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[发明专利]欧姆电极-CN201780013111.8在审
发明人：后藤裕史;坂本尚敏 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2017-02-02 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：利用了SiC基板的功率半导体装置等中使用的欧姆电极包括：欧姆接触层，其形成于SiC半导体层上，由从镍以及硅化镍所构成的组选择的材料构成；阻挡层，其形成于欧姆接触层上；和电极层，其形成于阻挡层上，由包含锌
欧姆接触层欧姆电极阻挡层功率半导体装置半导体层电极层硅化镍铜合金组选择

[发明专利]双向开关-CN201080049924.0无效
发明人：森田竜夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：半导体元件(101)具有第一欧姆电极和第二欧姆电极以及第一栅电极和第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极从第一欧姆电极一侧依次形成在第一欧姆电极和第二欧姆电极之间。衬底电位稳定化部(103)使衬底的电位成为比第一欧姆电极的电位和第二欧姆电极的电位中校高的电位低的电位。
双向开关

[发明专利]GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法-CN200810116040.7无效
发明人：颜廷静;苏艳梅;王国东;种明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上；一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上；一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。
gan 基日盲型紫外探测器及其制作方法

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN202210078806.7在审
发明人：刘世谦;张耀中;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对二维载气(2DCG)半导体器件，2DCG半导体器件包括具有多个突起的欧姆源电极/漏电极，多个突起由间隙分隔开并且从欧姆源电极/漏电极的底面突出。欧姆源电极/漏电极位于半导体膜上面，并且突起从底面延伸至半导体膜中。此外，欧姆源电极/漏电极与也位于半导体膜上面的另一个欧姆源电极/漏电极分隔开。沟道层容纳2DCG，2DCG沿着异质结延伸并且欧姆耦接至欧姆源电极/漏电极和另一个欧姆源电极/漏电极。栅电极位于欧姆源电极/漏电极和另一个源电极/漏电极之间的半导体膜上面。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]基于氮化物的半导体器件-CN201110319101.1无效
发明人：朴永焕;朴基烈;全祐徹 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供了一种基于氮化物的半导体器件，包括：基底；设置在基底上的半导体层；以及设置在半导体层上的电极结构，其中，电极结构包括：与半导体层欧姆接触的第一欧姆电极；与半导体层欧姆接触并且与第一欧姆电极分隔开的第二欧姆电极；以及与半导体层肖特基接触并且覆盖第二欧姆电极的肖特基电极单元。
基于氮化物半导体器件

[发明专利]AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法-CN201510967933.2有效
发明人：赵德刚;李晓静;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法，该AlxGa1‑xN基紫外探测器，包括一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积
al sub ga 紫外探测器制备方法

[发明专利]半导体元件的欧姆接触构造-CN200610150368.1无效
发明人：星真一;伊藤正纪 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN－HEMT的欧姆接触构造，其具有第1欧姆电极(104)和第2欧姆电极(108)，该第1欧姆电极(104)和第2欧姆电极(108)被分别设置成：从第1主面向半导体主体内，在第1主电极区域(102)内和第2主电极区域(106)内穿过，到达比2维电子气层更深的位置，第1欧姆电极的第1侧面和与该第1侧面相对的第2欧姆电极的第2侧面是凹凸面，该凹凸面是由在这些第1和第2欧姆电极的厚度方向在该厚度范围延伸的凹部所形成的由此可提高可靠性，降低欧姆接触电阻。
半导体元件欧姆接触构造

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111122149.3在审
发明人：吕奇峰 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区；还包括：衬底；外延结构；电极结构，电极结构包括多个欧姆接触电极；第一介质层；电极连接线，位于第一介质层远离衬底的一侧；电极连接线包括欧姆接触电极连接线，欧姆接触电极连接线与欧姆接触电极电连接；第二介质层；电极键合盘，位于第二介质层远离衬底的一侧；电极键合盘包括欧姆接触电极键合盘，欧姆接触电极键合盘与欧姆接触电极连接线电连接，且至少部分欧姆接触电极键合盘位于有源区本发明提供的半导体器件，将至少部分欧姆接触电极键合盘位于有源区，可减少欧姆接触电极键合盘和衬底之间产生的寄生电容，满足对半导体器件输入和输出电容的高要求。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]发光器件及显示设备-CN202010010965.4在审
发明人：金彰渊;蔡钟炫;张钟敏;李豪埈;张成逵 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光器件及显示设备，发光器件包括：第一基板；第一LED堆叠；第二LED堆叠；第三LED堆叠；第一欧姆电极，介于第一LED堆叠和第二LED堆叠之间，并与第一LED堆叠的下表面欧姆接触；第二欧姆电极，介于第二LED堆叠和第三LED堆叠之间，并与第二LED堆叠的下表面欧姆接触；第三欧姆电极，介于第二欧姆电极和第三LED堆叠之间，并与第三LED堆叠的上表面欧姆接触；电极焊盘，设置在第一基板上；以及贯穿孔通路，穿过第一基板，以将电极焊盘电连接到第一LED堆叠、第二LED堆叠和第三LED堆叠，贯穿孔通路中的至少一个穿过第一基板、第一LED堆叠和第二LED堆叠，第一欧姆电极、第二欧姆电极和第三欧姆电极中的至少一个包括网格电极
发光器件显示设备

[发明专利]PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法-CN200410074363.6无效
发明人：赵德刚;杨辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种PIN结构氮化镓基紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上，并且该有源层的面积小于N型欧姆接触层；一窗口层，该窗口层制作在有源层上；一N型欧姆电极，该N型欧姆电极制作在N型欧姆接触层上；一P型欧姆电极，该P型欧姆电极制作在窗口层上。
pin 结构氮化紫外探测器及其制作方法

[发明专利]一种GaN HEMT器件的制备方法-CN202010393703.0在审
发明人：蒋洋;于洪宇;汪青;范梦雅;何佳琦 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括提供外延基底，外延基底包括衬底以及在衬底上依次层叠设置的沟道层以及势垒层；采用氧化刻蚀工艺图形化势垒层，形成源极欧姆接触凹槽和漏极欧姆接触凹槽；在源极欧姆接触凹槽内形成源极欧姆接触电极，同时在漏极欧姆接触凹槽内形成漏极欧姆接触电极；在势垒层、源极欧姆接触电极以及漏极欧姆接触电极背离衬底一侧形成图形化的钝化层，在钝化层背离外延基底的一侧形成源极、漏极、栅极开孔并沉积金属电极，金属电极包括源极金属电极、漏极金属电极和栅极金属电极。该方法能够精确控制刻蚀深度，改善欧姆接触区域的刻蚀形貌，提升欧姆接触质量，提升输出饱和电流，提升器件性能。
一种 gan hemt 器件制备方法

[实用新型]碳化硅横向PIN型微型核电池-CN201220734703.3有效
发明人：张林;李清华;邱彦章;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池，包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，N型欧姆接触电极的垂直指条与P型欧姆接触电极的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；N型SiC外延层上部除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层。
碳化硅横向 pin 微型核电

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201380052677.3在审
发明人：松村笃;德永悠 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明在金属反射膜与化合物半导体层之间设置多个点状的欧姆接触电极，在化合物半导体层的与半导体基板的相反侧依次设置欧姆电极和表面电极，所述表面电极包含盘部和与该盘部连结的多个线状部，欧姆电极的表面由线状部覆盖，欧姆接触电极和所述欧姆电极形成在俯视时不与盘部重叠的位置，多个欧姆接触电极之中，5％以上40％以下的欧姆接触电极配置在俯视时与线状部重叠的位置。
发光二极管照明装置

[发明专利]氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法-CN200410033586.8无效
发明人：赵德刚;杨辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：一种氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一覆盖层，该覆盖层制作在有源层上；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在覆盖层上。
氮化镓基肖特基结构紫外探测器制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置-CN201510749700.5在审
发明人：辛龙宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，在形成有源层之后，在形成源电极和漏电极之前，还在有源层上形成相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层，且第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为氧化物材料，在形成源电极和漏电极之后，再进行高温处理，从而使源电极和漏电极中的铜原子扩散至第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层中，使氧化物材料具有较好的导电性。与现有技术相比由于在源电极和漏电极与有源层之间分别设置有具有较好导电性的第一目标欧姆接触层和第二目标欧姆接触层，因此可以使源电极和漏电极分别与有源层之间具有较好的欧姆接触，从而提高薄膜晶体管的性能。
一种薄膜晶体管制备方法阵列显示装置

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