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[发明专利]沉积设备及其控制方法-CN201010193925.4有效
发明人：黄珉婷;车裕敏;赵源锡;朴在穆;朴宰完;安宰弘 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-06-01 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括多个反应室的沉积设备及控制该沉积设备的方法。该沉积设备包括：第一室，在沉积主体上沉积第一沉积材料；第二室，在沉积主体上沉积不同的第二沉积材料；第三室，在沉积主体上沉积第一沉积材料；传递室，连接到第一室至第三室，所述传递室将沉积主体传递到第一室至第三室中的至少一个；控制单元，将沉积主体从传递室运输到第一室至第三室中的至少一个。
沉积设备及其控制方法

[实用新型]一种新型热丝化学气相沉积装置-CN202321365424.9有效
发明人：杨作红;郭俊;陈明靖 -专利权人：海南和风佳会电化学工程技术股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及热丝化学气相沉积技术领域，具体是一种新型热丝化学气相沉积装置，其包括沉积室，沉积室的底端固定有进气管，沉积室的顶端固定有出气管，沉积室的内腔固定有上热丝组、下热丝组，沉积室的内腔中部固定有沉积工件，沉积室的侧壁开设有室门通孔，室门通孔通过水平沉积室弧带分为上室门通孔和下室门通孔，沉积室的侧壁上铰接有室门，沉积室的内侧壁涂镀有热辐射反射膜层；沉积工件包括沉积工件I、沉积工件II和沉积工件III，沉积工件I、沉积工件II和沉积工件III均包括水平基圈，水平基圈的内部固定有纵向栅杆；解决了现有的沉积设备在沉积掺硼金刚石薄膜时存在成品质量差、热能利用率低的问题。
一种新型化学沉积装置

[实用新型]一种多腔室沉积金刚石薄膜装置结构-CN201921871793.9有效
发明人：邹杨;孙蕾;邹松东 -专利权人：洛阳奥尔材料科技有限公司
申请日： 2019-11-02 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域，且公开了一种多腔室沉积金刚石薄膜装置结构，包括金刚石薄膜沉积室A，所述金刚石薄膜沉积室A的右侧设置有沉积室B，所述沉积室B的右侧设置有沉积室C，所述沉积室C的右侧设置有沉积室D，所述金刚石薄膜沉积室A、沉积室B、沉积室C和沉积室D内均设置有基片台，每个所述基片台上均设置有加热源，每个所述基片台的上方和下方均设置有加热电极。本方案的真空镀膜的多腔室金刚石薄膜沉积装置结构，通过共用抽气系统、流量计、控制系统等，可以独立或者同时生长金刚石薄膜，并根据需要分时或同时开启A‑D沉积室，从而使金刚石薄膜沉积效率更高、成本更低。
一种多腔室沉积金刚石薄膜装置结构

[发明专利]一种连续沉积金刚石薄膜的方法及其设备-CN202010380075.2在审
发明人：玄真武;李勇;张怡;何敬晖 -专利权人：北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续沉积金刚石薄膜的方法及其设备。包括预沉积室、沉积室、制品待取室及将预沉积室的基片从所述预沉积室依次传输至沉积室、制品待取室的基片传输装置，其中，所述预沉积室、沉积室、制品待取室依次设置且依次连接，预沉积室内充入基片沉积时所需气氛气体，在所述沉积室内当前热丝结构的作用下，依次对进入所述沉积室的多批次基片进行金刚石薄膜沉积，实现了在不更换热丝结构的前提下，多次金刚石膜的沉积，避免了现有技术中由于热丝消耗和中间更换热丝所导致的成本非必要提高问题
一种连续沉积金刚石薄膜方法及其设备

[实用新型]一种连续沉积金刚石薄膜设备-CN202020739466.4有效
发明人：玄真武;李勇;张怡;何敬晖 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种连续沉积金刚石薄膜设备。包括预沉积室、沉积室、制品待取室及将预沉积室的基片从所述预沉积室依次传输至沉积室、制品待取室的基片传输装置，其中，所述预沉积室、沉积室、制品待取室依次设置且依次连接，预沉积室内充入基片沉积时所需气氛气体，在所述沉积室内当前热丝结构的作用下，依次对进入所述沉积室的多批次基片进行金刚石薄膜沉积，实现了在不更换热丝结构的前提下，多次金刚石膜的沉积，避免了现有技术中由于热丝消耗和中间更换热丝所导致的成本非必要提高问题
一种连续沉积金刚石薄膜设备

[实用新型]气相沉积炉-CN201721832487.5有效
发明人：朱文博;银波;范协诚;王文;夏高强;薛明华 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相沉积炉，包括炉体，还包括炉体内设置的：加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物变成气体；沉积腔室，设置于加热腔室上方与加热腔室密封连接，且与加热腔室通过连通通道连通，沉积腔室内设置有可转动的沉积机构，沉积机构用于沉积产物，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛；接收机构，用于接收从沉积机构上落下的沉积产物，连通通道穿过接收机构伸入到沉积腔室。气相沉积炉中的沉积盘可旋转，从而使得沉积机构上沉积的产物均匀分布，提高了沉积产物的一致性。连通通道穿过接收机构伸入到沉积腔室，可以避免现有技术中沉积产物从连通通道与接收机构之间的空隙落入到加热腔室内。
沉积腔室沉积沉积产物加热腔室接收机构连通通道气相沉积炉沉积腔室内伸入反应生成产物本实用新型穿过加热原料开口调节密封连接沉积炉沉积盘加热腔可旋转可转动炉体落下连通开口体内

[发明专利]化学气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法-CN201710889409.7在审
发明人：王文;银波;范协诚;夏高强;薛明华;朱文博;夏进京 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积炉，包括炉体，还包括炉体内设置的：加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物升华；沉积腔室，与加热腔室密封连接，且与加热腔室连通，沉积腔室内设置有可转动的沉积盘，沉积腔室还包括对沉积盘冷却的冷却单元，沉积盘用于沉积产物，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛。本发明中的化学气相沉积炉中的沉积盘可旋转，从而使得沉积盘上沉积的产物均匀分布，提高了沉积产物的一致性，产物具有较高的质量稳定性，满足工业化生产需求。
沉积腔室沉积盘化学气相沉积炉加热腔室沉积产物沉积腔室内反应生成产物质量稳定性加热原料开口调节冷却单元密封连接氧化亚硅可旋转可转动炉体沉积连通冷却开口体内升华生产

[实用新型]等离子体化学气相沉积连续生产装置-CN201020187774.7有效
发明人：杨继泽;刘万学;张兵;宋涛;朱宏伟 -专利权人：吉林庆达新能源电力股份有限公司
申请日： 2010-05-06 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池生产中对太阳能电池进行等离子体化学气相沉积PIN层的设备，具体的说是一种等离子体化学气相沉积连续生产装置。该装置包括自动上下料平台、进片室、加热室、P层沉积室、多个I层的沉积室、N层沉积室、冷却仓、出片室、传动机构、回转台、回转机构、门阀，所述的自动上下料平台设置在本装置的一端，靠近自动上下料平台由左至右依次设置有进片室、加热室、P层沉积室、多个I层的沉积室、N层沉积室、冷却仓、出片室，传动机构设置在由进片室、加热室、P层沉积室、多个I层的沉积室、N层沉积室、冷却仓、出片室构成的连续沉积隧道内，出片室与回转台联通。
等离子体化学沉积连续生产装置

[发明专利]一种真空感应化学气相沉积炉-CN202110372054.0有效
发明人：于方;张建宏;周国达;王姗姗;郭秋艳;孟爽;刘铎;曹月 -专利权人：锦州同创真空冶金科技有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空感应化学气相沉积炉，涉及化工设备技术领域，包括炉体、真空系统和充气系统，所述炉体内设置有加热室，所述加热室外侧设置有感应加热装置，所述加热室内设置有沉积室，所述沉积室与所述充气系统连通，所述加热室与所述炉体之间为真空室，所述加热室和所述真空室分别通过管路与所述真空系统连通。本发明将真空室和沉积室设置成两个相互独立的结构，真空室和沉积室不相通，沉积气体仅通入沉积室，不仅减少了沉积气体的浪费，还便于控制沉积室内沉积气体的压力和密度；真空系统分别对真空室和沉积室进行抽真空，沉积室内排出的污染性废气可以直接排出炉体之外，避免了对真空室的污染和损坏。
一种真空感应化学沉积

[实用新型]一种分流式CVD沉积室-CN202222439790.6有效
发明人：武宏润 -专利权人：沈阳鸿晟恒业科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分流式CVD沉积室，包括固定底座、沉积室防护组件和沉积室炭源气体均匀组件，所述沉积室防护组件包括减震连接盘、减震阻尼器、伸缩减震弹簧、沉积室桶体、沉积室封闭门、固定内圈板、沉积盘连接扣和预制件沉积盘，所述沉积室炭源气体均匀组件包括固定立板、驱动电机、炭源气体风机、炭源气体进气管、连接支撑圈板、电机支撑轴、抽气电机、旋转抽气传动轴和旋转抽气扇叶。本实用新型属于CVD沉积室技术领域，通过减震阻尼器与伸缩减震弹簧可实现对CVD沉积室进行减震保护的目的，通过沉积室防护组件可实现分流沉积效果好的目的，根据沉积室炭源气体均匀组件可实现气体不止存在底层、使得高层也能对预制件均匀的增密的目的
一种分流 cvd 沉积

[实用新型]沉积室衬垫-CN200520008475.1无效
发明人：罗宾·泰诺;恩斯特·凯勒;栗田伸一;约翰·M·怀特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2005-03-28 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种沉积室衬垫，该沉积室用于处理基板，具有底部及侧壁，且被室体盖覆盖以形成封闭空间，该侧壁上的适当位置设置有挂钩，衬垫具有呈矩形封闭外形的框体，覆盖沉积室的侧壁的内表面，该矩形框体具有四个侧边及四个角落
沉积衬垫

[实用新型]井室炉-CN201621067790.6有效
发明人：窦园林;樊乾国 -专利权人：陕西美兰德炭素有限责任公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： F27B1/00 文献下载
摘要：本实用新型井室炉涉及碳碳制品的生产过程中辅助设备领域，具体涉及井室炉，包括炉体，所述炉体内设置有沉积室，炉体底部均布有四个进气管，沉积室均布在炉体内，且其中一个进气管的中心轴线与一沉积室的中心轴线重合，该进气管为第一进气管，该沉积室为第一沉积室，与第一进气管相邻的两进气管均分别位于一沉积室内，所述两进气管分别为第二进气管和第三进气管，与之相对应的沉积室分别为第二沉积室和第三沉积室。本实用新型结构简单，将原有的四沉积室布置的井室炉改为三沉积室布置，其手段是安装或拆卸引气装置以完成三沉积室布置与四沉积室布置的切换，使得其适用于直径690埚帮的生产，提高井室炉的兼容性，提高生产效率。
井室炉

[发明专利]一种沉积设备及其沉积方法-CN202010011427.7在审
发明人：肖守均;林子平;李刘中;安金鑫;张雪 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及显示屏加工技术领域，具体涉及一种沉积设备及其沉积方法，其包括：产品出入口，所述产品出入口用于供产品的进出；溅射沉积室，所述溅射沉积室用于对产品进行溅射沉积；气相沉积室，所述气相沉积室用于对产品进行气相沉积；真空搬运腔，所述真空搬运腔分别于所述溅射沉积室、气相沉积室和产品出入口相连通，所述真空搬运腔中具有真空环境并设有用于将产品在溅射沉积室、气相沉积室和真空大气转换腔之间进行搬运的搬运工具；本发明在溅射沉积室和气相沉积室之间的搬运时间较短
一种沉积设备及其方法

[发明专利]气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法-CN201711420170.5在审
发明人：朱文博;银波;范协诚;王文;夏高强;薛明华 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法，气相沉积炉包括炉体，还包括炉体内设置的：加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物变为气体；沉积腔室，与加热腔室密封连接，且与加热腔室连通，沉积腔室内设置有用于沉积产物的沉积机构，沉积机构为可转动的叶轮机构，沉积机构转动可将沉积于其上的沉积产物甩出，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛；接收机构，用于接收从沉积机构上甩出的沉积产物。本发明中的沉积机构转动可将沉积于其上的沉积产物甩出，大大提高了沉积产物的收集效率，沉积机构自身不断为新生成的沉积产物提供空白的沉积面，从而进一步提高了新生成的沉积产物的沉积效率。
沉积沉积产物沉积腔室加热腔室甩出气相沉积炉机构转动氧化亚硅沉积腔反应生成产物室内沉积效率加热原料接收机构开口调节密封连接收集效率叶轮机构沉积炉可转动炉体连通开口体内生产

[发明专利]一种半导体设备-CN201711266540.4有效
发明人：丁安邦;师帅涛;陈鹏;史小平;傅新宇;李春雷;荣延栋;何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。
一种半导体设备

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