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- [发明专利]在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法-CN201511026455.1在审
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柯行飞
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2015-12-31
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2016-04-20
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H01L21/762
- 本发明公开了一种在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法，包括如下步骤：形成沟槽；在沟槽的内部表面形成第一层场氧化硅；形成第二氮化硅层；进行光刻胶涂布并使光刻胶仅覆盖在沟槽底部；进行干法刻蚀工艺将沟槽外部的平台区的第二氮化硅去除；去除光刻胶并进行湿法刻蚀使第二层场氧化硅仅保留于沟槽底部；去除第二氮化硅层；形成第二层场氧化硅，第一和二层场氧化硅叠加后使得沟槽底部的场氧化硅的厚度大于侧面的场氧化硅的厚度。本发明能在沟槽内形成底部场氧化硅厚、侧面场氧化硅薄的场氧化硅结构，不需要增加额外光刻工艺、成本较低，应用于具有屏蔽栅的沟槽栅功率MOS器件的栅极沟槽时能增加栅极沟槽底部的电场强度、提高器件的击穿电压。
- 沟槽内部表面形成氧化方法
- [发明专利]提高轮胎和鞋底性能的方法及据此方法获得的轮胎和鞋底-CN202010978054.0在审
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刘正
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刘正
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2020-09-17
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2020-12-25
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A43B13/22
- 本发明公开了一种提高轮胎和鞋底性能的方法及据此方法获得的轮胎和鞋底，通过在轮胎和鞋底的沟槽内设置低表面能层，沟槽内的低表面能层能够降低沟槽对泥沙、雪的附着力，使得沟槽内的异物容易被甩出，使得轮胎及鞋底在泥沙地及雪地也可以持续保持强的抓地力，防止轮胎及鞋底沟槽因附着泥沙、雪容易打滑的问题；通过在胎冠上均匀地设置第一沟槽，且在第一沟槽的槽壁与槽底设置低表面能层，使得异物不易附着在第一沟槽内，避免车辆行驶至泥沙地、雪地，使得第一沟槽内容易填满异物通过在鞋底上均匀地设置第三沟槽，且在第三沟槽的槽壁与槽底设置低表面能层，使得异物不易附着在第三沟槽内，避免异物填满第三沟槽导致鞋底容易打滑。
- 提高轮胎鞋底性能方法据此获得
- [发明专利]一种功率器件及其制作方法-CN201810782322.4有效
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徐立根
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南京六合科技创业投资发展有限公司
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2018-07-17
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2021-09-21
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H01L23/367
- 本发明提供了一种功率器件及其制作方法，包括：在硅片上表面形成第一沟槽，在所述硅片下表面形成第二沟槽；在所述第一沟槽内形成源极和栅极结构；在所述第二沟槽内形成背面电极；在所述硅片上表面所述第一沟槽两侧形成第三沟槽和第四沟槽，在所述硅片下表面所述第二沟槽两侧形成第五沟槽和第六沟槽；在所述第三沟槽、所述第四沟槽、所述第五沟槽和所述第六沟槽的侧壁和底面形成介质层；在所述第三沟槽、所述第四沟槽、所述第五沟槽和所述第六沟槽内形成第一金属层；在所述正面电极的上表面和所述背面电极的下表面分别形成第一防水层和第二防水层；将所述硅片上表面连接第一散热结构，将所述硅片下表面连接第二散热结构，增加功率器件的热耗散。
- 一种功率器件及其制作方法
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