“邢琨”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果28个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件-CN202310405617.0在审
发明人：邢琨;胡君玮;杨波 -专利权人：珠海庞纳微半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件。所述制备方法包括：提供氮化铝基底，所述氮化铝基底包括层叠设置的衬底及具有第一温度的氮化铝层；在所述氮化铝层背离所述衬底的表面设置保护层，所述保护层包括凹陷区及环绕所述凹陷区外周设置的平片区，所述平片区面向所述氮化铝层的表面的均方根粗糙度RMS的范围为：0nm＜RMS≤50nm；以及将氮化铝基底及保护层进行热退火处理，以得到具有第二温度的所述氮化铝薄膜；其中，所述第二温度大于第一温度。所述氮化铝薄膜的制备方法可以制备高晶体质量、低缺陷密度和高表面均匀性的氮化铝薄膜。
一种氮化薄膜制备方法基于器件

[实用新型]外延结构-CN202222331854.0有效
发明人：邢琨;杨波;胡君玮;夏智虎 -专利权人：珠海庞纳微半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供外延结构。其中，所述外延结构包括衬底、以及依次层叠设置于所述衬底一侧的缓冲层与外延层，所述缓冲层的材料为P‑GaN，所述外延层的材料为GaN、或AlN、或InN。本申请设置P‑GaN缓冲层，P‑GaN缓冲层能够促进原子在沿垂直于衬底与外延层的排列方向的表面聚集，从而促使缓冲层和/或外延层优先沿垂直于衬底与外延层的排列方向生长，并抑制缓冲层和/或外延层的纵向生长，从而减少缓冲层和/或外延层的厚度，进而以亚微米厚度的外延层来实现满足器件要求的表面粗糙度和晶体质量，满足外延层厚度受限的特定器件结构需求，并有效提高制备效率，降低生产成本。
外延结构

[发明专利]一种通过F基等离子体处理提升AlGaN/GaN基紫外光电探测器性能的方法-CN202310053859.8在审
发明人：吴春艳;周昆楠;王俊;王秀娟;邢琨 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过F基等离子体处理提升AlGaN/GaN基紫外光电探测器性能的方法，是利用F基等离子体轰击AlGaN/GaN基紫外光电探测器，在AlGaN势垒层引入强电负性的F‑离子，降低二维电子气浓度，实现光电探测器暗电流的降低和光/暗电流比的提升，同时，在沟道上表面形成一薄层绝缘的氟化物，钝化表面缺陷，提升光电探测器的响应速度。本发明为传统宽禁带材料基紫外光电探测器的性能提升提供了一个简单、高效的途径。
一种通过等离子体处理提升 algan gan 紫外光电探测器性能方法

[发明专利]一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件-CN201710175415.6有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲制备方法半导体器件

[实用新型]外延片-CN202222315399.5有效
发明人：邢琨;杨波;解光侠 -专利权人：珠海庞纳微半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供外延片。外延片包括衬底、缓冲层、掩膜层、及外延层。缓冲层设有第二通孔。掩膜层具有多个与第二通孔连通的第一通孔。当外延层位于第二通孔内时，外延层的生长方向垂直于衬底与缓冲层的排列方向；当外延层位于第一通孔内时，外延层的生长方向平行于衬底与缓冲层的排列方向；当外延层位于掩膜层背离衬底一侧时，外延层在平行于及垂直于衬底与缓冲层的排列方向同时生长。本申请通过设置具有第一通孔的掩膜层，及在缓冲层设置连通第一通孔的第二通孔，通过使外延层进行横/纵/横外延，降低了外延层的晶体缺陷密度，提高外延层的晶体质量。
外延

[发明专利]外延结构及其制备方法-CN202211064714.X在审
发明人：邢琨;杨波;胡君玮;夏智虎 -专利权人：珠海庞纳微半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供外延结构及其制备方法。其中，外延结构的制备方法包括：提供衬底。形成位于衬底一侧的缓冲层。形成位于缓冲层背离衬底的一侧的外延层。本申请通过在制备缓冲层和/或外延层的过程中，掺入镁元素和/或锑元素，促进晶体横向生长，减少缓冲层和/或外延层的厚度，以亚微米厚度的外延层来实现满足器件要求的表面粗糙度和晶体质量，满足外延层厚度受限的特定器件结构需求，并有效提高制备效率，降低生产成本。
外延结构及其制备方法

[发明专利]外延结构及其制备方法-CN202211055872.9在审
发明人：邢琨;杨波;解光侠 -专利权人：珠海庞纳微半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供外延结构及其制备方法。外延结构的制备方法包括形成缓冲层、掩膜层、及位于第一通孔与第二通孔内、及位于掩膜层背离衬底一侧的外延层。其中，当外延层位于第二通孔内时，外延层的生长方向垂直于衬底与缓冲层的排列方向，即横向外延。当外延层位于第一通孔内时，外延层的生长方向平行于衬底与缓冲层的排列方向，即纵向外延。当外延层位于掩膜层背离衬底一侧时，外延层在平行及垂直于衬底与缓冲层的两个排列方向同时生长。本申请通过设置具有第一通孔的掩膜层，及在缓冲层设置连通第一通孔的第二通孔，通过使外延层进行横/纵/横外延，降低了外延层的晶体缺陷密度，提高外延层的晶体质量。
外延结构及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其形成方法-CN201910359917.3有效
发明人：纪秉夆;曾颀尧;陈柏松;汪琼;邢琨;冷鑫钰 -专利权人：芜湖德豪润达光电科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其形成方法。一种发光二极管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；制备N型半导体层，覆盖所述第一表面；制备多量子阱结构层，覆盖所述N型半导体层；制备空穴引出结构层，覆盖所述多量子阱结构层，所述空穴引出结构层包括P型氮化铝铟镓层和氮化镁层，所述氮化镁层覆盖所述P型氮化铝铟镓层；制备P型半导体层，覆盖所述空穴引出结构层。该形成方法所形成的发光二极管，有效提高空穴数量和空穴浓度，从而提升电子与空穴的复合几率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管及其形成方法

[发明专利]发光二极管及其形成方法-CN201910359919.2有效
发明人：纪秉夆;曾颀尧;李若雅;邢琨;陈柏松 -专利权人：芜湖德豪润达光电科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其形成方法。一种发光二极管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；制备N型半导体层，覆盖所述第一表面；制备多量子阱结构层，覆盖所述N型半导体层；制备能带扭曲结构层，覆盖所述多量子阱结构层，所述能带扭曲结构层包括层叠设置的铝氮化镓层和P型铝氮化铟层，所述铝氮化镓层设置于所述P型铝氮化铟层和所述多量子阱结构层之间；以及制备P型半导体层，覆盖所述能带扭曲结构层。该形成方法所形成的发光二极管，可以使空穴集中于能带扭曲结构层，从而提升空穴数量，进而提升电子空穴的复合几率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管及其形成方法

[发明专利]鞣花酸及其代谢衍生物尿石素类化合物在制备免疫调节的药物中的应用-CN202110201630.5在审
发明人：张媛;邢琨;李星;申沛鑫;赵莉 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： A61K31/366 文献下载
摘要：本发明属于生物医药技术领域，涉及鞣花酸及其代谢衍生物尿石素类化合物在制备治疗自身免疫疾病及器官/组织移植后免疫排斥的药物中的应用。本发明以涉及自身免疫及免疫调节的经典动物模型——实验性自身免疫性脑脊髓炎、溃疡性结肠炎、皮肤移植为例，从神经功能评分、病灶组织病理改变、炎症因子表达、促炎细胞数量等多方面、多角度实验证明鞣花酸及其代谢衍生物显著减轻了实验性自身免疫性脑脊髓炎疾病程度，抑制炎性细胞向中枢的浸润；显著改善溃疡性结肠炎的病理状态，恢复了结肠长度；并且能够抑制皮肤移植模型中皮片的炎性细胞浸润，上调调节性T细胞比例，增强免疫耐受，具有较高的临床应用价值和开发前景。
鞣花酸及其代谢衍生物尿石素类化合物制备免疫调节药物中的应用

[发明专利]一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法-CN201910280264.X有效
发明人：李桢旻;杜高明;范人士;王晓蕾;邢琨;邓宸 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H04L12/931 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法，其电路包括，一个终级重排序电路和n个次级重排序电路；终级重排序电路设置在片上网络的计算节点与通信节点之间；次级重排序电路设置在片上网络任意两个通信节点之间；终级重排序电路和次级重排序电路均包括：输入缓存模块、重组缓存模块；重组缓存模块是由读取模块、序列生成模块、判断模块、存储模块、直接输出模块和缓存输出模块组成；其中，终级重排序电路还包括：数据包拆包模块。本发明相对于传统排序电路，能够同时排序与输出数据，排序速度快速，功耗较低，片上网络负载均衡。
一种应用于网络级数可变排序电路方法

[发明专利]一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法-CN201710313193.X有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法，所述氮化镓基纳米柱阵列的制备方法包括以下步骤：步骤A：在一衬底上依次形成氮化铝层、氮化镓薄膜层；步骤B：在所述氮化镓薄膜层上镀二氧化硅薄膜层；步骤C：在所述二氧化硅薄膜层上蒸镀0.5‑1.5nm厚度的金层；步骤D：所述金层表面上蒸镀厚度为10‑20nm的镍层，形成金属镍岛结构。本发明利用镍金双膜方法制备出的纳米岛状结构在形状，密度和尺寸上的均匀性要优于利用传统方法制备出的纳米岛，大大提高了相关光电器件的光电效率。在利用氮化镓纳米柱实现MOCVD二次外延生长时，本发明制备的氮化镓基纳米柱阵列可使氮化镓晶体质量大幅提升，进而提高LED等器件的发光效率。
一种氮化纳米阵列制备方法

[发明专利]发光二极管及其形成方法-CN201910359906.5有效
发明人：曾颀尧;李若雅;邢琨;纪秉夆;陈柏松 -专利权人：芜湖德豪润达光电科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其形成方法。一种发光二极管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；制备N型半导体层，覆盖所述第一表面；制备多量子阱结构层，覆盖所述N型半导体层；制备能带扭曲结构层，覆盖所述多量子阱结构层，所述能带扭曲结构层包括P型氮化铝铟镓层、U型氮化铝铟镓层和N型氮化铝铟镓层，所述U型氮化铝铟镓层覆盖所述P型氮化铝铟镓层，所述N型氮化铝铟镓层覆盖所述U型氮化铝铟镓层；以及制备P型半导体层，覆盖所述能带扭曲结构层。该发光二极管可以使空穴集中于能带扭曲结构层，从而提升空穴数量，进而提升电子空穴的复合几率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管及其形成方法

[发明专利]非极性面Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法-CN201811003470.8有效
发明人：邢琨;陈刚毅;王江涛 -专利权人：芜湖德豪润达光电科技有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性面Ⅲ族氮化物外延结构，包括衬底以及外延生长在所述衬底的非极性面上的相互间隔的多个二次外延柱状结构，所述二次外延柱状结构包括沿垂直于所述衬底的所述非极性面方向依次叠加的成核层、第一非极性面Ⅲ族氮化物层、掩膜层以及第二非极性面Ⅲ族氮化物层，所述第一非极性面Ⅲ族氮化物层和所述第二非极性面Ⅲ族氮化物层的外延生长表面为Ⅲ族氮化物的非极性面。本发明还公开了一种非极性面Ⅲ族氮化物外延结构的制备方法。
极性氮化物外延结构及其制备方法

[实用新型]发光二极管-CN201920780532.X有效
发明人：汪琼;曾颀尧;冷鑫钰;纪秉夆;邢琨;陈柏松 -专利权人：芜湖德豪润达光电科技有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光二极管。该发光二极管包括层叠设置的铝氮化铟层、氮化硅层和第二N型氮化镓层。由于氮化硅层成网状结构，因此，层叠于氮化硅层上的第二N型氮化镓层即可通过该网状结构沿发光二极管的层叠方向生长，从而实现第二N型氮化镓层的三维生长。又由于铝氮化铟层的晶格与第一N型氮化镓层和第二N型氮化镓层的晶格相近因此，铝氮化铟层、氮化硅层与第二N型氮化镓层相配合，可以增强所述N型层传导电子的能力，进而增强所述发光二极管的发光效果。
发光二极管氮化硅层氮化铟层网状结构晶格本实用新型层叠方向层叠设置发光效果生长传导三维配合

1
2
下一页»
尾页
共 28 条