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[发明专利]绝缘膜及其制造方法-CN201280049140.7有效
发明人：宫永美纪;粟田英章;冈田浩;栗巢贤一;安东靖典;高桥英治;藤原将喜 -专利权人：住友电气工业株式会社;日新电机株式会社
申请日： 2012-10-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。
绝缘及其制造方法

[发明专利]驻极体和驻极体电容器-CN200480034059.7有效
发明人：山冈彻;小仓洋;三由裕一;佐佐木智幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01G7/02 文献下载
摘要：以覆盖成为驻极体的带电氧化硅膜105的方式，来形成氮化硅膜103及氮化硅膜106。
驻极体电容器

[发明专利]一种定点转移二维材料到超薄低应力氮化硅悬空膜的方法-CN201910842633.X有效
发明人：吴幸;王超伦 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种定点转移二维材料到超薄低应力氮化硅悬空膜的方法，该方法包括：第一步通过湿法刻蚀，将化学气相沉积生长的二维材料从生长衬底转移到空白衬底；第二步借助PVA薄膜和转移台，将空白衬底上特定区域的二维材料，转移到超薄低应力氮化硅悬空膜上。转移过程中通过PVA薄膜和氮化硅悬空膜之间的牛顿环，判断和调节PVA薄膜对氮化硅悬空膜的压力，保证氮化硅悬空膜的密封性和完整性。本发明可以将生长衬底上的二维材料无损的转移到超薄低应力氮化硅悬空膜上；实现特定微区样品的选择性转移，以及精确控制所转移的二维材料在氮化硅悬空膜上的位置；本发明能够降低转移过程对氮化硅悬空膜的污染和机械损伤
一种定点转移二维材料超薄应力氮化悬空方法

[发明专利]一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构-CN202110424217.5在审
发明人：王斌;戴大洲;赵晨;蒋万昌 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，按照包括制绒、扩散、正面重掺杂、臭氧化、背面去PSG、碱抛光、正面氧化、正面沉积氮化硅膜、背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜、背面激光开孔、电极印刷、高温烧结、电注入的工艺步骤进行，背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜是指首先制备多层的氮氧化硅层，然后制备多层的氮化硅层，最后再制备一层氮氧化硅层和一层氮化硅。本发明通过在电池的背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜，有效的提高了氢钝化，太阳能电池的光电转换效率得到了进一步提升，同时设备不需大规模改进。
一种适用于电池背面叠层膜钝化结构

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010788135.4在审
发明人：羽根秀臣;小山峻史;大槻志门;向山廉;吹上纪明;小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
方法装置

[发明专利]一种太阳能单晶PERC电池及其制备方法-CN202011085570.7在审
发明人：郑正明;任永伟;陈建生;李跃 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能单晶PERC电池及其制备方法，所述太阳能单晶PERC电池，包括设有氧化铝膜的单晶硅片，以及位于所述氧化铝膜上的背面膜结构；所述背面膜结构包括位于所述氧化铝膜上的氮氧化硅膜以及位于所述氮氧化硅膜上的氮化硅结构本发明将背面膜由单一氮化硅调整为氮氧化硅和氮化硅的组合，既增加了减反射膜的作用，又能提升钝化效果，同时通过多层不同膜厚、不同折射率的氮化硅的排布叠加，可以降低氮化硅间的间隙，来提升致密度，从而增加可靠性
一种太阳能 perc 电池及其制备方法

[发明专利]一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法-CN202110048262.5在审
发明人：于利学;邹文革;李平齐;王美玲 -专利权人：威海圆环先进陶瓷股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法，包括多层陶瓷、氮化硅陶瓷生坯膜和钨钼浆料，工艺包括高温烧结工艺、多层陶瓷生产工艺、丝网印刷工艺、叠压工艺、切片工艺和生产工艺，器件包括：排胶炉和气氛气压烧结炉，氮化硅陶瓷生坯膜生产工艺包括：氮化硅陶瓷粉、助烧剂氧化钇、粘结剂、流平剂和增塑剂，重量比为氧化钇占总重量的4%～7%、粘结剂占总重量的4%～8%、增塑剂和流平剂占总重量的5%～8%，其余为氮化硅陶瓷粉体，将上述材料混合成生胚膜放入氮气气氛中排胶，制得氮化硅陶瓷生坯膜；本发明一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法具有高温共烧出高热导的金属和氮化硅陶瓷、抗弯强度好的优点。
一种金属氮化陶瓷高温复合方法

[发明专利]一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法-CN202011599178.4在审
发明人：于利学;邹文革;李平齐;王美玲 -专利权人：威海圆环先进陶瓷股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法，包括多层陶瓷、氮化硅陶瓷生坯膜和钨钼浆料，工艺包括高温烧结工艺、多层陶瓷生产工艺、丝网印刷工艺、叠压工艺、切片工艺和生产工艺，器件包括：排胶炉和气氛气压烧结炉，氮化硅陶瓷生坯膜生产工艺包括：氮化硅陶瓷粉、助烧剂氧化钇、粘结剂、流平剂和增塑剂，重量比为氧化钇占总重量的4%～7%、粘结剂占总重量的4%～8%、增塑剂和流平剂占总重量的5%～8%，其余为氮化硅陶瓷粉体，将上述材料混合成生胚膜放入氮气气氛中排胶，制得氮化硅陶瓷生坯膜；本发明一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法具有高温共烧出高热导的金属和氮化硅陶瓷、抗弯强度好的优点。
一种金属氮化陶瓷高温复合方法

[实用新型]氮化硅陶瓷发热体-CN200820003264.2有效
发明人：史晓东 -专利权人：史晓东
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H05B3/10 文献下载
摘要：一种氮化硅陶瓷发热体，它属于电发热技术领域，特别是电热膜做为发热源，陶瓷做为发热载体的发热技术领域，它包括发热源、陶瓷载体以及连接在发热源上的电极，其特征在于所述的发热源为高温电热膜，所述的陶瓷载体为烧结成瓷的氮化硅陶瓷片，所述的氮化硅陶瓷载体包括烧结成瓷的上氮化硅陶瓷片和下氮化硅陶瓷片，所述的高温电热膜印刷在所述的下氮化硅陶瓷片的表面；所述的上氮化硅陶瓷片和印刷有高温电热膜的下氮化硅陶瓷片为一个烧结成为一体的整体结构。
氮化陶瓷发热

[发明专利]氮化硅膜及其制造方法与其制造装置-CN201480063046.6有效
发明人：村上彰一;畑下晶保;高洋志;山胁正也 -专利权人： SPP科技株式会社;大阳日酸株式会社
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明是提供一种将有机硅烷作为原料且经由电浆CVD法形成的氮化硅膜的制造方法，其中相对于硅原子与氮原子含量，能降低碳原子及/或氢原子的含量比，且能提升电气特性等氮化硅膜的品质。本发明之一的氮化硅膜是利用电浆CVD法，借由将有机硅烷以及选自由氢气与氨气所组成的群组的至少一种的添加气体进行电浆化所形成。在此氮化硅膜中的硅原子含量与氮原子含量的总合设为1时，碳原子的含量比未达0.8。此外，在此氮化硅膜中的硅原子含量与氮原子含量的总合设为1时，氢原子的含量比未达0.9。根据该氮化硅膜，由于能使漏电流降低等的特性改善，因而能实现提升具有该氮化硅膜的各种装置的可靠性。
氮化及其制造方法与其装置

[发明专利]制作超高伸张应力膜以及应变硅晶体管的方法-CN200510128854.9有效
发明人：陈能国;蔡腾群;黄建中;陈再富;洪文瀚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明披露一种制作超高伸张应力膜的方法，首先进行等离子体增强化学气相沉积工艺，于衬底的表面上沉积一过渡氮化硅膜，且该过渡氮化硅膜具有一第一氢原子浓度，接着对该过渡氮化硅膜进行UV照射工艺，将该过渡氮化硅膜的第一氢原子浓度降低至一第二氢原子浓度
制作超高伸张应力以及应变晶体管方法

[发明专利]显示装置-CN200680046430.0无效
发明人：今井利明;安部薰;久保田绅治;森川慎一郎;西村贞一郎 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：提供了一种能够通过保护膜来保护发光器件并且能够防止发光器件的性能下降从而维持良好的显示特性的显示装置，所述保护膜具有良好的密封特性以及侧壁阶梯覆盖。包括在基板2上设置的并且通过保护膜4保护的有机电致发光器件3的显示装置1的特征在于，保护膜4由氮化硅膜4a、4b和4c构成，所述氮化硅膜4a、4b和4c是通过使用氨气的化学气相沉积方法以层的方式形成的，高密度氮化硅膜4c被设置在保护膜4的表层中，并且密度低于高密度氮化硅膜4c的低密度氮化硅膜4b被设置在高密度氮化硅膜4c下面。
显示装置

[发明专利]一种应力记忆技术中去除应力氮化硅层的方法-CN202211535729.X在审
发明人：张海欧;王学毅;蔡胜冬;李锋 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种应力记忆技术中去除应力氮化硅层的方法，包括以下步骤：提供具有PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底；在具有PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底上依次形成氧化硅缓冲层和应力氮化硅层以及氧化硅硬掩膜层；于氧化硅硬掩膜层上形成光刻胶层，并选择性刻蚀以显露PMOS区域；去除PMOS区域的氧化硅硬掩膜层；湿法腐蚀工艺去除PMOS区域的应力氮化硅层。在去除PMOS区域的应力氮化硅层之前，在应力氮化硅层上先形成氧化硅硬掩膜层，通过刻蚀工艺将PMOS区域的氧化硅硬掩膜层去除，再使用湿法腐蚀工艺去除PMOS区域显露的应力氮化硅层，这样既不会出现过刻蚀对器件造成的损伤或破坏，也不会出现因刻蚀不足而引起的应力氮化硅层残留，从而提高器件的电学性能。
一种应力记忆技术去除氮化方法

[发明专利]红外传感器件及其制造方法-CN201911416797.2在审
发明人：孙伟;闻永祥;刘琛;逯永建 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种红外传感器件及其制造方法，该红外传感器件包括：衬底，用于制作红外传感器芯片；以及绝缘叠层结构，位于衬底上，作为复合红外吸收层吸收红外波，其中，绝缘叠层结构包括第一氮化硅层、第二氮化硅层以及位于第一氮化硅层与第二氮化硅层之间的氧化硅层该红外传感器件通过氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构制作出了粘附性高、抗腐蚀能力强、重复性好、热导性高的红外吸收膜层。同时氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构及其制造方法成本低、无污染、可作为量产工艺手段。
红外传感器及其制造方法

[实用新型]红外传感器件-CN201922487349.3有效
发明人：孙伟;闻永祥;刘琛;逯永建 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种红外传感器件，该红外传感器件包括：衬底，用于制作红外传感器芯片；以及绝缘叠层结构，位于衬底上，作为复合红外吸收层吸收红外波，其中，绝缘叠层结构包括第一氮化硅层、第二氮化硅层以及位于第一氮化硅层与第二氮化硅层之间的氧化硅层该红外传感器件通过氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构制作出了粘附性高、抗腐蚀能力强、重复性好、热导性高的红外吸收膜层。同时氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构成本低、无污染、可作为量产工艺手段。
红外传感器