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[发明专利]检测癌胚抗原的光电化学免疫传感器的制备及应用-CN201710264783.8有效
发明人：杨红梅;张彦;李丽;徐金梦;于京华;葛慎光;颜梅 -专利权人：济南大学
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G01N33/574 文献下载
摘要：在掺杂氟的二氧化锡透明导电玻璃上生长三维分层结构的氧化锌纳米棒‑纳米片，利用其负载大量的锰掺杂的硫化镉量子点和识别癌胚抗原的适配体及与适配体杂交的标记有碲化镉/硒化镉核壳量子点的DNA探针，形成基于氧化锌的多元敏化结构
癌胚抗原适配体免疫传感器光电化学敏化制备空间位阻效应硫化镉量子点透明导电玻璃氧化锌纳米棒核壳量子点特异性识别电极表面二氧化锡分层结构灵敏检测应用研究共轭物解杂交锰掺杂纳米片硒化镉氧化锌种检测碲化镉三维掺杂杂交检测生长脱离应用

[发明专利]一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管-CN202011609538.4在审
发明人：李俊杰;张天朔;郭煜林;童凯 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管，其中，所述复合材料包括氧化锌纳米颗粒以及包覆在所述氧化锌纳米颗粒表面的聚吡咯。本发明所述复合材料中，所述聚吡咯的包覆能有效增加氧化锌纳米颗粒之间的间隔，并钝化氧化锌纳米颗粒的表面，减少氧空位的产生；所述聚吡咯的包覆还能够保护氧化锌纳米颗粒不发生团聚；所述吡咯表面有N，C原子，能有效提供电子传输通路，提高电子传输能力；所述聚吡咯的包覆包覆还能有效隔绝水氧对氧化锌纳米颗粒的侵蚀，相比普通的配体，聚吡咯的致密性更高。
一种复合材料及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]一种氮掺杂碳点@氧化锌微胶囊及其制备方法-CN201910636238.6有效
发明人：鲍艳;闫妍;魏艳敏;马建中;张文博;刘超 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种氮掺杂碳点@氧化锌微胶囊及其制备方法，属于纳米材料领域。首先以分散有氮掺杂碳点的无水乙醇与环己烷为油相、蒸馏水为水相、十二烷基硫酸钠为表面活性剂制备水包油乳状液，然后采用静电吸附与原位沉淀法在乳液滴表面包覆纳米氧化锌，最后将产物离心洗涤，获得以氮掺杂碳点为芯材、纳米氧化锌为壁材的氮掺杂碳点@氧化锌微胶囊。本发明不需要借助热能等辅助条件即可直接将氮掺杂碳点装载在纳米氧化锌中，工艺简单，节能环保，重复性强；且采用本发明制备的氮掺杂碳点@氧化锌微胶囊结构较为规整，且氮掺杂碳点的缓释效果较好。
一种掺杂氧化锌微胶囊及其制备方法

[发明专利]一种凹凸棒土量子点纳米复合荧光材料及其制备方法-CN201010145046.4无效
发明人：王明亮;王芳;董宝利;陈立红 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-04-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C09K11/56 文献下载
摘要：一种凹凸棒土量子点纳米复合荧光材料及其制备方法，该材料包括无机量子点和分散均匀的纳米凹凸棒土，其量子点位于纳米凹凸棒土的孔道内部，所述的无机量子点为氧化锌、硫化锌或硫化镉。，20-80℃下磁力搅拌1-60h，将固体离心后，去离子水清洗，烘干后得凹凸棒土/金属离子，b.取凹凸棒土/金属离子，将其与阴离子源在20-80℃下反应1-60h，将固体离心，洗涤，烘干后得到凹凸棒土量子点纳米复合荧光材料利用本发明制得的凹凸棒土量子点复合材料为尺寸均一的一维纳米材料，兼具量子点的荧光性能和凹凸棒土的水溶性，其荧光来源于孔道内部量子点的本征发光，量子点尺寸可控。
一种凹凸量子纳米复合荧光材料及其制备方法

[发明专利]Ag/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法-CN201110085324.6无效
发明人：李喜峰;王万晶;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ag/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备工艺。本发光二极管包括：在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和Ag/氧化锌基复合电流扩展层、并有n型金属电极(PAD）连接n型氮化镓，p型金属电极（PAD）连接Ag/氧化锌复合透明电流扩展层其制作方法是：缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；Ag/氧化锌复合透明电流扩展层分别依次是利用真空蒸镀或者电子束蒸镀的方法将Ag纳米层蒸镀在p型氮化镓表面，再利用磁控溅射的方法将氧化锌基透明薄膜溅射在Ag纳米层薄膜表面，形成Ag/氧化锌复合透明电流扩展层；利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，退火处理后利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。Ag/氧化锌复合透明电极改善了p型氮化镓与透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和LED芯片的可靠性。
ag 氧化锌复合透明电极发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种CuInS2-CN201911425196.8有效
发明人：黄博;张辉朝 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C09K11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuInS2/ZnS量子点纳米材料的高温制备方法。具体包括以下步骤：(1)制备平均尺寸为2.7nm的CuInS2/ZnS量子点，提纯后溶于十八烯；(2)将氧化锌和油酸在氩气环境下升温至300℃，反应30分钟后降温至60℃，与三正辛胺混合，获得锌前驱溶液；(3)将硫粉与三正辛基磷在氩气环境下超声至溶液澄清，得到硫前驱溶液；(4)取步骤(1)中量子点100nmol，加入三正辛胺，在氩气环境下加热至300℃，稳定3‑4分钟，依次注入步骤(2)中的锌前驱溶液和步骤(3)中的硫前驱溶液，之后每隔1小时重复上述注入过程，总注入次数为4‑5次，得到CuInS2/ZnS量子点纳米材料。
一种 cuins base sub

[发明专利]一种复合光催化剂及其制备方法和应用-CN201510700829.7有效
发明人：王现英;许颖;祝元坤 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合光催化剂及其制备和应用，所述复合光催化剂由金属氧化物与量子点材料复合而成，所述金属氧化物占所述催化剂的质量百分含量为80%～99.99%，所述量子点材料占所述催化剂的质量百分含量为0.01%～20%；所述金属氧化物为氧化锌或氧化钛；所述量子点材料为石墨烯量子点。其制备方法即将金属氧化物和量子点材料依次经搅拌、混合、超声、干燥，即得光催化剂，该光催化剂既能实现对太阳光全波段光的吸收又能提高其光电转化效率，同时还能抑制载流子的复合，全方位提高光催化效率；相比其他类型的光催化剂
一种复合光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]氧化钼-氧化锌紫外光太阳能电池-CN201811087159.6在审
发明人：黄仕华;陆肖励 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钼‑氧化锌紫外光太阳能电池，具有如下的结构：Ag/ITO/MoO₃/ZnO/Al‑ZnO/ITO导电玻璃，其中Al‑ZnO中Al的掺杂质量分数为1.5～2.5％本发明利用非有意掺杂的氧化锌纳米薄膜作为紫外光电池的窗口层，然后以氧化钼作为空穴传输层，以铝掺杂的氧化锌(Al‑ZnO)作为电子传输层，利用磁控溅射生长氧化锌纳米薄膜，在工作气体中加入氢气，氢等离子体会增强氧化锌薄膜的晶化和晶界的钝化，从而提高薄膜的载流子迁移率，增强了纳米晶粒的量子尺寸效应。
紫外光氧化锌氧化钼氧化锌纳米薄膜太阳能电池量子尺寸效应载流子迁移率电子传输层空穴传输层氧化锌薄膜磁控溅射导电玻璃工作气体纳米晶粒氢等离子质量分数氢气掺杂的窗口层铝掺杂钝化晶化晶界薄膜掺杂电池生长

[发明专利]基于能带调制的双重量子点敏化氧化物复合光催化材料-CN201610108827.3有效
发明人：魏志鹏;方铉;李金华;楚学影;苗元华;方芳;李如雪;陈雪;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： B01J27/045 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于能带调制的双重量子点敏化石墨烯/氧化物复合结构光催化材料的制备方法，属于半导体材料光催化领域。本发明在能带调制原理下，利用石墨烯与氧化物形成复合结构，通过能级位置的差别实现复合结构中光生载流子的有效分离，采用窄带隙半导体量子点对氧化锌进行敏化，采用金属量子点对石墨烯进行敏化，在进一步增加光生载流子的分离和传递的同时本发明的优势是在宽的光谱响应范围下，利用双重量子点敏化既可以实现载流子的分离，又能够促进光生电子和空穴的快速传递，减少复合几率。
基于能带调制双重量子点敏化氧化物复合光催化材料

[发明专利]一种纳米氧化锌抗菌防腐涤锦超细纤维及制备工艺-CN202211176020.5有效
发明人：雷太林;许小磊;余三川 -专利权人：宁波三邦超细纤维有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： D02G3/04 文献下载
摘要：本发明涉及涤锦超细纤维及其制备技术领域，具体为一种纳米氧化锌抗菌防腐涤锦超细纤维及制备工艺，包括涤锦纤维、仿冰丝纤维及纳米氧化锌颗粒凝胶液；所述涤锦纤维与仿冰丝纤维加捻的交叉点处浸渍于所述纳米氧化锌颗粒凝胶液，所述涤锦纤维与仿冰丝纤维粘附所述纳米氧化锌颗粒凝胶液后合并形成涤锦复合纤维，利用在涤锦纤维进行复合纤维加工时，在纤维的合并点处设置承载纳米氧化锌颗粒凝胶液的凹槽，使得合并点浸渍在凹槽的纳米氧化锌颗粒凝胶液中，在进行加捻合并之前，使得纳米氧化锌颗粒进入到两组的纤维之间的夹缝内，使得纳米氧化锌颗粒被两组的纤维紧紧的夹紧，保证了复合纤维后的涤锦纤维仍能很好的保证抗菌防腐效果。
一种纳米氧化锌抗菌防腐涤锦超细纤维制备工艺

[发明专利]一种Cd_xZn_1-xS/ZnS三元核壳量子点及其制备方法-CN201010158928.4无效
发明人：常津;郭伟圣;张琦;杨秋花;宫晓群 -专利权人：天津大学
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： C09K11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdxZn1-xS/ZnS(0.51≤x≤0.84)三元核壳量子点及其制备方法。本发明选用氧化镉或者无机镉盐作为镉源，氧化锌或者无机锌盐作为锌源，在一个反应器中一步制备特定摩尔比例组成的Cd、Zn混合前体溶液，同时选用两种不同的溶剂分别溶解S粉制备S前体溶液A和S前体溶液B；将S前体溶液A和S前体溶液B依次注入Cd、Zn混合前体溶液中，反应制得CdxZn1-xS/ZnS三元核壳量子点。本发明合成工艺简单，无需包壳反应前的离心纯化步骤和二次添加锌源的操作，制得的CdxZn1-xS/ZnS三元核壳量子点单分散性好，光化学稳定性强，荧光发射峰在422-493nm之间可控调节，相对于包壳前，荧光发射峰位置无明显偏移，且荧光稳定性和量子效率有明显提高，荧光量子产率达60-80％。
一种 cd sub zn zns 三元量子及其制备方法

[发明专利]一种聚乙烯基耐冲击材料及其制备方法-CN201810586070.8在审
发明人：董礼敏 -专利权人：董礼敏
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：该发明涉及一种聚乙烯基耐冲击材料，包括以下原料组分：改性聚乙烯、改性碳纤维，改性聚乙烯由聚乙烯、改性多孔二氧化钛、量子点二氧化钛、羧甲基纤维素钠和乙醇反应制得，改性多孔二氧化钛由钛酸四丁酯、氢氧化锌、氢氧化钠、乙醇、乙醇胺和硫酸铵反应制得，量子点二氧化钛由钛酸四丁酯、辛醇、十八醇、乙醇和乙醇胺反应制得，改性碳纤维由碳纤维、量子点二氧化钛、丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸甲酯和819光引发剂反应制得。
二氧化钛量子点乙醇多孔二氧化钛改性聚乙烯改性碳纤维耐冲击材料钛酸四丁酯聚乙烯基乙醇胺改性甲基丙烯酸甲酯羧甲基纤维素钠聚乙烯硫酸铵丙烯酸异辛酯抗冲击材料光引发剂氢氧化钠氢氧化锌十八醇碳纤维辛醇制备

[发明专利]LED芯片及制备方法-CN201510831159.2在审
发明人：艾国齐;徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片及制备方法，该LED芯片包括依序设置的衬底、缓冲层、N-GaN层、量子阱层和P-GaN层，LED芯片刻蚀形成台阶露出N-GaN层。P-GaN层上设有氧化铟锡层。氧化铟锡层上设有掺铝氧化锌层，掺铝氧化锌层上和N-GaN层的台阶面上分别设有P电极和N电极。上述LED芯片，氧化铟锡层上设有掺铝氧化锌层，P电极设置在掺铝氧化锌层上，P电极和掺铝氧化锌层之间有非常良好的粘附力，从而可以一定程度上提高金属电极与芯片的粘附力，提高了LED芯片的稳定性和使用寿命。
led 芯片制备方法

[发明专利]一种氮掺杂石墨烯量子点/氧化锌/氮化碳复合可见光催化剂的制备方法及用途-CN201810057075.1在审
发明人：曹煜祺;张慧;谭宇烨 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：一种氮掺杂石墨烯量子点/氧化锌/氮化碳复合可见光催化剂的制备方法，包括以下步骤：1)将氮掺杂石墨烯量子点分散液、氮化碳的前驱体与熔盐混合，研磨均匀后转移至坩埚中；2)将盛有上述混合物的坩埚置于马弗炉中，在空气氛围中煅烧后自然降温至室温；3)将坩埚中的固体混合物用60～90℃的热水洗涤，除去盐后干燥得到氮掺杂石墨烯量子点/氧化锌/氮化碳复合可见光催化剂。
氮掺杂石墨烯氮化碳量子点复合可见光催化剂氧化锌坩埚制备可见光催化剂固体混合物光生载流子可见光分解可见光响应二元复合空气氛围快速迁移热水洗涤自然降温混合物研磨分散液活性氢结晶度马弗炉前驱体水制氢熔盐煅烧

[发明专利]基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法-CN201110199377.0有效
发明人：曾祥斌;姜礼华;张笑;文国知 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池自下而上包括银铝复合背电极、P型单晶硅基片、氮化硅薄膜层、N型非晶硅层、透明导电膜层和银电极。氮化硅薄膜层中含有直径为1～6nm的硅量子点；透明导电膜层为200～300nm的掺铝氧化锌透明导电薄膜。在制绒的P型晶体硅基片上制备一层含有硅量子点的氮化硅层，再沉积一层N型非晶硅层，接着再沉积一层掺铝氧化锌透明导电膜，最后在正反两面分别加上银电极和含有银铝复合电极的铝背表面场。
基于异质结结构量子太阳能电池及其制备方法