“氧化锌量子点”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1940881个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种氧化锌基透明电极结构GaN基LED芯片及其制作方法-CN201610015568.X在审
发明人：裴艳丽;王钢;林家勇 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及氧化锌基透明导电薄膜制备及GaN基LED芯片，属于半导体材料与半导体光电器件技术领域。一种氧化锌基透明电极结构GaN基LED芯片，其中，包括蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓层, 多层量子阱活性发光层、p型GaN层、形成于p型GaN层之上的重掺接触层，形成于重掺接触层之上的氧化锌基透明电极、本发明1)使用廉价的水作为氧化剂，降低MOCVD制备氧化锌基薄膜的沉积温度，节约生产成本，便于大面积生产推广；2)本发明制备的氧化锌透明导电薄膜，与p-GaN形成类外延接触界面，GaN基LED芯片具有低正向工作电压
一种氧化锌透明电极结构 gan led 芯片及其制作方法

[发明专利]氧化锌纳米晶、其制备方法、包含其的纳米晶组合物及量子点发光器件-CN201811168862.X有效
发明人：高远;谢松均;彭军军 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化锌纳米晶、其制备方法、包含其的纳米晶组合物及量子点发光器件。该氧化锌纳米晶包括氧化锌纳米晶本体和包覆在氧化锌纳米晶本体表面的硅氧烷配体，氧化锌纳米晶本体为Y，氧化锌纳米晶选自氧化锌纳米制备方法包含组合量子发光器件

[发明专利]一种小尺寸纳米氧化锌粉末的制备方法-CN201310082222.8有效
发明人：孙少东;杨志懋;张晓哲;宋晓平;孔春才 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：一种小尺寸纳米氧化锌粉末的制备方法，1、利用无水乙醇作溶剂配制二价锌盐的乙醇溶液，记作溶液A；2、利用无水乙醇作溶剂配制NaOH的乙醇溶液，记作溶液B；3、将配置的溶液B逐滴加入到溶液A中，加入的过程中始终保持磁力搅拌，并加热到保温，得到含有氧化锌沉淀的固液混合物；4、将得到的含有氧化锌沉淀的固液混合物分别用去离子水和无水乙醇离心洗涤，然后将离心洗涤后的产物干燥，得到纳米氧化锌粉末；本发明制备方法成本低廉、工序简单且能够制备出尺寸小于10nm的纳米氧化锌粉末，使纳米氧化锌粉末的比表面积增大，具有优异的表面效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应。
一种尺寸纳米氧化锌粉末制备方法

[发明专利]纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管-CN201910762802.9有效
发明人：吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： D01F9/10 文献下载
摘要：本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。本发明所提供的纳米材料的制备方法包括以下步骤：提供锌前驱体、氨基化合物、聚合物和溶剂，将锌前驱体、氨基化合物、聚合物溶解在溶剂中，制备纺丝溶液；将纺丝溶液进行纺丝处理，制备前驱体纤维；在含氧气氛下，将前驱体纤维进行高温烧结处理，获得氨基化氧化锌纳米纤维。通过结合纺丝处理以及在含氧气氛下高温烧结的技术，合成了一种氧化锌纳米纤维，具有纤维细长的特性和交错的形貌，并在合成过程中同步对氧化锌进行表面氨基化修饰改性，大大提升了氧化锌纳米材料的电子传输效率。
纳米材料及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片及其制作方法-CN201610243363.7在审
发明人：裴艳丽;王钢;林家勇 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料与半导体光电器件的技术领域，更具体地，涉及一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片及其制作方法。一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片，其中，包括n型GaAs衬底、其上的GaAs缓冲层、n‑AlAs/AlGaAs布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、AlGaInP多层量子阱发光层、p‑AlGaInP限制层、GaP窗口层、重掺接触层（形成于GaP窗口层之上）、氧化锌基透明电极（形成于重掺接触层之上）、p电极（形成于所述透明电极之上）和n电极（形成于n型GaAs衬底背面）。本发明采用MOCVD技术低温制备氧化锌基透明电极，具有高透过率、高电导率、高结晶质量的特征。
一种氧化锌透明电极结构 algainp led 芯片及其制作方法

[发明专利]铜硫化物/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备方法-CN201310241092.8有效
发明人：张建华;顾文 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用铜硫化物中间薄层来提高氧化锌基LED透明电极与p型氮化镓之间的欧姆接触，与单纯的采用金属作为中间插入层对比，铜硫化物在光透过率方面有明显提高，同时也能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、铜硫化物薄膜、氧化锌基透明电流扩展层、p型金属电极和n型金属电极。利用铜硫化物/氧化锌复合透明电极改善了p型氮化镓与氧化锌透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和LED芯片的可靠性。
硫化物氧化锌复合透明电极发光二极管及其制备方法

[发明专利]以氧化锌制作发光装置的方法-CN200710111305.X有效
发明人：周明奇;吴季珍;徐文庆 -专利权人：周明奇;中美硅晶制品股份有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以氧化锌制作装置的方法，其选择一铝酸锂基板，并在该铝酸锂基板上依序磊晶成长一氧化锌缓冲层及一氮化镓成核层，利用该氧化锌与氮化镓具有相似的纤维锌矿结构，可以获得高质量氮化镓，并以此磊晶后的GaN/ZnO/LiAlO₂结构成长一多重量子井及一第一金属电极层，再蚀刻去除该铝酸锂基板及该氧化锌缓冲层，并在该氮化镓成核层之下方成长一第二金属电极层。藉此，利用单晶薄膜状的氧化锌缓冲层不仅可使氮化镓成核层在铝酸锂基板上成功成长，且可降低氮化镓的缺陷密度，进而达到近似晶格匹配并获得良好的晶体接口质量，以提升发光效率及后续完成的组件性能。
氧化锌制作发光装置方法

[发明专利]一种纳米氧化锌/多孔碳原位复合高容量锂离子电池材料及其制备方法-CN201710589158.0在审
发明人：李峻峰;赵瑞兰;高阳;何欢;刘磊;包珊珊;张佩聪;赖雪飞 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米氧化锌/多孔碳原位复合高容量锂离子电池材料及其制备方法，属于电极材料生产技术领域。以氯化锌和柠檬酸钠为原料，采用沉淀法制得柠檬酸锌前驱体，然后通过直接碳化法得到纳米氧化锌/多孔碳原位复合材料。利用本发明方法制备的纳米氧化锌/多孔碳复合材料，由于柠檬酸锌是由柠檬酸根和锌离子以络合方式形成，锌离子在原位位点上受控生成纳米氧化锌，柠檬酸根分解产生多孔碳材料，最终形成了纳米氧化锌均匀弥散分散于多孔碳，形成具有原位复合结构的纳米氧化锌/多孔碳原位复合材料。本发明可以有效地解决氧化锌体积效应、导电率低导致的容量衰减问题，使得高比容量、良好的循环和倍率性能得以实现。
一种纳米氧化锌多孔原位复合容量锂离子电池材料及其制备方法

[发明专利]氧化锌量子光源及其制备方法-CN201810100060.9在审
发明人：侯尧楠;梅增霞;梁会力;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化锌量子光源，包括：衬底层、所述衬底层之上的掺杂ZnO层和分散在所述掺杂ZnO层之上的Ag、Au或Al金属纳米球，其中，所述掺杂ZnO层中的掺杂元素为III族元素或V族元素中的一种或多种本发明的氧化锌量子光源利用掺杂引起的复合缺陷来和金属纳米结构的表面等离激元进行耦合，大大提高光源的增益和稳定性。
量子光源掺杂氧化锌金属纳米球衬底层表面等离激元金属纳米结构掺杂元素复合缺陷耦合制备光源

[发明专利]一种吸油脱色过滤袋及其制备方法-CN202110793532.5在审
发明人：李晓云;陈明惠;李丽坤;张蓉 -专利权人：武汉钜能科技有限责任公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B01D29/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种吸油脱色过滤袋及其制备方法，包括制备吡咯基聚苯乙烯、制备吡咯基聚苯乙烯包覆纳米二氧化硅、制备氮掺杂多孔碳、制备氮掺杂多孔碳负载绒球氧化锌以及吸油脱色过滤袋5个步骤，本发明制备的复合材料中的多孔碳与氧化锌之间能发生协同作用，提升了材料的吸附性能，其中氧化锌负载在氮掺杂多孔碳上，多孔碳不仅为氧化锌提供了生长位点，同时限制了氧化锌的生长粒径，使得氧化锌的粒径更小，而更小的氧化锌具有更大的比表面积，提升了氧化锌的光催化效率，可应用于降解有机物中的有色颜料分子
一种脱色过滤及其制备方法

[发明专利]一种纳米氧化锌接枝聚苯乙烯复合泡沫板材料和制法-CN202111597908.1在审
发明人：陆运军;杨昌益;周文生 -专利权人：湖南绿舟新型材料科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C08J9/228 文献下载
摘要：本发明涉及聚合物材料技术领域，且公开了一种纳米氧化锌接枝聚苯乙烯复合泡沫板材料，氧化锌具有宽的禁带宽度，高激子束缚能，对紫外线屏蔽的波段长，能够透过可见光，合成的刺球状的纳米氧化锌，具有大的比表面积，能够更好的提供光化学活性位点用于接枝到聚苯乙烯上，在苯乙烯聚合过程中，均匀的分散在聚苯乙烯表面，有效避免了纳米粒子氧化锌的团聚，有效提高其抗紫外性能，同时由于纳米氧化锌的粒径很小，具有很高的表面活性，对聚苯乙烯的分子链有着强烈的吸附作用，使得氧化锌在聚合物基体中起着一定的化学交联点的作用
一种纳米氧化锌接枝聚苯乙烯复合泡沫板材料制法

[发明专利]或非门逻辑电路及其形成方法-CN200810227463.6有效
发明人：徐静波;张海英 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-11-25 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：该或非门逻辑电路，包括：两个输入端，分别用于接收输入电压信号；两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极分别耦接至两个输入端，其源电极分别耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电极、其源电极、以及两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号。本发明利用氧化锌纳米线材料和氧化锌纳米线场效应晶体管制作技术以及互连技术，实现基于氧化锌纳米线场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑的或非门逻辑电路。
非门逻辑电路及其形成方法

[发明专利]基于量子点复合材料的室温NO2-CN202011532620.1有效
发明人：刘凤敏;李月月;卢革宇;孙思琦 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种基于ZnO微球与CsPbBr3量子点异质结构复合材料的室温NO2传感器及其制备方法，属于半导体氧化物气体传感器技术领域由带有金属叉指电极的陶瓷片衬底和涂覆在金属叉指电极上的ZnO微球与CsPbBr3量子点异质结构复合材料敏感层组成。氧化锌形貌为球体结构，具有较大的比表面积，能提供较多的附着位点，从而与尺寸较小的钙钛矿CsPbBr3量子点充分接触，从而获得具有较好气敏响应、较快响应恢复速度的气敏元件此外，CsPbBr3量子点作为极佳的光电材料，能吸收可见光，从而提供更多的光生载流子。本发明所述传感器采用平面式结构，工艺简单，制作周期短，适于大批量生产。
基于量子复合材料室温 no base sub

[发明专利]一种铝掺杂氧化锌纳米棒修饰聚苯胺的气敏材料及其制法-CN202011471011.X在审
发明人：俞中毅 -专利权人：桐乡市昇盛智能设备科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气敏材料技术领域，且公开了一种铝掺杂氧化锌纳米棒修饰聚苯胺的气敏材料，一步水热得到铝掺杂氧化锌纳米棒，具有超高的比表面积，铝元素掺入氧化锌晶格，使其缺陷增多，暴露更多的活性位点，降低氧化锌工作温度，制备羧基化铝掺杂氧化锌纳米棒，置于硫酸溶液中，水解产生COO‑，再加入聚苯胺，代替COOH中的H，二者共价接枝，均匀分散，进一步提高比表面积，加快气体的扩散速度，提高响应和恢复性能，在紫外光照射下，空穴从氧化锌的价带迁移到聚苯胺的价带上，光生电子和空穴有效分离，降低光生电子‑空穴复合率，使得铝掺杂氧化锌纳米棒修饰聚苯胺气敏材料具有优异的室温乙醇气敏性能。
一种掺杂氧化锌纳米修饰苯胺材料及其制法

[发明专利]或门逻辑电路及其形成方法-CN200810227462.1有效
发明人：徐静波;张海英 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-11-25 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：该或门逻辑电路，包括第一输入端，接收第一输入电压信号；第二输入端，接收第二输入电压信号；第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述第一输入端；第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述第二输入端；第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极与第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接至电压源；这两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的源电极耦接于一点，该点通过一电阻耦接至接地点，同时以该点作为输出端本发明实现基于氧化锌纳米线场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑的或门逻辑电路。
逻辑电路及其形成方法