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[发明专利]一种金催化葡萄糖氧化制葡萄糖酸及盐中的方法-CN201611127088.9有效
发明人：黄家辉;张军营;洪峰 -专利权人：中科院大连化物所盘锦产业技术研究院有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C07C51/235 文献下载
摘要：本发明提供了一种负载型金催化剂催化氧化葡萄糖制备葡萄糖酸及盐的方法。其催化剂为活性碳，金属氧化物等载体负载的金催化剂。该方法在纳米金催化氧化葡萄糖反应过程中，通过加入少量的H2O2,叔丁基过氧化氢(TBHP)，异丙苯过氧化氢(CHPO)等引发剂的方式，极大提高了葡萄糖氧化反应的效率，降低了催化剂用量。其催化反应条件为：葡萄糖溶液浓度为1％～30％，葡萄糖与金催化剂的摩尔比为200～10000，反应温度30～80℃,以氧气或者空气作为氧化剂。
一种催化葡萄糖氧化中的方法

[发明专利]一种钯催化剂催化氧化葡萄糖制葡萄糖酸及盐的方法-CN201611127090.6有效
发明人：黄家辉;张军营;洪峰 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C07C51/235 文献下载
摘要：本发明提供了一种负载型钯催化剂催化氧化葡萄糖制备葡萄糖酸及盐的方法。其催化剂为活性碳，金属氧化物等载体负载的钯催化剂。该方法在纳米钯催化氧化葡萄糖反应过程中，通过加入少量的H2O2,叔丁基过氧化氢(TBHP)，异丙苯过氧化氢(CHPO)等引发剂的方式，极大提高了葡萄糖氧化反应的效率，降低了催化剂用量。其催化反应条件为：葡萄糖溶液浓度为1％～30％，葡萄糖与金催化剂的摩尔比为200～10000，反应温度30～80℃,以氧气或者空气作为氧化剂。
一种催化剂催化氧化葡萄糖方法

[发明专利]回收铝镁制备高纯复合阻燃剂的方法-CN201611218277.7有效
发明人：许开华;张云河;盛广宏;郭苗苗 -专利权人：荆门市格林美新材料有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C09K21/02 文献下载
摘要：本发明属于资源循环利用领域，涉及一种从重金属污泥中回收提取镁，精制，从废镍催化剂中回收铝盐，然后通过在反应体系中添加氢氧化铝晶核来抑制均相成核，使新生成的氢氧化镁以非均相沉淀的方式包覆在氢氧化铝表面。制备出较高初始分解温度的氢氧化镁，氢氧化铝复合阻燃剂。本发明有效实现了重金属污泥中有价金属镁的综合回收，同时保证贵金属钴镍的高回收率。产品纯度≥99.2%，SEM结果表明氢氧化镁与氢氧化铝混合颗粒为六方片状，具有规则的形貌，分散好，团聚少，初始热分解温度达到270℃以上，是一种性能优良的阻燃剂。
氢氧化铝氢氧化镁复合阻燃剂回收制备形貌资源循环利用非均相沉淀重金属污泥贵金属产品纯度高回收率混合颗粒金属污泥六方片状有价金属有效实现综合回收热分解阻燃剂包覆废镍高纯晶核铝镁铝盐钴镍催化剂精制团聚分解保证

[发明专利]一种双极性双稳态忆阻器及其制备方法-CN201810122783.9有效
发明人：姜超;余延涛;黄小忠;王春齐;岳建岭;杜作娟;蒋礼 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜
忆阻器二氧化钛纳米线二氧化钛薄膜阻态转变双极性双稳态电极制备二氧化钛纳米线阵列高密度存储金属上电极纳米线阵列密度特性漏电流纳米线下电极功耗响应

[发明专利]一种用于保湿乳液的多酚类抗氧化剂-CN201810138306.1有效
发明人：任磊 -专利权人：配方化妆品科技（广州）有限公司
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于保湿乳液的多酚类抗氧化剂，该多酚类抗氧化剂如式5所示，所述的多酚类抗氧化剂的制备方法为：(1)亚胺中间体的合成：在反应管中加入式1结构的对羟基苯胺、式2结构的3,5二羟基苄醇、催化体系和溶剂，充氧，关闭阀门密封，将反应管放入搅拌油浴锅中，加热搅拌反应一段时间即得到式3结构的亚胺中间体；(2)多酚类抗氧化剂的合成：降温，打开反应管阀门，加入路易斯酸，加热活化，接着加入式4结构的烯醇醚类底物进行成环反应，最后加入氧化剂进行氧化，反应结束后除去溶剂，经分离提纯即得到式5结构的多酚类抗氧化剂。
一种用于保湿乳液多酚类抗氧化剂

[发明专利]一种具有异质结界面效应的金属氧化物@金属复合物/石墨烯核壳半导体材料的制备方法-CN201810180197.X有效
发明人：白晋涛;陈凯;王惠;刘肖杰 -专利权人：西北大学
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种具有异质结界面效应的金属氧化物@金属复合物/石墨烯核壳半导体材料的制备方法，它涉及一种金属氧化物/石墨烯的制备方法。方法：一、制备金属氧化物纳米球；二、制备金属氧化物/石墨烯复合材料；三、煅烧，得到具有异质结界面效应的金属氧化物@金属复合物/石墨烯。本发明制备的具有异质结界面效应的金属氧化物@金属复合物/石墨烯核壳半导体材料作为锂离子电池负极材料应用。本发明可获得一种具有异质结界面效应的金属氧化物@金属复合物/石墨烯。
一种具有异质结界面效应金属氧化物复合物石墨烯核壳半导体材料制备方法

[发明专利]在导线间形成空气间隙的方法-CN201410503278.0有效
发明人：陈品杉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：接着，共形地形成覆盖光刻胶与多晶硅超薄衬层的表面的氧化层，并非等向性蚀刻所述氧化层，以于光刻胶上方的导线结构侧壁形成氧化物间隙壁。之后，移除所述光刻胶，以露出沟道内的多晶硅超薄衬层，并以所述氧化物间隙壁为罩幕，去除暴露出的多晶硅超薄衬层。然后，移除氧化物间隙壁，再氧化剩余多晶硅超薄衬层，使其转变为氧化硅层并封闭所述沟道的上部。
衬层导线结构多晶硅光刻胶氧化物间隙壁沟道氮化硅衬层空气间隙氧化层移除等向性蚀刻剩余多晶硅表面形成氧化硅层再氧化侧壁顶面覆盖共形基板去除封闭暴露

[发明专利]发光陶瓷结构及其制备方法、相关发光装置和投影装置-CN201611053227.8有效
发明人：田梓峰;胡飞;许颜正 -专利权人：深圳光峰科技股份有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： F21K9/68 文献下载
摘要：本发明的发光陶瓷结构，包括依次层叠结合在一起的发光陶瓷层、多孔陶瓷反射层和氮化铝陶瓷散热基板；其中多孔陶瓷反射层为掺杂氧化锌和/或氧化镁的氧化铝多孔陶瓷，掺杂的氧化锌和/或氧化镁用于与陶瓷散热基板结合，并且掺杂的氧化锌和/或氧化镁至少部分以ZnxAlyO和/或MgxAl
发光陶瓷结构及其制备方法相关装置投影

[发明专利]一种用于生物质水解制备乙酰丙酸的固体酸催化剂-CN201711292789.2有效
发明人：雷廷宙;徐海燕;林鹿;何晓峰;关倩;朱金陵;杨延涛;陈高峰;李学琴;吴艺峰;郜毅;于显敬 -专利权人：河南省科学院能源研究所有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： B01J29/076 文献下载
摘要：该催化剂由活性组分、助剂和载体组成，所述活性组分为硫酸化的氧化锆，助剂为氧化镧和/或氧化钼，载体为多孔氧化物分子筛；以重量含量计，该催化剂组成为：5~20%的硫酸根，3~30%的氧化锆，不超过10%的氧化镧，不超过10%的氧化钼，其它为载体。
一种用于生物水解制备乙酰丙酸固体催化剂

[发明专利]半导体芯片的金属连线制作方法-CN201711426343.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体芯片的金属连线制作方法，包括：在半导体衬底表面形成二氧化硅层；将所述二氧化硅层刻蚀为具有梯形剖面的二氧化硅台阶；在所述半导体衬底表面形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述具有梯形剖面的二氧化硅台阶；去除所述二氧化硅台阶以在所述氮化硅层形成梯形槽，其中所述半导体衬底表面保留的氮化硅层具有倒梯形结构；利用所述具有倒梯形结构的氮化硅层进行金属层生长，其中位于所述梯形槽的金属层作为所述半导体衬底表面的金属连线；在所述梯形槽填充二氧化硅介质层，所述二氧化硅介质层覆盖所述半导体衬底表面的金属连线。
半导体芯片金属连线制作方法

[发明专利]钛精矿与钒铁精矿混合精矿酸性氧化球团及其制备方法-CN201810224513.9有效
发明人：杨绍利;廖鑫;马兰;李俊翰 -专利权人：攀枝花学院
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C22B1/244 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛精矿与钒铁精矿混合精矿酸性氧化球团及其制备方法，属于冶金领域。一种钛精矿与钒铁精矿混合精矿酸性氧化球团的制备方法，该方法包括以下步骤：将钛精矿、钒铁精矿和有机粘结剂，混合均匀后，经造球、干燥、氧化焙烧、冷却，得钛精矿与钒铁精矿混合精矿酸性氧化球团。本发明同时利用了微细粒级钛精矿和钒铁精矿，并外配入有机粘结剂用于造球，在高温氧化气氛下焙烧制备酸性氧化球团，通过对各物料配比和造球、干燥、焙烧工艺的控制，使脱硫率达95％以上，钛精矿与钒铁精矿混合精矿酸性氧化球团的抗压强度
精矿混合酸性氧化及其制备方法

[发明专利]使用挤出机的过氧化物反应方法及装置-CN201580081331.5有效
发明人：石川诚;高本诚二;矢田恭平;妹尾光弘 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C08F8/50 文献下载
摘要：本发明使导入至料筒内的过氧化物的反应效率与以往相比得以提高。本发明的使用挤出机的过氧化物反应方法及装置为以下述方式而成的构成和方法：在将合成树脂、天然树脂、弹性体等原料(20)及过氧化物(50或50A)导入挤出机(2)的料筒(1)并使原料(20)及过氧化物(50或50A)在料筒(1)内反应的方法及装置中，由原料供给料斗(30)导入原料(20)，由比原料供给料斗(30)更下游导入过氧化物(50或50A)，并将过氧化物导入部(31A、32A、33A)的原料(20)温度调节为比过氧化物(50、50A)的1分钟半衰期温度低的温度。
使用挤出机过氧化物反应方法装置

[发明专利]一种用于尺寸缩减NORFlash单元工艺集成方法-CN201711176780.5有效
发明人：田志;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提出一种用于尺寸缩减NORFlash单元工艺集成方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构，在沟槽中沉积氧化硅隔离层，并在上述结构上沉积衬垫氧化硅层；刻蚀去除部分衬垫氧化硅层，同时刻蚀去除部分浅沟槽隔离区的氧化硅隔离层；在上述结构上沉积氮化硅层，并对所述氮化硅层进行刻蚀，形成侧壁氮化硅层；刻蚀去除剩余的衬垫氧化硅层，之后刻蚀去除所述侧壁氮化硅层；在上述结构上沉积隧穿氧化硅层和浮栅极多晶硅层并进行化学机械研磨处理；刻蚀去除部分浅沟槽隔离区的氧化硅隔离层
一种用于尺寸缩减 norflash 单元工艺集成方法

[发明专利]一种氧化镁水热制备氢氧化镁纳米薄膜的方法-CN201710662513.2有效
发明人：马玉新;白丽梅;李萌;赵文青;孙志雅 -专利权人：华北理工大学
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：一种氧化镁水热制备氢氧化镁纳米薄膜的方法，属于无机材料制备技术领域。本发明以活性氧化镁为原料，将氧化镁用蒸馏水配制成一定初始固体含量的悬浮液，往氧化镁悬浮液中加入晶型控制剂，在水热条件下，反应0.5‑5h后，抽滤、洗涤、烘干，得到均匀分布，高透明度的氢氧化镁纳米薄膜。利用本发明制备的氢氧化镁纳米薄膜分布均匀，透明度高，可应用于生产太阳电池、复合膜、高性能无机分子筛膜、阻燃添加剂、食品保鲜剂、磁性材料加工、重金属脱除剂等工业领域。
一种氧化镁制备氢氧化镁纳米薄膜方法

[发明专利]一种在铜基材料表面原位生长针状氢氧化铜的方法-CN201711146241.7有效
发明人：陈新华;张万强;陈峥;王豫宁;李大鹏;党博文;刘晓亭;吴茹梦 -专利权人：许昌学院
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在铜基材料表面原位生长针状氢氧化铜的方法，所述针状氢氧化铜长度为3～20μm，根部直径0.1～1μm，尖头直径0.01～0.8μm。其是采用浓度递减溶液氧化法制备得到，所述的浓度递减溶液氧化法是将铜基材料置于氢氧化钠和过硫酸铵的混合溶液中反应，然后根据需要重复置于或不置于浓度逐渐递减的氢氧化钠和过硫酸铵的混合溶液中反应，最后置于浓度进一步减小的氢氧化钠和过硫酸铵的混合溶液中或水中反应制备
一种基材表面原位生长针状氢氧化方法