“深腔键合”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3074926个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]OLED面板制作系统、用于形成临时配对单元的装置-CN201810045316.0有效
发明人：孔杰;居宇涵 -专利权人：视涯科技股份有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：一种OLED面板制作系统、用于形成临时配对单元的装置，其中OLED面板制作系统包括若干簇操作腔室，若干传送腔室，若干工艺处理腔室，若干临时键合腔室，若干解键合腔室，其中，每个簇操作腔室与至少一个工艺处理腔室连接；相邻簇操作腔室通过传送腔室连接；每个传送腔室与至少一个临时键合腔室和至少一个解键合腔室连接。本发明的OLED面板制作系统临时键合腔室与工艺处理腔室是分离，提高OLED面板制作系统的工艺适配性能，临时键合腔室通过UV胶实现蒸镀荫罩与基板的键合，从而满足不同材料的蒸镀荫罩与基板的对位键合需求。
oled 面板制作系统用于形成临时配对单元装置

[实用新型]深孔钻枪钻的锁紧装置-CN201420691312.7有效
发明人：黄湘华 -专利权人：苏州瑞恩万登数控机床制造有限公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： B23B41/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及深孔钻床技术领域，尤其涉及一种深孔钻枪钻的锁紧装置。包括导轨、电机、枪钻、筒夹螺母、刀柄、主轴及锁紧机构，所述枪钻通过筒夹螺母与刀柄连接，所述主轴的轴心上设有凸起的键，所述锁紧机构由锁紧器、止位键及定位孔组成，所述定位孔设于锁紧器上，所述止位键一端呈凹状，所述止位键与定位孔间隙配合，所述锁紧器通过螺钉紧固于主轴外端面的指定方位上，所述指定方位上止位键凹状一端可穿过定位孔与键相齿合。本实用新型锁紧机构的设计，利用了钻床上原有键的结构，合理实用，通过止位键与键的齿合，即可将主轴的轴心锁紧，省时省力，且有效避免了现有技术中存在的不良操作。
深孔钻枪钻装置

[发明专利]键合头压力控制装置及控制方法、键合设备-CN201910250302.7有效
发明人：郭耸;朱鸷 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G05D16/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合头压力控制装置及控制方法、键合设备。键合头压力控制装置包括键合头模块、驱动模块及压力检测模块，键合头模块的固定座、光栅读数头及标尺光栅之间构成一气压腔，驱动模块驱动键合头模块沿Z向移动以使吸附组件吸附一芯片并提供键合芯片的键合压力，在键合压力的作用下吸附组件及旋转电机同时背离Z向移动，以使标尺光栅压缩所述气压腔，压力检测模块通过检测所述气压腔内的气压以获取键合压力。本发明利用了光栅读数头和标尺光栅之间的间隙与固定座形成气压腔，通过检测气压腔的压力进行键合压力的获取和控制，不需要在键合头模块内设置压力控制单元，从而减轻了键合头模块的重量，提高了键合的效率和精度。
键合头压力控制装置方法设备

[发明专利]一种单方向发射的电泵浦氮化镓微激光器及其制备方法-CN201410179466.2在审
发明人：朱刚毅;王永进;李欣;施政 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：该方法首先利用在硅基p型氮化镓/量子阱/n型氮化镓材料，利用电子束刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺制备由单根悬臂梁支撑的非对称氮化镓悬空薄膜微腔，在晶片正面蒸镀上Au/Ni电极，在n型氮化镓表面蒸镀Au/Ti，采用超声波键合技术，在电极表面键合引线，最终制备完整的器件。
一种方向发射电泵浦氮化激光器及其制备方法

[发明专利]真空键合装置-CN201810831878.8有效
发明人：宋晨光;王建平;方家恩;吴国庆;朱维南;张旭东;刘泽伟;蒋凡 -专利权人：苏州锐杰微科技集团有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供真空键合装置，包括真空腔室、滑动设置于真空腔室内的键合压盘及固定设置于真空腔室内并位于键合压盘滑动线程内的键合托盘；真空腔室至少包括位于键合压盘一侧第一腔室、位于键合压盘另一侧的第二腔室；真空腔室还配置有用于调节第一腔室与第二腔室相对气压的泵体本发明提供真空键合装置，通过调节第一腔室和第二腔室的压强差，施加键合压力于待键合芯片,具有精确可控的特点，实现各种微电子器件的圆片级或芯片级真空封装。
真空装置

[发明专利]一种晶圆的对准键合方法-CN201810576405.8有效
发明人：潘强;黄志刚;顾佳晔;丁刘胜;李盈 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的对准键合方法，包括：于底晶圆的正面形成保护层；于底晶圆的背面形成具有标记刻蚀窗口的掩膜图形；通过控制深反应离子刻蚀工艺的刻蚀参数，于标记刻蚀窗口内的底晶圆中形成黑硅材料标记，黑硅材料标记用以降低底晶圆对入射光线的反射率；去除保护层及掩膜图形；以黑硅材料标记作为对准光线入射口，采用光学对准工艺将底晶圆与顶晶圆进行对准，并键合底晶圆与顶晶圆。本发明通过控制深反应离子刻蚀工艺的刻蚀参数，在需要键合的晶圆背面制作出容易被对准识别的黑硅材料标记，该黑硅材料标记可以降低所述底晶圆对入射光线的反射率，使得在键合中让顶晶圆和底晶圆更加容易对准，两片晶圆键合更加完美
一种对准方法

[实用新型]真空键合装置-CN201821190146.7有效
发明人：宋晨光;王建平;方家恩;吴国庆;朱维南;张旭东;刘泽伟;蒋凡 -专利权人：成都锐杰微科技有限公司;南通大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供真空键合装置，包括真空腔室、滑动设置于真空腔室内的键合压盘及固定设置于真空腔室内并位于键合压盘滑动线程内的键合托盘；真空腔室至少包括位于键合压盘一侧第一腔室、位于键合压盘另一侧的第二腔室；真空腔室还配置有用于调节第一腔室与第二腔室相对气压的泵体。本实用新型提供真空键合装置，通过调节第一腔室和第二腔室的压强差，施加键合压力于待键合芯片,具有精确可控的特点，实现各种微电子器件的圆片级或芯片级真空封装。
键合压盘真空键合装置第二腔室第一腔室真空腔室本实用新型真空腔室内微电子器件托盘固定设置滑动设置键合芯片键合压力真空封装滑动线可控的芯片级压强差圆片级泵体气压施加配置

[发明专利]一种微同轴键合接口-CN201911416253.6有效
发明人：周彪;王建;许向前;要志宏;史光华;孔令甲;常青松;袁彪;赵正桥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种微同轴键合接口，属于芯片连接结构技术领域，包括外导体、内导体、绝缘板以及支撑体；其中，外导体设有通腔；内导体悬空设置在通腔内，内导体的一端用于与键合芯片通过键合线键合；绝缘板设于通腔内且与内导体的键合端搭接，一端伸出通腔且伸出端与外导体的侧壁固定连接；支撑体设于通腔内且位于绝缘板的正下方，支撑体的顶端支撑于绝缘板的底面。本发明提供的一种微同轴键合接口，绝缘板的正下方设有支撑体，在内导体上进行键合操作时，能够避免因键合下压而造成内导体向下弯折或下坠的问题，确保键合点的结合强度高，从而保证键合质量，确保键合接口的信号传输稳定可靠
一种同轴接口

[发明专利]一种晶圆键合装置、方法及复合衬底组件-CN202310207458.3有效
发明人：母凤文;高智伟 -专利权人：天津中科晶禾电子科技有限责任公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种晶圆键合装置、方法及复合衬底组件。晶圆键合装置包括沉积腔室、抽真空单元、键合腔室、连通机构和压合驱动机构，抽真空单元能对沉积腔室和键合腔室抽真空，沉积腔室内设有用于承托和加热样品的载台组件，供气单元能向沉积腔室供应工艺气体，使样品表面沉积透明且不导电的中间层；连通机构能使键合腔室和沉积腔室相连通，键合腔室内设有承托样品的上、下压头组件，还设有能使样品表面活化的活化组件，压合驱动机构能驱动上、下压头组件压合。晶圆键合装置及方法在样品表面沉积透明且不导电的中间层后再对中间层活化，使样品能够在低温下键合，且不会影响键合后的复合衬底组件的透光性和绝缘性。
一种晶圆键合装置方法复合衬底组件

[实用新型]用于生物传感器电极的生物酶化学键合装置-CN201621223825.0有效
发明人：肖林春;吴伟华 -专利权人：南通九诺医疗科技有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于生物传感器电极的生物酶化学键合装置，包括一可选择性启闭的键合反应腔以及一控制所述键合反应腔内反应温度的温度控制装置，所述键合反应腔提供了一个用于生物酶化学键合的反应场所；还包括一用于安放待处理生物传感器电极的定位架以及一用于盛装反应剂的蒸发槽，所述定位架安放于所述键合反应腔内，所述蒸发槽安放于所述键合反应腔内。
用于生物传感器电极生物酶化学键装置

[发明专利]一种电镀工艺-CN202110309118.2在审
发明人：冯光建;黄雷;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：最后在所述第一TSV盲孔内进行电镀第一TSV铜柱；S2、在第二硅片的表面制作第二TSV盲孔，通过背部减薄和抛光使所述第二TSV盲孔底部露出，在第二硅片的表面进行热氧做TSV内部的第二钝化层；S3、用高温氧氧键合的方式把所述第一硅片和所述第二硅片做键合，在第二硅片上沉积第二种子层，电镀填充第二TSV铜柱，抛光得到超深TSV金属填充的硅片；本发明将两组硅片做永久键合，形成具有一定厚度的TSV的金属的深TSV结构，然后通过二次电镀工艺使深TSV结构填满。
一种电镀工艺

[发明专利]基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法-CN201711498024.4有效
发明人：张明亮;季安;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：并形成感压薄膜；在感压薄膜正面淀积金属催化剂层，在谐振子区域离子注入碳，并促使石墨烯生长；淀积刻蚀金属以形成电学互联；刻蚀介质层，释放形成石墨烯谐振子；制作玻璃封装盖板，将玻璃封装盖板与石墨烯谐振子所在面对准键合；制作玻璃保护板，将玻璃保护板与感压薄膜的背面深腔所在面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。
基于离子注入石墨谐振 mems 压力传感器制备方法

[发明专利]一种数字PCR微腔芯片及制备方法-CN202111645217.4有效
发明人：殷敏;李睿文 -专利权人：臻准生物科技（上海）有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种数字PCR微腔芯片及制备方法，该数字PCR微腔芯片包括：基底、第一键合层以及第二键合层，基底的正面设置有多个微腔结构，基底的背面设有与微腔结构连通的流道，第一键合层与基底的正面键合，第二键合层与基底的背面键合该制备方法，包括如下步骤：在基底的正面进行微腔结构图形光刻；刻蚀出微腔结构；在基底的背面进行流道图形光刻；刻蚀出流道；在基底的正面和背面分别键合第一键合层和第二键合层。本申请通过在基底的双面分别设置微腔结构以及流道，保留了微腔芯片式的优势，液滴分样方便，便于实现高通量自动化数字PCR系统开发；本申请提出的双面刻蚀的工艺既可保证流道和微腔结构的制备精度，而且制备方法简单
一种数字 pcr 芯片制备方法

[发明专利]一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器-CN202210483866.7在审
发明人：焦斌斌;刘瑞文;云世昌;孔延梅;叶雨欣;杜向斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：该加工方法包括提供一个单晶硅晶圆，在单晶硅晶圆上形成深腔，在深腔所在的一侧表面形成第一绝缘层；提供一个SOI晶圆，在SOI晶圆的顶硅层形成四个压敏电阻条以用于形成压敏式压力传感器结构；使四个压敏电阻条和深腔对应，将SOI晶圆的顶硅层和单晶硅晶圆的第一绝缘层键合，深腔被封闭并处于预设压力值；将SOI晶圆的衬底层进行减薄，减薄后，在SOI晶圆衬底层的与压敏电阻条对应的区域进行深硅刻蚀和金属沉积图形化以形成与四个压敏电阻条电连接的第一引线接口
一种传感器组合结构及其加工方法

[发明专利]集成电路用键合铝线极细丝的生产工艺-CN200510014461.5无效
发明人：石海仁 -专利权人：天津世星电子材料有限公司
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： B23P23/04 文献下载
摘要：具体涉及集成电路用键合铝线极细丝的生产工艺，其工艺过程是将含硅1％的铝硅合金盘条经深冷固溶处理、粗拉丝、细拉丝及成品单线退火处理制成理化性能优良的键合铝线。本工艺过程的特征是固溶处理时间很长，并在其后增加了深冷处理，在各道拉拔之间不设退火处理，在成品退火处理时采用管式炉连续退火。经本发明的键合铝线生产工艺生产的极细丝拉制过程中断线率极低，单丝长度均在万米以上，生产率大大提高，由于其优良的理化性能，封装过程中断线率极低，可以满足新型全自动超声焊机12条线/秒的高速要求。
集成电路用键合铝线极细丝生产工艺