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[发明专利]一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法-CN200710047057.7有效
发明人：李健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-10-16 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： B24B49/00 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法，该方法中所述研磨时间由自动处理系统反馈给用于化学机械抛光的设备；所述自动处理系统通过上述抛光设备最近若干批硅片的研磨参数来确定下一批硅片的研磨时间；所述研磨参数包括最近m批硅片各自的研磨时间、最近一次检测到的研磨速率Rt、及最近m批硅片的平均研磨速率Rm；通过Rt与Rm的比值来修正研磨时间。本发明揭示的在化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法，考虑到了每天CMP机台研磨速率的变化和差异，用修正系数Rt/Rm来修正研磨时间，这种方法确定的时间将更精确。
一种化学机械抛光工艺确定研磨时间方法

[发明专利]研磨液再利用装置及其系统-CN200310122917.0有效
发明人：王仁杰;郑宗淦 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-12-29 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： B24B57/00 文献下载
摘要：一种研磨液再利用装置及其系统，应用于化学机械研磨制程，该系统包含研磨液循环管路、至少一连接该研磨液循环管路的研磨液供给单元、若干个连接该研磨液循环管路的研磨液再利用装置、及若干个分别连接该研磨液再利用装置的化学机械研磨单元；其中该装置包括回收已过滤的研磨液的回收泵、及抛弃过滤排出的废液与废气的排废单元。
研磨再利用装置及其系统

[实用新型]一种机械加工研磨装置-CN202321141473.4有效
发明人：曹金凤 -专利权人：杭州锋尚机电有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种机械加工研磨装置，涉及作业技术领域，一种机械加工研磨装置，包括研磨加工台，所述研磨加工台的内侧转动连接有内置研磨桶，研磨加工台的内侧固定安装有内置限位杆，内置限位杆的表面滑动连接有内置限位板，内置限位板的表面固定安装在内置研磨桶的表面，内置研磨桶的表面设置有内置动力齿板，该机械加工研磨装置，使内置电机带动转动齿轮上啮合的动力内置板进行上下移动，而动力内置板通过与动力内置板之间的啮合调节，可以使内置研磨桶在研磨加工台的内侧进行往复翻转运动，进而使动力研磨球对内置研磨桶内侧物料研磨时具备物料流动研磨的充分性，进而保障物料研磨操作的效率，改善了传统单一式通过动力研磨球进行旋转研磨操作的低效率。
一种机械加工研磨装置

[实用新型]一种化学机械研磨设备-CN201020673640.6有效
发明人：蒋莉;黎铭琦 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学机械研磨设备，用于研磨晶圆，包括：转台，其上方固定放置所述晶圆，所述晶圆的待研磨面朝上；研磨垫，其研磨面朝下；研磨头，其下方固定所述研磨垫，能够带动所述研磨垫旋转；研磨液供应管，设置于研磨头或研磨垫上本实用新型所述化学机械研磨设备在研磨过程中，研磨垫位于晶圆上方，且研磨液供应管设置于所述研磨头或研磨垫上，从而保证研磨液直接充分地落在晶圆上方，提高研磨液的利用率，提高晶圆的均匀性和一致性。
一种化学机械研磨设备

[发明专利]化学机械研磨设备中的金刚石修整器的修整能力识别方法-CN201110342063.1在审
发明人：李协吉;程君;张泽松;石强;李志国 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： B24B49/18 文献下载
摘要：根据本发明的化学机械研磨设备中的金刚石修整器的修整能力识别方法包括：在利用金刚石修整器对所述化学机械研磨设备的研磨垫进行一次修整后，利用所述化学机械研磨设备对多片硅片进行连续的研磨；测量所述多片硅片的研磨速度根据本发明的化学机械研磨设备中的金刚石修整器的修整能力识别方法能够快速地精确地表示实际的金刚石修整器的修整能力。
化学机械研磨设备中的金刚石修整能力识别方法

[实用新型]化学机械研磨设备-CN201720257500.2有效
发明人：汤晓琛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种化学机械研磨设备，用于对晶片进行化学机械研磨工艺，包括一用于固定晶片的研磨台；多个用于对晶片的待研磨面进行研磨的研磨头，多个所述研磨头中，至少两个研磨头的尺寸不同。本实用新型中，将晶片固定于研磨台上，并通过研磨头对晶片施加压力，以实现对晶片进行研磨的目的。并且，采用多个研磨头，多个研磨头中还可相应的设置多种尺寸，从而可针对晶片上的特定区域进行研磨，避免晶片的部分区域出现研磨过度或研磨不足的问题。
化学机械研磨设备

[发明专利]CMP用研磨液及研磨方法-CN200780014892.9无效
发明人：筱田隆;野部茂;田中孝明 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种CMP用研磨液，其特征在于，其是在第1化学机械研磨工序后，在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液，所述工序研磨的基板包含：表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层，其中，第1化学机械研磨工序为：研磨基板的导电性物质层，使所述凸部的阻挡层露出，第2化学机械研磨工序为：研磨露出的阻挡层，使得所述凸部的层间绝缘膜露出；其中，研磨量(A)与研磨量(B)的差(B)-(A)为650以下，所述研磨量(A)是形成于所述基板的层间绝缘膜部具有1000μm以上宽度的场部的层间绝缘膜的研磨量；所述研磨量(B)是形成于所述基板的宽90μm的配线金属部与宽10μm的层间绝缘膜交互排列的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量。
cmp 研磨方法

[发明专利]研磨装置及利用该装置改善化学机械研磨均匀度的方法-CN201310630339.5无效
发明人：丁弋;朱也方 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及大规模集成电路制造领域，尤其涉及一种研磨装置及利用该装置改善化学机械研磨均匀度的方法，通过利用具有卡槽的研磨头进行化学机械研磨工艺，并在卡槽内部通入气流，进而产生气压，使得圆环钢圈在研磨头的卡槽内移动，即利用扣环相对于膜片进行移动，来调节扣环与膜片的相对高度，使其相对高度保持不变，以有效的改善化学机械研磨的研磨均匀度，并且延长了扣环的使用寿命，降低了制程成本。
研磨装置利用改善化学机械均匀方法

[实用新型]双倍产量的化学机械研磨机台-CN201220065209.2有效
发明人：唐强;朱海青;李佩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双倍产量的化学机械研磨机台，包括研磨机构、清洗机构以及晶圆进出机构，所述研磨机构是双晶圆同步研磨机构，所述清洗机构是双晶圆同步清洗及甩干机构，所述晶圆进出机构带动两片晶圆在所述研磨机构由于研磨机构采用双晶圆同步研磨机构，所述清洗机构采用双晶圆同步清洗及所述晶圆进出机构带动两片晶圆在所述研磨机构、清洗机构之间传输，与现有技术中的化学机械研磨机台同步只能对一片晶圆进出处理不同，本实用新型提供的双倍产量的化学机械研磨机台可以对两片晶圆进行同步处理，因而，在相同处理速度的前提下，使得化学机械研磨机台的产量翻倍，有效提高了生产效率。
双倍产量化学机械研磨机台

[发明专利]一种液压机械用研磨装置-CN201811460722.X在审
发明人：马娜;王刚 -专利权人：江苏汉东机械有限公司
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种液压机械用研磨装置，包括研磨箱、搅拌叶、出料口、上研磨块、下研磨块、搅拌杆、电机、进料口，其特征在于：所述研磨箱的顶部设有电机，所述研磨箱内设有与电机相连接的搅拌杆，所述搅拌杆上设有搅拌叶，所述搅拌杆的底部设有上研磨块，所述研磨箱的底部设有与上研磨块相配合的下研磨块。所述研磨箱一侧设有进料口和出料口。所述所述上研磨块与搅拌杆之间采用可拆卸连接方式。提供一种液压机械用研磨装置，此装置结构简单、便于使用，易于操作，相对于现有的液压结构简单许多，更容易生产，也更容易使用，更加节省成本，对液压机械的原材料进行更好的研磨。
研磨搅拌杆液压机械研磨装置出料口搅拌叶进料口电机可拆卸连接方式液压结构装置结构电机相配合生产

[发明专利]化学机械研磨设备-CN201911308017.2在审
发明人：夏汇哲 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本申请公开了一种化学机械研磨设备，包括：研磨头、设置有研磨垫的研磨台和包括修整头、导轨和转动轴的研磨垫修整器，当化学机械研磨设备处于工作状态时，磨头在沿研磨垫的直径方向做往复直线运动，修整头在沿导轨的方向做往复直线运动的同时绕转动轴做往复摆动运动本申请通过将研磨头设置为在其工作状态中沿研磨垫的直径方向做往复直线运动，将研磨垫修整器的修整头在其工作状态中沿其导轨的方向做往复直线运动的同时绕其转动轴做往复摆动运动，扩大了研磨垫修整器对研磨垫的修整范围，从而在一定程度上提高了化学机械研磨设备的研磨效率。
化学机械研磨设备

[实用新型]研磨液手臂以及化学机械研磨设备-CN201020264923.5有效
发明人：高思玮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种研磨液手臂以及化学机械研磨设备，所述研磨液手臂设置在化学机械研磨设备中，所述化学机械研磨设备包括多个研磨平台、罩设在多个研磨平台上的盖子、去离子水管路以及研磨液管路，所述研磨液手臂包括：壳体，至少一个研磨液喷嘴、至少一个第一清洗喷嘴和至少一个第二清洗喷嘴，研磨液喷嘴与研磨液管路连通，第一清洗喷嘴和第二清洗喷嘴均设置于壳体上并与去离子水管路连通，第二清洗喷嘴的方向与盖子的方向相对应，以使第二清洗喷嘴喷出的去离子水能够清洗盖子所述研磨液手臂的第二清洗喷嘴喷出的去离子水可清洗盖子上残留的研磨液，避免晶片表面产生划痕缺陷。
研磨手臂以及化学机械设备

[发明专利]化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法-CN201210299234.1有效
发明人：陈枫 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： B24B37/02 文献下载
摘要：种化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法，其中，化学机械抛光装置包括：基座；固定于基座表面的研磨垫，研磨垫内具有检测窗，检测窗表面与研磨垫表面齐平，检测窗为透光材料；位于基座内的光头，光头位于检测窗下方，且光头与检测窗之间为空腔；固定于基座内的位置调节装置，位置调节装置与光头连接；位于研磨垫上方的检测装置，检测装置位于研磨垫上方，检测装置到研磨垫中心的水平距离、与第一检测装置到研磨垫中心的水平距离一致；分别与位置调节装置和第一检测装置连接的控制器，控制器根据检测装置检测的研磨垫减薄的厚度，控制光头下降相同距离。所述化学机械抛光装置光学终点检测精确。
化学机械抛光装置方法

[实用新型]一种用于化学机械研磨的定位环-CN201020260365.5有效
发明人：魏红建;高思玮 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于化学机械研磨的定位环，包括基部和研磨部，所述基部和研磨部均为环形结构，所述研磨部的一面为研磨面，与所述研磨面相对的另一面为结合面，所述基部同所述研磨部的结合面相结合，所述研磨部的研磨面至所述研磨部的结合面间还标注有标尺本实用新型的用于化学机械研磨的定位环可方便的判断定位环是不是到了使用寿命，是否需要及时更换。
一种用于化学机械研磨定位

[发明专利]化学机械研磨方法-CN200910127065.1有效
发明人：仕田裕贵;服部雅幸 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨方法，在采用镶嵌法制造半导体装置的工序中，通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序，化学机械地研磨埋设于配线用凹部的金属配线部以外的应除去的剩余金属配线材料，第一研磨工序和第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体混合物是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物，在第一研磨工序和第二研磨工序中，通过改变水系分散体(I)和水溶液(II)的混合比来改变研磨速度，第二研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度为第一研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度的10～80％。该方法可有效地除去剩余的配线材料，而且能够给予高品质被研磨面。
化学机械研磨方法