大规模推广应用。
一种 gan 沟道 hemt 及其制备方法应用

[发明专利]一种结条氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN202210382319.X在审
发明人：李国强;罗玲;邢志恒;吴能滔;李善杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种结条氮化镓基高电子迁移率晶体管，该晶体管的结构包括衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极、栅极、漏极、钝化层和至少一个P型掺杂AlGaN条。本发明在栅极与漏极之间的非故意掺杂AlGaN势垒层上表面生长P型掺杂AlGaN条，纵向形成的PN结条在器件关态下承受了一部分栅极与漏极之间的电压，降低了栅极靠近漏极一侧的强电场峰值，重新分布了栅极与漏极之间的电场，有效的提升了器件的击穿电压。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

[发明专利]一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法-CN202210252387.4在审
发明人：李国强;李善杰;王文樑;邢志恒 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，包括以下步骤：先在半导体外延片上依次形成第一导电金属层、光刻胶层和第二导电金属层，再进行电子束曝光，再对第二导电金属层进行刻蚀，再对光刻胶层进行显影和定影暴露出栅极凹槽区域，再对栅极凹槽区域进行刻蚀形成栅极凹槽，再剥离光刻胶层后对第一导电金属层进行刻蚀，即可形成百纳米级的栅极凹槽。本发明通过在光刻胶底部及顶部分别溅射薄层导电金属，抑制了电子束光刻过程中的电子临近效应及背散射效应，大幅提升了百纳米级栅极凹槽的刻蚀精度。
一种纳米栅极凹槽刻蚀方法

[发明专利]一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用-CN202210252883.X在审
发明人：李国强;吴能滔;邢志恒;李善杰;罗玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用。本发明的增强型GaN基HEMT器件的组成包括衬底、第一AlN插入层、GaN掺碳缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层、步进式AlGaN势垒层、Mg掺杂步进式AlGaN势垒层、AlN钝化层、漏金属电极、源金属电极、栅金属电极和源场板。本发明的增强型GaN基HEMT器件的阈值电压高、击穿电压高，且其制作难度低、生产效率高、产品良率高，适合进行大规模生产应用。
一种增强 gan hemt 器件及其制备方法应用

[发明专利]一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法-CN202111475724.8在审
发明人：李国强;吴能滔;邢志恒;李善杰;曾凡翊;罗玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法，所述器件包括衬底、第一AlN插入层、GaN缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层、AlGaN势垒层、p‑AlGaN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本发明通过在真空度极高的情况下，采用Mg金属掺杂扩散AlGaN层并形成p‑AlGaN，与未被掺杂的AlGaN层形成p‑n结，耗尽栅下的2DEG，并覆盖一层HfO2来防止金属Mg发生氧化，从而实现了高频、低损耗的增强型射频器件，有利于简化栅驱动电路设计，降低射频集成电路的功耗和射频信号的损耗，同时也起到了安全保护电路的作用。
一种增强 gan hemt 射频器件及其制备方法

[实用新型]一种具有高效自处理的防堵塞的喷涂装置-CN202122997722.7有效
发明人：袁雷豪;韩东涛;王双城;宁俊戟;段晓堂;李善杰 -专利权人：河南省长源建设集团有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B05B15/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有高效自处理的防堵塞的喷涂装置，包括圆柱形料箱、设置在料箱顶部的进料口、设置在料箱侧壁底部的出料口、设置在出料口的扇形护网、设置在料箱底部的搅拌盘及设置在料箱底部用于驱动搅拌盘的驱动电机；所述搅拌盘的直径小于所述料箱的直径，所述搅拌盘上辐射设置搅拌叶，所述搅拌叶端部与料箱侧壁之间有间隙；所述扇形护网正对搅拌盘的一侧为弧形滤板，所述弧形滤板的弧度与所述料箱的弧度相同。本实用新型在正常使用过程中，无需手动清理通过驱动装置带动搅拌盘，沉淀或凝固会自动靠边沉积，实现沉淀和凝固与正常流体的分离，无需在喷涂过程中清洗，可以有效防止喷涂装置的堵塞。
一种具有高效处理堵塞喷涂装置

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