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[发明专利]一种新型干式电容型胶浸纤维高压套管制作方法-CN202110709593.9在审
发明人：郑筠睿 -专利权人：郑筠睿
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及电气领域，特别涉及一种新型干式电容型胶浸纤维高压套管制作方法，所述电容型胶浸纤维高压套管制作方法，具体包括以下步骤：芯棒、芯模制作，基体胶液制作，绝缘层制作，芯体缠绕，电容屏制作，末屏引出线制作，外部绝缘层制作，法兰密封。
一种新型电容型胶浸纤维高压套管制作方法

[发明专利]干式全绝缘管型母线-CN201010152738.1有效
发明人：曾奕 -专利权人：上海产联电气科技有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01B9/04 文献下载
摘要：干式全绝缘管型母线，涉及电力系统发电、输电、变配电器件。本发明包括：空心导电管，包覆于导电管外侧的第一环氧树脂绝缘层和包覆于第一环氧树脂绝缘层外的第一屏蔽层。利用同轴电容原理，采用环氧树脂成型技术，母线容量大、体积小、节能、免维护，工作安全，便于大规模制造。
干式全绝缘母线

[发明专利]发光二极管的封装件及其制造方法-CN200780003581.2有效
发明人：朴甫根 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：该封装件包括金属片、发光二极管芯片、绝缘层、引线框、反射涂层和模塑材料。发光二极管芯片表面安装在金属片上，绝缘层形成在金属片上并且与发光二极管芯片隔离。在绝缘层上设置引线框，在引线框上形成反射涂层，模塑材料以预定形状模制发光二极管芯片。
发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法及包括半导体器件的电子系统-CN202211037446.2在审
发明人：姜相敏;金亨俊;李相受;张祐赈;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：该方法可以包括：形成模制堆叠体，该模制堆叠体包括与多个牺牲层交替地布置的多个绝缘层；通过顺序地图案化模制堆叠体来形成初步焊盘部分；形成单元接触孔，该单元接触孔延伸穿过初步焊盘部分和牺牲层部分；通过横向扩展初步焊盘部分和牺牲层部分来形成第一延伸部分和多个第二延伸部分；在第一延伸部分中形成第一绝缘衬层和牺牲环图案；在第二延伸部分中形成氧化物衬层和绝缘环图案；在单元接触孔内形成牺牲插塞；以及用栅电极替换牺牲层，并且用焊盘部分替换初步焊盘部分、第一绝缘衬层和牺牲环图案。
半导体器件制造方法包括电子系统

[发明专利]非易失性存储器器件及其制造方法-CN202110100315.3在审
发明人：李昇原;金泰勋;朴珉彻;申慧丽;林濬熙;赵始衍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：一种非易失性存储器器件，包括：衬底；第一半导体层，在衬底上；蚀刻停止膜，包括第一半导体层上的金属氧化物；模制结构，其中通过在蚀刻停止膜上交替堆叠第二半导体层和绝缘层来构成所述模制结构；沟道孔，其穿透模制结构、蚀刻停止膜、第一半导体层和衬底中的至少一个；以及沟道结构，沿沟道孔的侧壁延伸，并包括沿沟道孔的侧壁顺序地形成的抗氧化膜、第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、电荷存储膜、隧穿绝缘膜和沟道半导体，其中所述第一半导体层接触所述第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、电荷存储膜和隧穿绝缘膜。
非易失性存储器器件及其制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN202110642043.X在审
发明人：金相昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件包括：封装基板；第一凸块和第二凸块，位于所述封装基板的下表面上；半导体芯片，位于所述封装基板的上表面上；第一连接图案和第二连接图案，位于所述封装基板的所述上表面上；模制件，位于所述封装基板的所述上表面上，并且覆盖所述半导体芯片；翘曲控制层，位于所述模制件上；上绝缘层，位于所述翘曲控制层上；第一开口，穿过所述上绝缘层并暴露所述翘曲控制层的上表面；第二开口，在所述半导体封装件的俯视图中与所述第一开口交叠，所述第二开口穿过所述翘曲控制层并暴露所述第一连接图案；以及第三开口，穿过所述上绝缘层并暴露所述第二连接图案。
半导体封装

[发明专利]挠性电容传感器-CN200780013038.0无效
发明人：艾尔弗雷德·R·迪安吉利斯;D·布鲁斯·威尔逊;布赖恩·A·马齐奥 -专利权人：美利肯公司
申请日： 2007-02-06 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明涉及一种适于大规模制造的挠性的弹性的电容传感器。该传感器包括绝缘体、绝缘层的第一侧面上的导电层、绝缘层的第二侧面上的导电层，以及电容计，该电容计与上述两个导电层电连接，以检测在对检测器施加作用力时的电容变化。导电层被配置为确定所施加的作用力的位置。
电容传感器

[发明专利]图像传感器-CN201910927006.6在审
发明人：崔津榕;林海敏;文柱盛;白寅圭;柳承翰;郑旼姃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：半导体衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在半导体衬底中的光电转换层；在半导体衬底的第一表面上的晶体管；在晶体管上的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，该第二下焊盘电极与第一下焊盘电极间隔开；在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；在模制绝缘层中的第一下电极和第二下电极；在第一下电极和第二下电极上的介电层；在介电层上的上电极；以及连接到上电极并包括不同于第一下焊盘电极和第二下焊盘电极的导电材料的上焊盘电极
图像传感器

[发明专利]一种利用光掩模制备双稳态液晶书写板薄膜及其制备方法-CN202010891051.3在审
发明人：洪希杭;王冬;李芳芳 -专利权人：南京优写智能科技有限公司
申请日： 2020-08-30 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G02F1/139 文献下载
摘要：本发明专利提供一种利用光掩模制备双稳态液晶书写板薄膜及其制备方法。该薄膜从上至下依次包括透带有绝缘层的聚对苯甲酸乙二醇酯明导电薄膜层、液晶复合体系薄层、带有绝缘层的聚对苯甲酸乙二醇酯黑色导电薄膜层。所制备的利用光掩模制备双稳态液晶书写板薄膜通过改变光掩模透光部分的图案及间隙大小，实现了调整笔迹粗细，增加了书写的真实感；光掩模的使用能够减少可聚单体混合物用量且保持较高的亮度。此外上层聚对苯二甲酸乙二醇酯透明导电薄膜层的导电层为聚噻吩材料，下层聚对苯二甲酸乙二醇酯黑色导电薄膜层的导电层参杂聚苯胺材料，使利用光掩模制备双稳态液晶书写板薄膜具有稳定性好、清晰度高、书写顺滑等优点。
一种利用光掩模制备双稳态液晶书写薄膜及其方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202310008233.5在审
发明人：李同规;金侑瞋;延国贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：第一衬底，其限定单元阵列区；模制结构，其包括按次序间隔开并且按照台阶形式堆叠在第一衬底上的多个栅电极；以及沟道孔，其限定为在垂直于第一衬底的上表面的竖直方向上穿过单元阵列区上的多个栅电极所述装置包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的信息储存层，信息储存层包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的阻挡绝缘层、阻挡绝缘层上的电荷储存层和隧穿绝缘层。所述装置包括沟道孔内的信息储存层上的沟道层以及布置为填充沟道层上的沟道孔的绝缘图案。
半导体存储器装置

[发明专利]显示面板及其薄膜晶体管基板的制造方法-CN200710102482.1有效
发明人：许博文 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2007-04-30 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：薄膜晶体管基板包括一底材、一像素电极、一绝缘层及一薄膜晶体管。像素电极设置于底材上并具有一第一端，绝缘层设置于底材之上用以覆盖第一端，绝缘层具有一接触孔。薄膜晶体管包括一栅极、一硅半导体层、一接触层、一源极及一漏极。栅极设置于底材与绝缘层之间，硅半导体层设置于部分的绝缘层上，源极及漏极设置于接触层之上，用以对应地与接触层接触，漏极通过接触孔与像素电极耦接。本发明的显示面板可以较少道掩模制程完成薄膜晶体管基板，有效降低制程成本并缩短制程时间。
显示面板及其薄膜晶体管制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN201110339704.8有效
发明人：朴相昱;李种基;林元喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：该半导体封装包括：具有接合焊盘的半导体芯片、电连接到半导体芯片并且具有接触外部端子的端子的金属线、覆盖金属线并且具有定义该端子的开口的绝缘层、以及模制半导体芯片的模制层，其中模制层包括暴露接合焊盘且从接合焊盘延伸到端子的凹陷图案
半导体封装及其制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202211265544.1在审
发明人：金注男;崔恩荣;金亨俊;李烔和;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在下结构上形成堆叠且交替的层间绝缘层和牺牲层的模制结构；形成穿过模制结构的孔；通过从牺牲层的侧表面去除牺牲层的通过孔暴露的部分来分别在模制结构的牺牲层中形成凹陷区域；在每个凹陷区域中顺序地形成初始阻挡图案和电荷存储图案；在孔中顺序地形成隧穿层和沟道层；形成穿透模制结构的沟槽，使得沟槽以线形状延伸；去除由沟槽暴露的牺牲层，使得初始阻挡图案被暴露；以及在去除牺牲层之后氧化初始阻挡图案
制造半导体装置方法

[发明专利]包括支撑件的半导体装置及其制造方法-CN202011336334.8在审
发明人：梁宇成;金志荣;金智源 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：支撑件位于水平导电层上。支撑件包括单元区中的第一部分、多个焊盘区中的第二部分和贯穿电极区中的第三部分。连接导电层位于第一部分与水平导电层之间。连接模制层位于第三部分与水平导电层之间。设置穿过第三部分、连接模制层和水平导电层的第一埋置绝缘层。堆叠结构位于衬底上。设置穿过第一埋置绝缘层的贯穿电极。
包括支撑半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种耐热耐油聚氯乙烯电缆-CN202121604260.1有效
发明人：黄南南 -专利权人：广东胜德过电线电缆厂有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐热耐油聚氯乙烯电缆，包括聚氯乙烯电缆本体，聚氯乙烯电缆本体的表面包覆有绝缘层，绝缘层的表面包覆有护套层，护套层包括加强层，加强层的表面包覆有隔热层，隔热层的表面包覆有防火层，防火层的表面包覆有防水层，防水层的表面包覆有耐油层，耐油层包括CR橡胶层，CR橡胶层的表面包覆有PPS层，绝缘层采用PP管模制成，且绝缘层与聚氯乙烯电缆本体之间的缝隙处填充有绝缘橡胶。本实用新型通过加强层、隔热层、防火层、防水层、耐油层、CR橡胶层和PPS层的配合使用，能够使聚氯乙烯电缆本体具备良好的耐热性能和耐油性能，以及具备良好的使用强度和防水性能，从而延长了电缆的使用寿命。
一种耐热聚氯乙烯电缆