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[发明专利]在硅衬底上生长III‑V族化合物层的方法-CN201610743770.4在审
发明人：李镇宇;夏兴国;郭浩中 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：硅衬底；氮化铝缓冲层，位于所述硅衬底上；复合缓冲层，位于所述氮化铝缓冲层上，所述复合缓冲层包括多个氮化铝镓子层，其中，每一个氮化铝镓子层都包含AlxGa1‑xN，其中具有0和1之间的对应x值，并且其中，给定氮化铝镓子层的x不大于设置在所述给定氮化铝镓子层和所述氮化铝缓冲层之间的其他氮化铝镓子层的x，其中，最靠近所述氮化铝缓冲层的所述复合缓冲层的氮化铝镓子层的厚度小于复合缓冲层的其余氮化铝镓子层的厚度；以及第一III‑V族化合物块层，位于所述复合缓冲层上方。
衬底生长 iii 化合物方法

[发明专利]氮化铝外延结构，其制备方法以及半导体器件-CN202210145873.6有效
发明人：王国斌;闫其昂 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝外延结构，包括衬底以及生长于衬底上的超晶格缓冲层，所述超晶格缓冲层上具有外延生长的氮化铝外延层；其中，所述超晶格缓冲层包括多个依次叠置的缓冲单元，每个缓冲单元均由氮化硼缓冲层以及氮化铝缓冲层组成；所述超晶格缓冲层的起始层为氮化硼缓冲层，终止层为氮化铝缓冲层。本发明还公开了所述氮化铝外延结构的制备方法以及包含所述氮化铝外延结构的半导体器件。本发明提供的氮化铝外延结构，解决了在异质衬底上生长氮化铝外延层时由于晶格失配而导致的高缺陷密度和晶片开裂等技术问题，并可获得高质量的氮化铝单晶外延层。
氮化外延结构制备方法以及半导体器件

[发明专利]一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件-CN201710175415.6有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲制备方法半导体器件

[实用新型]一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件-CN201720283425.7有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本实用新型提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲半导体器件

[发明专利]氮化物半导体结构-CN201610913019.4在审
发明人：林昆泉;刘进祥;萧佑霖 -专利权人：联钧光电股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体结构，其包括衬底、多重缓冲叠层以及含氮半导体叠层，含氮半导体叠层配置于多重缓冲层上，多重缓冲层配置于衬底以及含氮半导体叠层之间。多重缓冲叠层包括多个含氮半导体复合层，每个多个含氮半导体复合层包括第一氮化铝基层、第二氮化铝基层以及第三氮化铝基层。第二氮化铝基层以及第三氮化铝基层依序叠层于第一氮化铝基层上，且第一氮化铝基层、第二氮化铝基层以及第三氮化铝基层的铝浓度依序递减。
氮化物半导体结构

[发明专利]一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法-CN202310422945.1在审
发明人：常娟雄;王一;杨林安;黄永;卢灏;陈兴;吴勇;王东;韩超;陈财;龚子刚;万坤;董栩婷;邵语嫣;陆俊;薛荣宇;何祺伟;解靖飞;王亦飞;张畅 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿多孔氧化铝掩膜层；在多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层；去除氧化铝掩膜层；在氮化铝填充层内以及氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层。本发明中的方法，将大量位错终止在氮化铝填充层与氮化镓缓冲层的界面处，提高生长于氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层的质量。
一种氮化外延生长方法制备

[发明专利]利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法-CN201210100958.9有效
发明人：李忠辉;彭大青;李亮;董逊;倪金玉;张东国 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法，单晶硅衬底上是高V/III比氮化铝缓冲层；高V/III比氮化铝缓冲层上是低V/III比氮化铝缓冲层；低V/III比氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：单晶硅衬底上制备高V/III比氮化铝缓冲层；在高V/III比氮化铝缓冲层上制备低V/III比氮化铝缓冲层；降至室温取出；在低V/III比氮化铝缓冲层上制备SiC单晶薄膜；在SiC单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜优点：高、低V/III比AlN缓冲层结合有助于缓冲应力；通过AlN缓冲层易制宽禁带单晶薄膜；掺杂形成n或p型SiC单晶薄膜；大尺寸低成本。
利用缓冲制备宽禁带单晶薄膜方法

[发明专利]含氮半导体元件-CN202110745691.8在审
发明人：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上，而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlxGa1‑xN，其中0≦x≦1。第一氮化铝镓缓冲层掺杂有浓度超过5×1017cm‑3的氧与浓度超过5×1017氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlyGa1‑yN，其中0≦y≦1。半导体堆叠层设置于第二氮化铝镓缓冲层上。
半导体元件

[发明专利]含氮半导体元件-CN202110745714.5在审
发明人：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上，而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlxGa1‑xN，其中0≦x≦1。第一氮化铝镓缓冲层掺杂有浓度超过5×1017cm‑3的氧与浓度超过5×1017氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlyGa1‑yN，其中0≦y≦1。半导体堆叠层设置于第二氮化铝镓缓冲层上。
半导体元件

[发明专利]含氮半导体元件-CN201710851654.9有效
发明人：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上，而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlxGa1‑xN，其中0≦x≦1。第一氮化铝镓缓冲层掺杂有浓度超过5×1017cm‑3的氧与浓度超过5×1017氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlyGa1‑yN，其中0≦y≦1。半导体堆叠层设置于第二氮化铝镓缓冲层上。
半导体元件

[实用新型]一种氮化铝模板-CN202123378500.3有效
发明人：蒋国文;徐广源;樊怡翔;常煜鹏;史文剑;李天华;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种氮化铝模板。所述氮化铝模板包括衬底，氮化铝缓冲层，所述氮化铝缓冲层设于所述衬底上；第一氮化铝外延层，设置在所述氮化铝缓冲层上，所述第一氮化铝外延层的上表面设置有多个孔洞；氮化铝覆盖外延单元，覆盖在所述第一氮化铝外延层上，所述氮化铝覆盖外延单元的下表面与所述孔洞贴合，并在所述孔洞处横向聚合。
一种氮化模板

[发明专利]制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构和方法-CN201210100943.2有效
发明人：李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明是制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构及方法，其结构是单晶硅衬底上是低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上是高温氮化铝缓冲层；在高温氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：在单晶硅衬底上制备低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上制备高温氮化铝缓冲层；降至室温取出；在高温氮化铝缓冲层上制备碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜；降至室温取出。优点：通过AlN缓冲层容易制备高质量六方相碳化硅单晶薄膜；低、高温AlN多缓冲层结合使用有助于降低宽禁带单晶薄膜的应力；碳化硅单晶薄膜可通过掺杂形成n或p型；结构简单、工艺可控；表面形貌好；大尺寸低成本
制备尺寸宽禁带单晶薄膜结构方法

[发明专利]具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管及其制作方法-CN202110002232.0有效
发明人：林俊成 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明为一种具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管，主要包括一基板、一氮化铝缓冲层、一氮化铝氧化物薄膜及一发光二极管磊晶结构。氮化铝缓冲层位于基板的一图案化表面上，其中图案化表面包括复数个凸起部及至少一底部。氮化铝氧化物薄膜位于凸起部的氮化铝缓冲层上，而设置在底部的氮化铝缓冲层上则未设置氮化铝氧化物薄膜。发光二极管磊晶结构包括至少一氮化镓化合物结晶，位于氮化铝氧化物薄膜及未设置氮化铝氧化物薄膜的氮化铝缓冲层上，可大幅减少氮化镓化合物结晶的缺陷密度，并有利于提高发光二极管的亮度。
具有氮化氧化物薄膜发光二极管及其制作方法

[实用新型]具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管及具有氮化铝氧化物薄膜的半导体组件-CN202120004049.X有效
发明人：林俊成 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型为一种具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管，主要包括一基板、一氮化铝缓冲层、一氮化铝氧化物薄膜及一发光二极管磊晶结构。氮化铝缓冲层位于基板的一图案化表面上，其中图案化表面包括复数个凸起部及至少一底部。氮化铝氧化物薄膜位于凸起部的氮化铝缓冲层上，而设置在底部的氮化铝缓冲层上则未设置氮化铝氧化物薄膜。发光二极管磊晶结构包括至少一氮化镓化合物结晶，位于氮化铝氧化物薄膜及未设置氮化铝氧化物薄膜的氮化铝缓冲层上，可大幅减少氮化镓化合物结晶的缺陷密度，并有利于提高发光二极管的亮度。
具有氮化氧化物薄膜发光二极管半导体组件

[发明专利]一种紫外线检测装置-CN200510065762.0有效
发明人：徐星全 -专利权人：香港理工大学
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：一种紫外线检测装置，包括如下的结构：一蓝宝石基底层；一高温氮化铝缓冲层，生长在该蓝宝石基底层之上；一中温氮化镓缓冲层，生长在该高温氮化铝缓冲层之上；一氮化镓外延层，沉积在该中温氮化镓缓冲层之上；一肖特基结层，形成在该氮化镓外延层之上；多个电阻触点，也形成在该氮化镓外延层上；该高温氮化铝缓冲层和该中温氮化镓缓冲层形成了双重缓冲层结构，从而提高了该紫外线检测装置的稳定性和耐辐射性。其中该高温氮化铝缓冲层和该中温氮化镓缓冲层由射频等离子体增强分子束磊晶成长技术形成。
一种紫外线检测装置

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