专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]音画同步检测方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202210393914.3在审
  • 李大龙 - 腾讯科技(深圳)有限公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - H04N21/233
  • 本申请涉及一种音画同步检测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。本发明实施例可应用于音视频、云技术、人工智能、智慧交通、辅助驾驶等各种场景。所述方法包括:从目标视频中提取目标图像数据和目标声音数据;基于图像显著性检测模型和声音显著性检测模型对目标图像数据和目标声音数据进行显著性检测,得到目标图像数据中存在显著性特征的图像帧对应的图像显著时间信息和目标声音数据中存在显著性特征的声音帧对应的声音显著时间信息;两个模型的训练样本是成对构造的;基于图像显著时间信息和声音显著时间信息之间的时间差异,确定目标视频对应的音画同步检测结果。采用本方法可提高音画同步检测的准确性和效率。
  • 音画同步检测方法装置计算机设备存储介质
  • [实用新型]一种待刻蚀结构与刻蚀系统-CN202321118822.0有效
  • 李大龙 - 通威微电子有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-10-24 - G03F7/09
  • 本申请提供了一种待刻蚀结构与刻蚀系统,涉及半导体技术领域。该待刻蚀结构包括:衬底;位于衬底背面的抗反射涂层,抗反射涂层的透光率小于衬底的透光率;位于衬底正面的器件层;位于器件层与衬底表面的光刻胶层;其中,当待刻蚀结构处于刻蚀状态时,衬底的背面置于载盘上。本申请提供的待刻蚀结构与刻蚀系统具有器件性能更好的效果。
  • 一种刻蚀结构系统
  • [发明专利]一种家具板材切边设备-CN202311098459.5在审
  • 李大龙;郑亚平;高二宝;周子运;徐鑫;王海 - 合肥志邦家居有限公司
  • 2023-08-29 - 2023-10-20 - B27B5/04
  • 本发明公开了一种家具板材切边设备,包括储存系统和切边系统,切边系统包括加工箱本体,加工箱本体内部开设有加工腔,加工腔底部安装有杂料收集盒,加工腔上端设置有多个安装横板,安装横板两两对称设置,上下两侧的安装横板之间设置有梯形凸台部,多个安装横板配合设置有输送支撑机构,梯形凸台部上设置有切边除尘机构,其中切边除尘机构位于输送支撑机构内部,加工箱本体顶部设置有二次除尘机构,梯形凸台部在远离储存系统一端设置有切面清理机构;采用上述结构能够对板材进行双向斜面切边,并且在切边的过程中除尘提升切边的效果,通过四个切边锯片同步操作,提升切边的效率。
  • 一种家具板材切边设备
  • [发明专利]一种半导体器件结构及其制作方法-CN202310821486.4有效
  • 李大龙;罗鸿;吕方栋 - 通威微电子有限公司
  • 2023-07-06 - 2023-09-26 - H01L29/06
  • 本申请提供了一种半导体器件结构及其制作方法,涉及半导体技术领域。该半导体器件结构包括衬底;位于衬底一侧的外延层;位于外延层表层的主结区与终端区,主结区与终端区相邻;其中,终端区包括沟槽与设置于沟槽内的介质层,沟槽的深度大于主结区的深度,介质层的介电常数小于外延层的介电常数;位于终端区一侧的钝化保护层;位于主结区与钝化保护层一侧的正面金属层;位于衬底远离外延层一侧的背面金属层。本申请提供的半导体器件结构及其制作方法具有提升了器件击穿电压的优点。
  • 一种半导体器件结构及其制作方法
  • [发明专利]一种填埋场防沉降填埋气集气系统施工方法-CN202310733599.9在审
  • 谢鑫;李铁栓;李大龙;薛广如;程功 - 中铁四局集团有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-09-15 - B09B1/00
  • 本发明提供一种填埋场防沉降填埋气集气系统施工方法,包括:步骤S1,对垃圾填埋场进行探测,根据探测结果布置集气井点位;步骤S2,安装预定点位进行集气井钻设,钻设完成后放入排导管;步骤S3,在排导管和集气井直接填埋砾石,并在集气井的井口处填充粘土后夯实;步骤S4,在集气井的孔口处放置扩大孔模板,并布设并联各集气井的连接管,将排导管接入对应的连接管;步骤S5,在扩大孔模板内填充膨润土后夯实,然后进行填埋场封场覆盖,在封场覆盖至扩大孔模板上沿时,吊出扩大孔模板;步骤S6,继续进行封场覆盖,直至覆盖面到达预设标高。竖井内填充砾石,通过碎石消能可吸收部分堆体沉降变形应力,同时均匀传递应力,避免沉降应力损坏排导管。
  • 一种填埋场防沉降填埋气集气系统施工方法
  • [发明专利]一种柔性排水沟施工方法-CN202310733358.4在审
  • 李大龙;黄景新;谢鑫;薛广如;蒋政欣 - 中铁四局集团有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-09-08 - E03F3/04
  • 本发明提供一种柔性排水沟施工方法,包括:步骤S1,根据填埋场内的集气竖井分布设计排水沟走向以及尺寸;步骤S2,通过挖掘机进行排水沟的沟槽基坑开挖,在开挖的沟槽基坑内填充碎石;步骤S3,利用定型挖斗在基坑进行开挖,使碎石定型为沟槽形状;步骤S4,根据沟槽截面形状加工土工格室,将土工格室铺设在沟槽内;步骤S5,在土工格室内填充素砼并抹平;步骤S6,在素砼凝固之前在素砼上表面铺设土工布,并再次浇入素砼后进行素砼养护。基坑内填充碎石,通过碎石应对填埋场沉降应力,避免排水沟损坏,同时排水沟通过土工格室,能够承受一定的变形拉伸应力,在发生沉降时通过变形保持排水沟结构整体稳定性,能够进一步的提高垃圾场的防渗流性能。
  • 一种柔性排水沟施工方法
  • [发明专利]一种二极管器件及其制作方法-CN202311007048.0在审
  • 李大龙;杨光宇;吕方栋 - 通威微电子有限公司
  • 2023-08-11 - 2023-09-08 - H01L29/06
  • 本申请提供了一种二极管器件及其制作方法,涉及半导体技术领域。该二极管器件包括:衬底;位于衬底一侧的外延层;位于外延层表层的终端区与主结区,终端区与主结区相邻;其中,主结区包括间隔设置的第一掺杂区与第二掺杂区,第一掺杂区的深度小于第二掺杂区的深度;位于终端区一侧的钝化保护层;位于主结区一侧的正面金属层;位于衬底远离外延层一侧的背面金属层。本申请提供的一种二极管器件及其制作方法具有抗电磁干扰、振荡、浪涌、电压电流过冲能力更佳,短路耐受能力更强,器件的可靠性更高的效果。
  • 一种二极管器件及其制作方法

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