[发明专利]在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法

摘要

本发明公开了一种在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法，包括如下步骤：形成沟槽；在沟槽的内部表面形成第一层场氧化硅；形成第二氮化硅层；进行光刻胶涂布并使光刻胶仅覆盖在沟槽底部；进行干法刻蚀工艺将沟槽外部的平台区的第二氮化硅去除；去除光刻胶并进行湿法刻蚀使第二层场氧化硅仅保留于沟槽底部；去除第二氮化硅层；形成第二层场氧化硅，第一和二层场氧化硅叠加后使得沟槽底部的场氧化硅的厚度大于侧面的场氧化硅的厚度。本发明能在沟槽内形成底部场氧化硅厚、侧面场氧化硅薄的场氧化硅结构，不需要增加额外光刻工艺、成本较低，应用于具有屏蔽栅的沟槽栅功率MOS器件的栅极沟槽时能增加栅极沟槽底部的电场强度、提高器件的击穿电压。

主权项

一种在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、采用光刻刻蚀工艺在硅衬底上形成沟槽；步骤二、在所述沟槽的底部表面和侧面同时形成第一层场氧化硅；步骤三、形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层形成于所述第一层场氧化硅的表面并延伸到所述沟槽外部的平台区；步骤四、进行光刻胶涂布，通过控制所述光刻胶的厚度使所述光刻胶仅覆盖在所述沟槽底部、而在所述沟槽外部的平台区没有所述光刻胶覆盖；步骤五、采用干法刻蚀工艺对所述第二氮化硅层进行刻蚀，所述干法刻蚀工艺将所述沟槽外部的平台区的所述第二氮化硅去除，位于所述沟槽底部表面的所述第二氮化硅层由于被所述光刻胶覆盖而保留，所述沟槽侧面的所述第二氮化硅层也保留；步骤六、去除所述光刻胶并对所述第一层场氧化硅进行湿法刻蚀，在由所述第二氮化硅层和所述沟槽侧面的硅的自对准定义下，所述湿法刻蚀工艺沿着所述沟槽的顶部往下对所述第一层场氧化硅进行刻蚀，所述湿法刻蚀工艺完成后在所述沟槽底部保留部分所述第一层场氧化硅；步骤七、去除所述第二氮化硅层；步骤八、在底部保留有所述第一层氧化硅的所述沟槽的底部表面和侧面同时形成第二层场氧化硅，所述第一层场氧化硅和所述第二层场氧化硅叠加后使得所述沟槽底部的场氧化硅的厚度大于侧面的场氧化硅的厚度。