专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种定子-CN202022257507.9有效
  • 张春晖;阚乃杰 - 江苏嘉轩智能工业科技股份有限公司
  • 2020-10-12 - 2021-03-30 - H02K3/34
  • 本实用新型公开了一种定子,涉及绝缘技术领域,所述定子包括:线圈绕组和用于绝缘所述线圈绕组的绝缘结构;所述线圈绕组包括至少两个线圈,所述绝缘结构包括一包覆绝缘和至少一隔离绝缘;所述隔离绝缘设于相邻两个所述线圈之间,每层所述隔离绝缘均包括紧密贴合的第一绝缘(3)和第二绝缘(4),所述包覆绝缘包覆在所述线圈绕组外表面,所述包覆绝缘包括依次排设的第五绝缘(13)、第三绝缘(5)和第四绝缘(6),本实用新型通过设置多层绝缘,提高线圈的绝缘性能、耐高温性能以及耐击穿能力。
  • 一种定子
  • [发明专利]抗反射整合触控显示面板-CN201811327275.0有效
  • 洪濬成;李文仁;黄彦士;陈加明;柯婷玮;叶佳元 - 友达光电股份有限公司
  • 2018-11-08 - 2021-10-08 - G06F3/041
  • 抗反射结构包第一绝缘、第二绝缘位于第一绝缘上、导电层位于第二绝缘上、第三绝缘位于第二绝缘上以及第四绝缘位于第三绝缘上。第一绝缘的材料包含氧化硅或氮化硅,且第一绝缘的厚度为0.1微米至2微米。第二绝缘的材料包含氧化硅或氧化锶,且第二绝缘的厚度为0.001微米至0.1微米。导电的材料包含钼,且导电的厚度为0.01微米至0.05微米。第四绝缘的材料包含氮化硅,且第四绝缘的厚度为0.001微米至0.3微米。这些触控电极位于第三绝缘与第四绝缘之间。
  • 反射整合显示面板
  • [实用新型]电容屏蔽式浇注母线-CN202223490222.5有效
  • 仝志红;刘扬;曹建林;于秋石 - 天津沃尔法电力设备有限公司
  • 2022-12-26 - 2023-07-18 - H01B7/17
  • 本实用新型公开了电容屏蔽式浇注母线,所述导流体外部包裹有一浇筑绝缘,所述浇筑绝缘外交替包裹有多个电容屏蔽和屏间绝缘,最外层的电容屏蔽外部设置有内层护套,所述内层护套外部设置有外层护套,且最外层的电容屏蔽与接地引线物理连通本实用新型通过在导流体外部包裹浇筑绝缘,浇筑绝缘外部包裹电容屏蔽,电容屏蔽外部包裹有绝缘,通过浇筑绝缘的设置,能够有效对母线电场进行屏蔽,通过在浇筑绝缘外交替设置有多层电容屏蔽绝缘,通过浇筑绝缘配合绝缘进行绝缘的双重保险,优化了母线电场分布,有效的提高了绝缘的可靠性。
  • 电容屏蔽浇注母线
  • [实用新型]一种防老化建筑用电线-CN202021424175.2有效
  • 秦红敏 - 重庆融玖电缆有限公司
  • 2020-07-20 - 2021-01-26 - H01B7/02
  • 本实用新型公开了一种防老化建筑用电线,涉及电线技术领域,主要为了解决现有电线的老化问题;包括导体、内绝缘和外绝缘,导体外部设有内绝缘,内绝缘外部设有外绝缘,内绝缘包括第一内绝缘和第二内绝缘,第二内绝缘位于第一内绝缘外部,导体与第一内绝缘之间设有合成云母带,第一内绝缘内设有用于填充防老化剂的填充,填充呈波浪型设置,第二内绝缘与外绝缘之间设有聚丙烯酸酯橡胶,外绝缘内均匀填充有炭黑颗粒,通过设置合成云母带,合成云母带的作用是增加了电线自身的耐高温的能力,防止因温度的影响使电线老化加快,设有用于填充防老化剂的填充,增加了防老化剂的分布面积,提高了防老化效率。
  • 一种老化建筑用电
  • [发明专利]半导体器件的隔离区的制造方法-CN97110895.1无效
  • 宋斗宪 - LG半导体株式会社
  • 1997-05-08 - 2003-05-07 - H01L21/762
  • 一种半导体器件的隔离区的制造方法,包括以下步骤衬底上形成第一绝缘;第一绝缘上形成第二绝缘并除去场区上的第二绝缘;用第二绝缘作掩模选择除去第一绝缘以露出衬底表面;露出衬底上形成第三绝缘;第二绝缘的两侧边上形成第四绝缘侧壁;用第二绝缘和第四绝缘侧壁作掩模选择除去第三绝缘以露出衬底表面;用第二绝缘和第四绝缘侧壁作掩模在衬底中的预定深度形成沟道;沟道中形成场氧化
  • 半导体器件隔离制造方法

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