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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]六氟铁酸锂与碳纳米管复合材料的制备方法-CN201610581386.9有效
发明人：史月丽;孙淑彬;刘静静;庄全超;崔永莉;鞠治成 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：一种六氟铁酸锂与碳纳米管复合材料的制备方法，将20克的九水硝酸铁溶于200毫升的去离子水中，加入5毫克十六烷基三甲基溴化铵，持续搅拌3小时，形成饱和溶液；将0.1克的碳纳米管加入到20毫升的1摩尔/升的氢氧化钠溶液中搅拌，用去离子水清洗至中性，离心抽滤；将处理过的碳纳米管加入到20毫升的40%氢氟酸溶液中，搅拌，得到分散较为均匀的碳纳米管‑氢氟酸溶液；将得到的碳纳米管‑氢氟酸溶液与5.6克的碳酸锂粉末加入到硝酸铁‑十六烷基三甲基溴化铵溶液中
六氟铁酸锂纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种提高碳化硅直接键合强度的方法-CN201910057428.2在审
发明人：梁晓波;刘德峰;黄漫国;蒋永刚;李健;张德远 -专利权人：中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;中航高科智能测控有限公司;北京航空航天大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明是一种提高碳化硅直接键合强度的方法，该方法包括如下步骤：对SiC晶片待键合面进行化学机械抛光；利用Piranha溶液、RCA1&RCA2标准溶液对碳化硅片进行清洗；利用氢氟酸溶液对SiC晶片待键合面表面进行预处理；在氢氟酸溶液中完成碳化硅片的预键合；将预键合的碳化硅片移至真空环境下进行高温高压键合，完成制备。
碳化硅片直接键合碳化硅氢氟酸溶液键合面预键合预处理化学机械抛光碳化硅晶片标准溶液高温高压器件封装真空环境键合制备清洗

[实用新型]超净高纯级氟化铵溶液制备装置-CN201020250960.0有效
发明人：戈士勇 -专利权人：江阴市润玛电子材料有限公司
申请日： 2010-07-01 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： C01C1/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超净高纯级氟化铵溶液制备装置，其特征在于：它包括液氨储罐(1)、第一水洗桶(2)、第二水洗桶(3)、吸收桶(4)、混合罐(5)、过滤器(6)、成品桶(7)、氢氟酸桶(8)、纯化水桶(9本实用新型超净高纯级氟化铵溶液制备装置，将液氨汽化为氨气，再经二级水洗以除去金属与非金属杂质，然后，将经过处理的氨气通入吸收桶与氢氟酸溶液反应，并经过混合罐混合后，过滤分装制得超净高纯级氟化铵溶液，其能满足微电子领域使用要求
净高氟化溶液制备装置

[发明专利]用于减少玻璃片边缘颗粒的方法-CN201880009535.1在审
发明人：赵晶;S·文卡塔查拉姆;陈岑甄;刘佳;吴汇千 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：制造玻璃制品的方法包括将蚀刻溶液施加于制品的边缘表面。施加蚀刻溶液可将边缘表面上的颗粒密度降低到小于约200个/0.1平方毫米。蚀刻溶液例如可含有氢氟酸和盐酸。
蚀刻溶液边缘表面施加玻璃片边缘玻璃制品密度降低平方毫米氢氟酸盐酸制造

[发明专利]采用ICP法快速测定钛及钛合金中硅元素含量的方法-CN201510711887.X在审
发明人：李正权;先世兵;蒋忠伦 -专利权人：贵州航天精工制造有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： G01N21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用ICP法快速测定钛及钛合金中硅元素含量的方法，该方法是将试样用硝酸和氢氟酸在低温下溶解，再用硼酸络合氟离子，并调整基体含量使之匹配，制作标准溶液曲线，在电感耦合高频等离子体原子发射光谱仪上本发明采用硝酸和氢氟酸溶解试料，再用硼酸络合氟离子，从而避免氢氟酸腐蚀电感耦合高频等离子体原子发射光谱仪的石英进样系统，对仪器造成污染，影响测量准确性的因素。同时，本发明采用硼酸稳定试样溶液和标准溶液酸度，不仅避免了酸度不一致对测量的影响，而且调整基体含量使之匹配，减少了基体效应。
采用 icp 快速测定钛合金元素含量方法

[发明专利]一种提高石墨舟处理效果的方法-CN202010832367.5在审
发明人：吴寅;何军 -专利权人：无锡鼎桥新能源科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及石墨舟处理技术领域，且公开了一种提高石墨舟处理效果的方法，包括以下步骤：S1：拆卸：准备需要清洗的石墨舟，进行拆卸，对石墨舟和工艺卡点分别清洗；S2：配液：在清洗槽内配置浓度为7％～15％的氢氟酸溶液；S3：清洗：将石墨舟整体放入配制好的氢氟酸溶液内，浸泡时间为5‑7小时，浸泡的同时开启鼓泡；S4：抽液：待石墨舟整体浸泡5‑7小时后，将上述步骤中的氢氟酸溶液抽出。
一种提高石墨处理效果方法

[发明专利]一种PECVD石墨舟的清洗方法-CN201910831719.2在审
发明人：张大荣;崔美丽;赵福祥;崔钟亨;刘俊稳;沈丽娟 -专利权人：韩华新能源(启东)有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种PECVD石墨舟的清洗方法，其包括以下步骤：配液：在清洗槽内配置氢氟酸溶液；清洗：将石墨舟整体放入氢氟酸溶液内，浸泡时间为5‑7小时，浸泡同时开启鼓泡；抽液：待石墨舟整体浸泡5‑7小时后，将氢氟酸溶液抽出；第一次喷淋：用去离子水对石墨舟整体进行喷淋，喷淋时间设为1‑10分钟；水洗鼓泡：使用去离子水对已进行喷淋的石墨舟整体进行溢流1‑2小时，溢流的同时开启鼓泡；吹扫：用气枪吹扫石墨舟表面；
石墨舟清洗喷淋氢氟酸溶液吹扫鼓泡浸泡去离子水气枪放入溢流烘箱色差清洗槽拆卸产能抽液烘干配液抽出配置

[发明专利]一种钛合金板带的酸洗方法及设备-CN202310095387.2在审
发明人：朱卫;薛白川;李鹏飞 -专利权人：康瑞新材料科技（南通）有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23G1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛合金板带的酸洗方法及设备，该方法包括对预处理后的钛合金板带进行酸洗一、酸洗二和漂洗；酸洗一和酸洗二均采用硝酸和氢氟酸或氟盐的混合溶液，酸洗一的混合溶液一中硝酸的质量分数为15％‑30％，氢氟酸或氟盐中氟离子的质量分数为5％‑8％；酸洗二的混合溶液二中硝酸的质量分数为15％‑30％，氢氟酸或氟盐中氟离子的质量分数为2％‑4％；经过酸洗二处理的钛合金板带表面的氢渗入深度不大于6μm；漂洗采用若干段逐级串流的漂洗槽依次喷淋漂洗
一种钛合金酸洗方法设备

[发明专利]一种在石墨纤维上原位生长石墨烯的制备方法-CN201610024032.4有效
发明人：田健;胡晓琳;崔洪芝;魏娜;宋晓杰;杨鸿儒 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：一种在石墨纤维上原位生长石墨烯的制备方法，制备时，首先取浓度为98％的浓硫酸和浓度为35％的氢氟酸，制取浓硫酸和氢氟酸的混合溶剂；然后将石墨纤维添加到浓硫酸和氢氟酸的混合溶剂中制取含有石墨纤维的溶液，并进行充分搅拌；接着，将添加有石墨纤维的溶液放入水热反应釜内进行水热反应，将水热反应后的溶液用去离子水洗涤，干燥后即可得到在石墨纤维上原位生长的石墨烯。
一种石墨纤维原位生长制备方法

[发明专利]一种改善晶圆背面色差的方法-CN201310202647.8有效
发明人：王福喜;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的改善晶圆背面色差的方法，包括：将晶圆置于刻蚀腔内的下电极上，对晶圆表面进行光刻工艺；多晶硅膜上且对应于所述下电极孔隙处被氧化而形成氧化层；采用氢氟酸溶液湿法腐蚀去除氧化层；采用清洗液对晶圆背面进行清洗本发明的方法，通过在对晶圆背面进行清洗之前，增加采用氢氟酸溶液去除晶圆背面氧化层的步骤，利用稀释的氢氟酸溶液对氧化层具有腐蚀性而对多晶硅膜不具腐蚀性的特点，能够将晶圆背面的氧化层去除，然后再利用清洗液对晶圆背面进行清洗
一种改善背面色差方法

[发明专利]一种氟化法制备纳米二氧化钛的方法-CN202011163100.8有效
发明人：潘锋;朱庆山;范川林;马素刚;葛宇 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01G23/07 文献下载
摘要：所述方法主要包括冷却吸收‑溶解、吸附沉淀、洗涤净化、干燥、流态化分解、冷却收集、提纯和火焰合成工序，具体为：利用含氟烟气冷却吸收得到氢氟酸(可按需补充)与富钛料反应得到氟钛酸溶液；接着，加入流态化分解产生的粉体产物，使氟钛酸与碱金属氟盐形成氟硅酸盐沉淀，氢氟酸溶液循环返回用于吸收‑溶解工序；氟钛酸盐经过洗涤净化、过滤干燥后，进行流态化分解得到四氟化钛烟气和分解粉体产物；四氟化钛烟气经冷却收集、提纯得到精四氟化钛后采用氢焰法合成纳米二氧化钛产品，所产生烟气经冷却吸收处理形成氢氟酸和氟钛酸混合溶液循环用于与富钛料反应。
一种氟化法制纳米氧化方法

[发明专利]一种光纤孔的加工方法及基于其的加工设备-CN202211169853.9有效
发明人：侯煜;李朋;李曼;石海燕;张昆鹏;岳嵩;王然;张喆;文志东;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：将玻璃基板放入带有磁性粉末的氢氟酸溶液中。在承载有磁性粉末的氢氟酸溶液的周围外加交流磁场，驱动氢氟酸溶液流动，选择性腐蚀掉每个改性区中的材料，以在玻璃基板内形成至少一个光纤孔。
一种光纤加工方法基于设备

[实用新型]一种太阳能电池片刻蚀设备-CN201621178676.0有效
发明人：柯希满;童锐;杨大谊 -专利权人：太极能源科技（昆山）有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本实用新型提供一种太阳能电池片刻蚀设备，所述设备包括第一碱槽、第一水槽、氢氟酸槽及第二水槽；所述第一碱槽用于容置第一KOH溶液，在电池片处于漂浮状态时对电池片背面进行抛光，以去除所述电池片背面的PN结；所述第一水槽用于去除所述电池片上残留的第一KOH溶液；所述氢氟酸槽用于去除所述电池片正面的磷硅玻璃；所述第二水槽用于去除所述电池片上残留的氢氟酸溶液。
一种太阳能电池刻蚀设备

[发明专利]硅片清洗方法-CN201811115546.6在审
发明人：龙永灯 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片清洗方法，包括：将硅片放入第一溶液中，并在所述第一溶液中通入臭氧；其中，所述第一溶液包括盐酸；将所述硅片从第一溶液中取出，放入第二溶液中，所述第二溶液包括硝酸和氢氟酸；将所述硅片从第二溶液中取出，放入第三溶液中，并在所述第三溶液中通入臭氧；其中，所述第三溶液包括氨水；将所述硅片从第三溶液中取出，放入第四溶液中，所述第四溶液包括盐酸和氢氟酸；将所述硅片从第四溶液中取出，并将所述硅片烘干。本发明不但弥补了双氧水的分解、氧原子的流失，还加快了微量金属离子的去除，提高了硅片表面清洁度，从而有利于提升硅片的少子寿命；同时还降低加热温度，减少化学试剂的流失，从而减少化学试剂的补液量，延长化学溶液的更换周期
硅片清洗方法

[发明专利]半导体硅片的清洗方法-CN201711203006.9在审
发明人：李容军 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的半导体硅片的清洗方法，依次包括以下步骤：将半导体硅片置于氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡；将该半导体硅片置于异丙醇溶剂进行浸泡；将该半导体硅片置于氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；以及采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片
半导体硅片双氧水浸泡清洗氨水半导体产品混合溶液中氢氟酸溶液异丙醇溶剂去离子水成品率臭氧水混合液氢氟酸冲洗去除背面金属

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