专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于热敏相机焦距检测的标片制作方法、标片及检测方法-CN202011563370.8有效
  • 崔俊虎;袁地春;沈磊磊;丁建明;崔钟亨 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2020-12-25 - 2023-10-27 - H01L21/66
  • 本发明公开一种用于热敏相机焦距检测的标片的制作方法、标片及检测方法,第一方法制备标片:取正面镀膜工序前的硅片,在硅片正面中心沾金属粉末,然后对沾有金属粉末的硅片正面镀膜及多个工序处理,得到的电池片为标片,在加载反向电压下,标片的中心漏电;第二方法制备标片:在完成丝网印刷的硅片正面中心涂导电浆液或沾金属粉末,再经过烧结,得到的电池片为标片;第三方法制备标片:取完成边缘刻蚀的硅片,对硅片进行丝网印刷,再在硅片正面中心沾金属粉末或涂导电浆液,然后对硅片烧结,得到硅片为标片。本发明提供的标片在加载反向电压下其中心有漏电现象,能对应热敏相机图像的中心位置,能在轨道上正常传输,对热敏相机焦距确认更准确。
  • 用于热敏相机焦距检测制作方法方法
  • [发明专利]电池片表面异物清理装置-CN201910565153.3有效
  • 朱晶晶;刘晓兵;赵福祥;崔钟亨 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2019-06-27 - 2023-08-08 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种电池片表面异物清理装置,包括传送轨道、异物检测装置以及吹扫装置,所述异物检测装置包括距离传感器、与所述距离传感器相连接的控制器,所述吹扫装置包括架设在所述传送轨道上的风管以及与所述风管相连接的气源,所述风管上开设有一个或多个出气口;所述距离传感器的发射器以设定的方向向所述传送轨道发射信号以检测所述发射器与传送轨道上电池片之间的距离,所述控制器接收所述距离传感器的检测结果并控制所述气源与风管之间的通断和/或所述风管上出气口的开合。本发明电池片表面异物清理装置,通过距离传感器测量出电池片上异物的最高点与最低点之间的距离并以此判断电池片上是否沾有碎片,并通过吹扫装置对电池片进行吹扫。
  • 电池表面异物清理装置
  • [发明专利]一种太阳能电池细栅线的检测方法-CN201811546716.6有效
  • 戴燕华;刘晓兵;赵福祥;崔钟亨;陈美 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2018-12-18 - 2023-05-23 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种太阳能电池细栅线的检测方法,用于检测太阳能电池中细栅线的断栅和印粗,其特征在于,所述检测方法为:对丝网印刷后的所述太阳能电池片的正面和/或背面分别拍摄照片,对所拍摄的照片进行处理,检测分辨出由丝网印刷形成的细栅线信号,基于所述信号检测结果判断所述细栅线是否出现印刷品质问题,并在出现印刷品质问题时报警,且将出现印刷品质问题的太阳能电池片分选出来;对所述细栅线进行检测分辨和结果判断的时候,将垂直于主栅线的细栅线或平行于主栅线的细栅线分别进行分析。本发明的一种太阳能电池细栅线的检测方法,能够有效的减少检测系统的误判,不仅能够提高检测的准确性,更加能够提高检测的速度。
  • 一种太阳能电池细栅线检测方法
  • [发明专利]用于热敏相机位置检测的标片制作方法、标片及检测方法-CN202011563381.6有效
  • 袁地春;崔俊虎;沈磊磊;丁建明;崔钟亨 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2020-12-25 - 2022-09-20 - H01L31/18
  • 本发明公开一种用于热敏相机位置检测的标片的制作方法、标片及检测方法,以第一方法和第二方法制备标片,第一方法制备标片:对硅片进行制绒和扩散处理后,对其进行丝网印刷和烧结处理,制备得到的电池片为标片,标片的边缘漏电;第二方法制备标片:对硅片依次进行制绒、扩散、边缘刻蚀、镀膜、丝网印刷处理后,电池片再进行涂浆处理,然后将涂浆后的电池片进行烧结,烧结后制备得到的电池片为标片,标片边缘的涂浆处形成导电层,使得标片的边缘漏电。本发明提供的标片制作方法,操作简单,成本低,便于大规模生产;标片的四个边缘都有边缘漏电现象,边缘与正常电池片重合,能在轨道上正常传输,可准确判定热敏相机的检测位置是否符合要求。
  • 用于热敏相机位置检测制作方法方法
  • [实用新型]太阳能电池片的背电极结构及太阳能电池片-CN202220863259.9有效
  • 沈专;李根贞;崔钟亨;陆斌;王义涛 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2022-04-14 - 2022-08-05 - H01L31/05
  • 本实用新型公开了一种太阳能电池片的背电极结构及太阳能电池片,背电极结构包括多组第一背电极单元和多组第二背电极单元,第一背电极单元包括多个第一背电极块,第二背电极单元包括多个第二背电极块,且第二背电极块的长度大于第一背电极块的长度;每个第二背电极块包括电极本体以及对称设置的延伸部,每个延伸部由电极本体的侧边向外延伸,电极本体内对称设置有镂空部。太阳能电池片包括背场以及所述背电极结构。本实用新型的背电极结构,通过设置第二背电极单元,延长背电极尺寸,并增加延伸部和镂空部,以增加背电极和铝背场之间的接触,改善电池电流传输;且镂空部内无需印刷浆料,有利于节省背电极浆料的用量,节省生产成本。
  • 太阳能电池电极结构
  • [发明专利]一种三层氮化硅薄膜的制备方法-CN201811112871.7有效
  • 张晓攀;赵福祥;崔钟亨 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2018-09-25 - 2021-07-20 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种三层氮化硅薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)准备材料:准备半导体衬底;(2)制备第一层薄膜:将所述的半导体衬底放入沉积设备中,设置第一沉积条件,所述第一沉积条件中的沉积温度均匀降低,沉积第一层氮化硅薄膜;(3)制备第二层薄膜:设置第二沉积条件,所述第二沉积条件中的沉积温度均匀降低,形成第二层氮化硅薄膜;(4)制备第三层薄膜:设置第三沉积条件,所述第三沉积条件中的沉积温度均匀降低,形成第三层氮化硅薄膜。本发明的一种三层氮化硅薄膜的制备方法,可有效改善氮化硅薄膜对晶硅太阳能电池的钝化效果、减反射效果,降低工艺时间,沉积温度逐渐降低节约能耗,降低用电成本。
  • 一种三层氮化薄膜制备方法
  • [发明专利]一种适用于双面PERC电池背面激光开槽的方法-CN201910220227.X有效
  • 张金花;费存勇;赵福祥;崔钟亨;李懋鸿 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2019-03-22 - 2021-06-04 - H01L31/0216
  • 本发明公开了一种适用于双面PERC电池背面激光开槽的方法,所述方法为在激光开槽步骤中根据不同延展腐蚀性的铝浆来设置激光参数,使得激光图形与所述铝浆相匹配;所述激光参数包括激光速度、激光功率百分比和激光频率,所述激光图形包括激光点与激光点之间的点间距呈相离、相切或相交;延展腐蚀性强的铝浆匹配激光点与激光点之间的点间距呈相离的激光图形;延展腐蚀性中的铝浆匹配激光点与激光点之间的点间距呈相切的激光图形;延展腐蚀性弱的铝浆匹配激光点与激光点之间的点间距呈相交的激光图形。本发明的方法,其可以根据不同铝浆的延展腐蚀性能,匹配不同的激光开槽工艺,发挥浆料的最优性能,提高双面PERC电池效率。
  • 一种适用于双面perc电池背面激光开槽方法
  • [发明专利]一种适用于选择性发射极的扩散方法-CN201910220247.7有效
  • 张薛丹;费存勇;赵福祥;崔钟亨 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2019-03-22 - 2021-04-02 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种适用于选择性发射极的扩散方法,所述扩散方法包括多次沉积和多次驱入,且从所述步骤二第一次驱入开始,炉管内的温度开始降低。本发明中使用的三步扩散沉积及驱入的方式,使得硅片表面形成含磷浓度高的PSG层,有利于重掺杂时将PSG中的磷源往硅片里面推进,形成高浓度的重掺杂区,有利于欧姆接触提高FF;而没有重掺杂的浅掺区相对浓度较低一点,有利于提高开压;逐步降温的驱入过程使得硅片内形成梯度掺杂,拓宽P‑N结区的宽度,提高开路电压,同时浅结对应的太阳光中的短波段光谱,此范围内的光谱中包含的光子数较多,可以获得更好的蓝波响应,从而提升短路电流Isc,而且逐步降温的驱入过程使方阻均匀性比较好。
  • 一种适用于选择性发射极扩散方法
  • [实用新型]适用于太阳能电池的硅片及太阳能电池片-CN202021225305.X有效
  • 丁建明;崔俊虎;袁地春;崔钟亨 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2020-06-29 - 2020-12-11 - H01L31/0236
  • 本实用新型公开了一种适用于太阳能电池的硅片,所述硅片包括本体以及位于所述本体相对两面的正面和背面,所述硅片的正面包括用于接收光线的接收区以及用于印刷栅线的栅线区,所述接收区内设置有凹坑,所述凹坑用于降低所述硅片的反射率。本实用新型的适用于太阳能电池的硅片,硅片的正面包括具有凹坑的接收区以及没有凹坑的栅线区,后续制备得到的电池片中的接收区用于接收光线,且由于凹坑的存在,反射率降低,能够使得更多的光线被电池片接收;而栅线区较为平坦,后续将表面金属化栅线铺在平坦区域,金属化栅线粗细厚度均匀,既节约了金属用量,又保持了较小的栅线电阻,保证了硅片与栅线之间的有效连接,保证了电流导通。本实用新型还提供了一种如上所述的硅片制备得到的太阳能电池片。
  • 适用于太阳能电池硅片
  • [发明专利]适用于太阳能电池的硅片的表面处理方法-CN202010603123.X在审
  • 丁建明;袁地春;崔俊虎;崔钟亨 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2020-06-29 - 2020-10-20 - H01L31/0236
  • 本发明公开了一种适用于太阳能电池的硅片的表面处理方法,包括以下步骤:对硅片的表面进行激光处理,所述激光处理用于降低所述硅片表面的反射率;对激光处理后的硅片的正面进行刻蚀,所述刻蚀用于去除激光处理后硅片表面产生的熔融硅。本发明的一种适用于太阳能电池的硅片的表面处理方法,该表面处理方法通过激光技术在原硅片表面进行规则的打孔处理,可有效降低表面反射率,且对激光处理后的硅片进行刻蚀以去除硅片表面的复合层,通过刻蚀之后的硅片制备得到的电池片将反射率的优势进一步体现在电学性能上,硅片各项电学性能均有明显提升,在保持低反射的优势下,有效提高太阳能电池的转换效率,具有很好的应用推广前景。
  • 适用于太阳能电池硅片表面处理方法

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