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[发明专利]用于形成III族氮化物材料的方法以及通过该方法形成的结构-CN201180056001.2有效
发明人： C·阿里纳;R·T·小伯特伦;E·林多;S·马哈詹;F·孟 -专利权人： SOITEC公司;代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明的实施方案包括使用卤化物气相外延（HVPE）过程形成III族氮化物半导体结构的方法。所述方法包括在非同质生长基材的表面上形成连续的III族氮化物成核层，所述连续的III族氮化物成核层遮盖所述非同质生长基材的上表面。形成连续的III族氮化物成核层可包括形成III族氮化物层以及热处理所述III族氮化物层。该方法还可包括在所述连续的III族氮化物成核层上形成另外的III族氮化物层。
用于形成 iii 氮化物材料方法以及通过结构

[发明专利]在硅基衬底上生长的氮化物外延结构及其生长方法-CN201810554882.4有效
发明人：王玮竹 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供一种在硅基衬底上生长的氮化物外延结构及其生长方法，该方法包括：在硅基衬底表面生长氮化物成核层；在所述氮化物成核层表面生长氮化物缓冲层；以及在所述氮化物缓冲层的表面依次生长预定数量的由氮化物插入层和氮化物缓冲层构成的叠层，所述载气是包含至少两种气体的混合气体，在生长所述氮化物成核层和/或所述氮化物插入层的步骤中，调整所述载气中各气体的组分比例，以控制在所述成核层和/或氮化物插入层表面生成氮化物缓冲层的步骤中在所述氮化物缓冲层中产生的压应力根据该申请，能够得到厚度较厚且晶体质量较高的氮化物外延结构。
衬底生长氮化物外延结构及其方法

[发明专利]一种垂直结构氮化物LED的制备方法-CN200810102801.3无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种垂直结构氮化物LED的制备方法，包括：取一生长氮化物的衬底；在衬底上生长辅助剥离层，该剥离层使得衬底和后续外延材料之间的键合相对较弱；在辅助剥离层上，采用MOCVD方法生长氮化物成核层，保证氮化物的高质量；在氮化物成核层上生长一层氮化镓厚层材料；在氮化镓厚层材料上，采用MOCVD方法生长多量子阱LED结构层，形成氮化物LED的发光层，其中p型氮化物的制备可以通过HVPE来实现；剥离衬底和辅助剥离层以及部分氮化物成核层，得到垂直结构的氮化物LED外延片；在多量子阱LED结构层上制作上电极；在与外延层相连的氮化物成核层下面制作一下电极，完成垂直结构氮化物LED的制备。
一种垂直结构氮化物 led 制备方法

[发明专利]氮化物半导体结构-CN201410552714.3有效
发明人：宣融;胡智威;詹益仁 -专利权人：嘉晶电子股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体结构。氮化物半导体结构包括衬底、碳化硅成核层、复合缓冲层以及氮化物半导体层。碳化硅成核层位于衬底上。复合缓冲层位于碳化硅成核层上。氮化物半导体层位于复合缓冲层上。此外，所述氮化物半导体结构为无氮化铝的半导体结构。
氮化物半导体复合缓冲层成核层碳化硅氮化物半导体层衬底半导体结构氮化铝

[发明专利]Ⅲ族氮化物模板的制备方法-CN202011554983.5有效
发明人：何晨光;张康;吴华龙;贺龙飞;陈志涛;赵维;廖乾光;刘云洲 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种III族氮化物模板的制备方法，包括：在异质衬底上形成混合极性III族氮化物的成核层，成核层中含有N极性III族氮化物和金属极性III族氮化物；在成核层上形成混合极性III族氮化物的生长层，生长层中包含金属极性III族氮化物晶柱和N极性III族氮化物晶柱，且金属极性III族氮化物晶柱高于N极性III族氮化物晶柱；在生长层的金属极性III族氮化物晶柱的上表面通过横向外延形成金属极性III族氮化物的合拢层；形成成核层和生长层的氮源和III族金属源的摩尔比均大于500∶1，形成合拢层的氮源和III族金属源的摩尔比小于500∶1。本申请的方法无需额外增加腐蚀工序就可以在模板中引入微小孔洞，提高了III族氮化物的晶体质量。
氮化物模板制备方法

[发明专利]氮化物高压器件及其制造方法-CN201310049853.X有效
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物高压器件及其制造方法，氮化物高压器件包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；与所述氮化物沟道层相接触的源极和漏极以及位于所述源极和漏极之间的栅极；其中，所述栅极和漏极之间区域下方的氮化物成核层与硅衬底之间设有一个或多个局部空间隔离区域。本发明通过去除栅极和漏极之间氮化物外延层下方的部分硅衬底，将硅衬底与能够承受高电压的氮化物外延层隔离，避免硅衬底可能引起的纵向击穿，从而实现可以耐高击穿电压的器件。
氮化物高压器件及其制造方法

[发明专利]具有夹层结构的厚氮化物半导体结构和制作厚氮化物半导体结构的方法-CN200880007785.8有效
发明人： A·W·萨克斯勒;A·A·小伯克 -专利权人：克里公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的组分渐变层以及组分渐变层上的氮化物半导体材料层。所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个基本弛豫的氮化物夹层。所述基本弛豫的氮化物夹层包括铝和镓并且利用n型掺杂剂进行导电掺杂，并且包括所述多个氮化物夹层的氮化物半导体材料层具有至少大约2.0μm的总厚度。
具有夹层结构氮化物半导体制作方法

[发明专利]用于利用HVPE工艺异质外延沉积III族氮化物半导体材料的改进的模板层-CN201180056302.5有效
发明人： C·阿里纳;R·T·小伯特伦;E·林多;S·马哈詹;I·韩 -专利权人： SOITEC公司;代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法包括在成核HVPE工艺阶段中在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有包括至少一些非晶III族氮化物半导体材料的微结构的成核层。所述成核层可进行退火以在基材表面上形成外延成核材料的晶岛。所述外延成核材料的岛可在聚结HVPE工艺阶段中生长和聚结以形成外延成核材料的成核模板层。所述成核模板层可至少基本上覆盖基材的表面。可在另外的HVPE工艺阶段中在所述外延成核材料的成核模板层上沉积另外的III族氮化物半导体材料。通过这种方法形成包括III族氮化物半导体材料的最终结构和中间结构。
用于利用 hvpe 工艺外延沉积 iii 氮化物半导体材料改进模板

[发明专利]氮化物半导体部件及其制造工艺-CN200780014633.6有效
发明人：阿明·戴德加;阿洛伊斯·克罗斯特 -专利权人：阿祖罗半导体股份公司
申请日： 2007-02-22 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的方法，该方法包括步骤：-制备具有硅表面的衬底；-在所述衬底的硅表面上淀积含有铝的氮化物成核层；-可选的：在所述氮化物成核层上淀积含有铝的氮化物缓冲层；-在所述氮化物成核层或者当存在时在第一氮化物缓冲层上淀积掩模层；-在所述掩模层上淀积含有镓的第一氮化物半导体层，其中，通过这样一种方式淀积所述掩模层，使得在所述第一氮化物半导体层的淀积步骤中，最初分离的微晶在一定的聚合层厚度之上首先共生，并且在垂直于所述生长方向的共生氮化物半导体层的层平面内占据至少0.16μm²的平均表面积。
氮化物半导体部件及其制造工艺

[发明专利]具有夹层结构的厚氮化物半导体结构及其制作方法-CN201110133723.5有效
发明人： A.W.萨克斯勒;A.A.小伯克 -专利权人：克里公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有夹层结构的厚氮化物半导体结构及其制作方法。一种半导体结构，包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的组分渐变层以及组分渐变层上的氮化物半导体材料层。所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个基本弛豫的氮化物夹层。所述基本弛豫的氮化物夹层包括铝和镓并且利用n型掺杂剂进行导电掺杂，并且包括所述多个氮化物夹层的氮化物半导体材料层具有至少大约2.0µm的总厚度。
具有夹层结构氮化物半导体及其制作方法

[发明专利]氮化物半导体结构-CN201210422661.4无效
发明人：胡智威;廖宸梓;方彦翔;宣融 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体结构，所述氮氧化半导体结构包括一硅基板、一成核层、一缓冲层及一氮化物半导体层。成核层设置于硅基板上，成核层包括以立方体晶格排列的一氮化硅碳层（SiCN）。缓冲层设置于成核层上。氮化物半导体层设置于缓冲层上。本发明能减缓氮化物半导体层与硅基板之间因膨胀系数及晶格的差异所造成应力，以降低破裂的状况。同时本发明不需使用晶片贴合与激光剥离等繁琐的工艺，有效提高了大尺寸且表面无破裂的氮化物半导体结构的良率。
氮化物半导体结构

[发明专利]半导体外延结构及其生长方法-CN201210327147.2有效
发明人：程凯 -专利权人：程凯
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法，该半导体外延结构包括：形成于衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层包括第一插入层和位于所述第一插入层上方的第二插入层，所述第一插入层为铝镓氮层，所述第二插入层为氮化硅层。本发明的半导体外延结构会大大降低氮化物的位错密度，提高氮化物的晶体质量。
半导体外延结构及其生长方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法-CN201210327148.7有效
发明人：程凯 -专利权人：程凯
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法，Ⅲ族氮化物半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的宽禁带深能级调制层；位于所述宽禁带深能级调制层上的氮化物沟道层；以及位于所述氮化物沟道层上形成的电极，所述宽禁带深能级调制层由含有深能级缺陷的Ⅲ族氮化物半导体层形成，所述深能级缺陷的浓度为一个常数或者由氮化物缓冲层向氮化物沟道层逐渐减小；所述宽禁带深能级调制层的禁带宽度大于所述氮化物沟道层的禁带宽度本发明通过在氮化物沟道层和氮化物缓冲层中间插入宽禁带深能级调制层，起到控制漏电流，降低电流崩塌效应的作用。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物功率晶体管及其制造方法-CN201310482335.7在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物功率晶体管及其制造方法，该氮化物功率晶体管包括：硅衬底，硅衬底中包括用以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构；位于硅衬底上的氮化物成核层；位于氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；与氮化物沟道层相接触的源极和漏极以及位于所述源极和漏极之间的栅极。通过在氮化物功率晶体管的硅衬底中引入可以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构，使得氮化物功率晶体管可以承受较高的外加电压，提高器件的击穿电压。
氮化物功率晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180005980.2有效
发明人：周以伦;李启珍;邱汉钦;潘秀华 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括衬底、成核层、缓冲层、第一和第二氮化物基半导体层、一对S/D电极和栅电极。成核层设置在基板上。缓冲层包括含有第一元素的III‑V化合物。缓冲层设置在成核层上。缓冲层具有可变浓度的第一元素，其作为缓冲层厚度内的距离的函数递增然后递减。第一氮化物基半导体层设置在缓冲层上。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上并且具有大于第一氮化物基半导体层的带隙的带隙。S/D电极和栅电极设置在第二氮化物基半导体层上方。
半导体器件及其制造方法

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