“机械研磨”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1421334个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种化学机械研磨模拟方法-CN201610606958.4有效
发明人：曹云;阚欢;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械研磨模拟方法，包括建立化学机械研磨模型，并格式化为与化学机械研磨结果对应的线宽对数‑密度矩阵表格，对版图进行窗格划分，将每个窗格版图的等效线宽、密度转换为模型表格中的线宽对数‑密度坐标，根据每个窗格在模型表格中的坐标位置和与其相邻的表格交点所对应的化学机械研磨结果，计算出每个窗格初步的化学机械研磨模拟结果，并考虑版图上周围窗格对当前窗格的影响，根据相关的权重因子，计算出每个窗格最终的化学机械研磨模拟结果并输出；可在保证产品模拟预测结果准确性的基础上，大幅提升对化学机械研磨工艺的模拟速度，及时检查出化学机械研磨工艺设计热点，缩短产品生产周期。
一种化学机械研磨模拟方法

[发明专利]晶圆表面的化学机械研磨方法-CN201010267508.X有效
发明人：黄军平;马智勇;魏红建;李佩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆表面的化学机械研磨方法，包括：提供经初次化学机械研磨后的晶圆；在晶圆表面形成缓冲层；对晶圆表面进行第二化学机械研磨，去除所述缓冲层。所述缓冲层在第二化学机械研磨中，能够防止晶圆表面的残留物与研磨液接触而形成新的缺陷，还起到精确控制研磨的停止位置，以避免损坏晶圆上半导体器件的作用。
表面化学机械研磨方法

[发明专利]化学机械研磨方法-CN201310504885.4在审
发明人：蒋莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种化学机械研磨方法，包括：提供待研磨晶圆；对所述待研磨晶圆上的贵金属进行预处理，使所述贵金属层转化为合金层；提供研磨液，并向所述研磨液中加入研磨颗粒和氧化剂；通过所述研磨液对所述合金层的至少一部分进行化学机械研磨与现有技术相比本发明的技术方案具有以下优点：使化学机械研磨变得比较容易进行；能够在较好地对待研磨晶圆进行研磨的同时，避免在待研磨晶圆上产生擦伤。
化学机械研磨方法

[发明专利]化学机械研磨工艺方法-CN202310745977.5在审
发明人：李一斌 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械研磨工艺方法，包括：步骤一、在第一时间段内进行化学机械研磨。化学机械研磨中，晶圆固定在研磨头上，晶圆的被研磨面和研磨垫接触实现化学机械研磨并产生研磨副产物。步骤二、进行研磨垫修整，研磨垫修整的工艺时间包括多个子时间段，各子时间段分布在第一时间段中，利用各子时间段分布在第一时间段中的特点将第一时间段中各时刻产生的研磨副产物及时去除，防止在第一时间段的各时刻产生研磨副产物累积并从而防止由研磨副产物累积所带来的研磨速率降低和刮伤缺陷本发明能在化学机械研磨过程中对研磨垫进行及时修整，并从而能防止研磨副产物累积以及由研磨副产物累积所带来的研磨速率降低和刮伤缺陷。
化学机械研磨工艺方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110208683.X在审
发明人：傅世刚;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：半导体结构的形成方法包括在第一介电层中形成第一金属部件；使用第一转速对第一金属部件进行第一化学机械研磨制程；以及使用第二转速对第一金属部件进行第二化学机械研磨制程，第二转速低于第一转速低。第二化学机械研磨制程可为计时的(time‑based)。第二化学机械研磨制程可停止于第一盖层上。在进行第二化学机械研磨制程之后，半导体结构的制造方法包括移除第一盖层。第一化学机械研磨制程可对第一金属部件具有第一研磨速率。第二化学机械研磨制程可对第一金属部件具有第二研磨速率，第二研磨速率低于第一研磨速率。
半导体结构形成方法

[实用新型]一种高频震荡研磨器-CN201520306868.4有效
发明人：曲亮 -专利权人：沈阳美联科技有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： B02C19/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及研磨器，尤其涉及一种高频震荡研磨器。该一种高频震荡研磨器包括：壳体、驱动电机、机械臂、研磨箱、控制台。所述壳体下方与机械臂连接，所述驱动电机在壳体内部，所述控制台与壳体内驱动电机相连，所述研磨箱固定在机械臂下方，本实用新型提供的一种高频震荡研磨器，具有高频研磨功能，加快工作效率，提高了研磨质量。
一种高频震荡研磨

[发明专利]化学机械研磨的残留物去除方法-CN201010110195.7无效
发明人：邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械研磨的残留物去除方法，包括：将晶片表面与化学机械研磨机台的研磨垫接触；利用研磨液对晶片进行化学机械研磨；升起所述晶片；利用酸性溶液清洗所述晶片和研磨垫；利用去离子水清洗所述晶片和研磨垫
化学机械研磨残留物去除方法

[发明专利]化学机械研磨抛光系统中的抛光垫的调理方法-CN200410018600.7无效
发明人：李京漋;马智勇;余慧;徐根保 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种新的化学机械研磨抛光垫的调理方法，用调理元件金刚砂轮磨合/调理新/旧化学机械研磨抛光垫，调理参数，即，调理时加的向下的压力、和调理时间，随着所用的调理元件金刚砂轮的老化程度和被调理的化学机械研磨抛光垫的表面结构变化用调理后的化学机械研磨抛光垫每分钟抛光除去的二氧化硅(SiO₂)膜的厚度确定化学机械研磨抛光垫的抛光速度或研磨能力。
化学机械研磨抛光系统中的调理方法

[实用新型]一种精密研磨抛光设备-CN201822234245.7有效
发明人：孙晋平 -专利权人：南京鼎晋电子有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种精密研磨抛光设备，包括工作台、治具、研磨液喷管、研磨轮、电动机、机械臂、机械关节、机械手底座、切换气缸、抛光轮套、抛光液池、抛光切换台、研磨片、气缸缸体和气缸伸缩杆，所述工作台上通过铆焊连接固定有治具，在治具内放置有待加工工件，在工作台的两侧分别设有研磨液喷管和机械手底座，所述机械手底座上安装有通过机械臂和机械关节依次连接的机械手，在该机械手顶端的机械臂上通过螺栓连接固定安装有电动机，所述电动机的输出轴上安装有研磨轮，所述机械手底座位于工作台与抛光切换台之间，在抛光切换台上开有抛光液池。本实用新型采用同一设备对机械加工后的工件进行研磨和抛光处理，一机两用节省资源。
机械手底座电动机抛光机械臂工作台治具本实用新型喷管机械关节抛光液切换台研磨轮研磨液精密研磨抛光机械手顶端气缸伸缩杆研磨和抛光机械加工加工工件节省资源连接固定螺栓连接气缸缸体同一设备一机两用依次连接机械手抛光轮输出轴研磨片铆焊气缸

[发明专利]化学机械研磨工艺的返工方法-CN201010261562.3有效
发明人：邓武锋;刘俊良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械研磨工艺的返工方法，所述化学机械研磨工艺的返工方法包括：提供化学机械研磨设备，所述化学机械研磨设备包括第一研磨平台、第二研磨平台以及第三研磨平台，所述第三研磨平台上设置有第一晶片，所述第二研磨平台上方设置有第二晶片，所述第一研磨平台上方设置有第三晶片；向所述第一晶片的表面喷洒研磨液以去除第一晶片表面的缺陷，同时，分别向第二晶片和第三晶片的表面喷吹气体或去离子水。本发明可防止第二研磨平台和第一研磨平台上等待的晶片被污染，提高了半导体器件的良率。
化学机械研磨工艺返工方法

[发明专利]化学机械研磨设备-CN202111489311.5有效
发明人：熊超;段贤明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种化学机械研磨设备。该化学机械研磨设备包括壳体、设置有研磨垫的抛光盘、研磨头和检测装置，其中，壳体具有容纳腔，抛光盘、研磨头和检测装置均位于所述容纳腔内，检测装置用于检测预定表面是否发生形变，预定表面为研磨垫远离抛光盘的表面该化学机械研磨设备中加入了检测装置，检测装置根据检测到的研磨垫的预定表面，确定预定表面是否发生形变，相比现有技术中使用肉眼观察研磨垫的预定表面是否发生形变，不能对研磨垫的表面状态进行实时监控的方案来说，本申请的化学机械研磨设备的检测装置可以对研磨垫的表面进行监控，从而解决了现有技术中缺乏可以监控研磨垫表面状态的方案的问题。
化学机械研磨设备

[实用新型]研磨调整装置及化学机械研磨装置-CN201320260048.7有效
发明人：唐强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种研磨调整装置及化学机械研磨装置。所述研磨调整装置，包括一研磨调整臂，另外，还包括分别位于所述研磨调整臂两端的两个金刚石圆盘。所述化学机械研磨装置，包括：一研磨垫；以及所述研磨调整装置，所述研磨调整装置位于所述研磨垫的上方。采用本实用新型的化学机械研磨装置，可以有效提高研磨调整效果，将研磨过程中所产生的残留浆料以及研磨颗粒及时清除出去，避免了残留浆料以及研磨颗粒的大量堆积，从而降低了对晶片的刮伤和划痕等缺陷的发生。
研磨调整装置化学机械

[发明专利]化学机械研磨方法和研磨设备-CN201010268615.4无效
发明人：曾明;周祖源;孟昭生;汤舍予 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种化学机械研磨方法和研磨装置，该方法包括：在化学机械研磨设备的关键部件外表面设置薄膜层；采用所述化学机械研磨设备对半导体晶片进行化学机械研磨；去除所述薄膜层。本发明所提供的技术方案，在容易产生结晶的化学机械研磨设备的关键部件外表面设置薄膜层，在高速研磨的过程中，溅射的研浆挥发形成的结晶就会附着在薄膜层上，通过更换所述薄膜层，无需停止研磨喷水即可去除结晶，提高生产效率同时，通过更换喷水管路喷洒不到的位置设置的薄膜层，可以去除通过现有技术的方案难以去除的结晶，减少结晶对半导体晶片的刮伤，提高研磨效果。
化学机械研磨方法设备

[发明专利]研磨头、化学机械研磨装置及化学机械研磨方法-CN202011509919.5在审
发明人：山本胜利 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：研磨头(40)具备保持晶圆(W)晶圆保持部件(44)、设置于晶圆保持部件(44)的晶圆(W)侧的支承垫(46)、设置于晶圆保持部件(44)和支承垫(46)之间来测定支承垫(46)的温度的温度测定机构(47
研磨化学机械装置方法

[发明专利]一种化学机械研磨装置及其化学机械研磨方法-CN201610107813.X在审
发明人：严钧华;朱也方;丁弋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：一种化学机械研磨装置，包括：转盘，所述转盘上设置抛光垫，且仅在所述抛光垫之外边缘处设置研磨沟槽；研磨头，与所述抛光垫呈面向设置，并用于固定待研磨之晶圆；研磨液供应管，用于输送研磨液。本发明化学机械研磨装置通过仅在所述抛光垫之外边缘处设置研磨沟槽，不仅可单独对待研磨之晶圆的外边缘进行化学机械研磨，提高产品良率，而且结构简单、使用方便，未增加任何生产成本，值得推广应用。
一种化学机械研磨装置及其方法