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[发明专利]显示设备和制造显示设备的方法-CN202011239736.6在审
发明人：金宰范;金明镐;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示设备包括：基板；基板上的第一有源层；第一有源层上的第一绝缘层；第一绝缘层上的第一栅电极，第一栅电极与第一有源层重叠；第一栅电极上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第二有源层；第二绝缘层上的第一电容器电极，第一电容器电极与第一栅电极重叠；第二有源层和第一电容器电极上的第三绝缘层；第三绝缘层上的第二栅电极，第二栅电极与第二有源层重叠；和第三绝缘层上的第二电容器电极，第二电容器电极与第一栅电极重叠并且电连接到第一电容器电极
显示设备制造方法

[发明专利]有机发光二极管显示器-CN201410592386.X有效
发明人：柳春基 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器。一方面，所述OLED显示器包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极。第一绝缘层至少形成在有源层与栅电极之间，第二绝缘层至少形成在栅电极与源电极和漏电极之间。所述OLED显示器还包括：第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极；像素电极，包括第一部分和第二部分，第一部分形成在限定于第二绝缘层中的第一开口和限定于第三绝缘层中的第二开口中，第二部分形成在第二开口的外侧。像素限定层形成在像素电极的第二部分和第三绝缘层的上方。限定在像素限定层中的第三开口具有比第二开口的面积大的面积。
有机发光二极管显示器

[发明专利]显示装置-CN202010165311.9在审
发明人：李镇禹;金珍泽;金连洪;李弼锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示装置包括：基板；基板上的缓冲层；缓冲层上并且彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；第一有源图案和第二有源图案上的第一栅绝缘层；第一栅绝缘层上的第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极分别与第一有源图案和第二有源图案重叠；第一栅电极和第二栅电极上的第二栅绝缘层；以及第二栅绝缘层上的电容器电极，电容器电极与第一栅电极重叠，其中第一栅绝缘层的介电常数大于缓冲层的介电常数。
显示装置

[发明专利]一种用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法-CN201410796448.9在审
发明人：邱龙臻;朱闵;王迎;王庆贺 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法，包括：在基片的栅绝缘层上形成亲水区域；合成原子转移自由基聚合（ATRP）硅烷末端引发剂,溶液法将以上ATRP硅烷末端引发剂生长在基片的绝缘层上，形成ATRP引发剂单分子层。ATRP引发剂单分子层引发单体在基片表面发生原子转移自由基聚合，通过聚合反应在基片表面形成一层聚合物分子刷作为喷墨打印有机薄膜晶体管栅绝缘层的修饰层；通过控制聚合时间，不同程度的改变聚合物分子刷修饰层的膜厚
一种用于喷墨打印有机薄膜晶体管绝缘修饰方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202110195811.1在审
发明人：李冠锋;刘敏钻;许乃方 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括：一基板；一第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括一第一主动层、一第一栅绝缘层、以及一第一栅极；以及一第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括一第二主动层、一第二栅绝缘层、以及一第二栅极；其中该第一栅绝缘层设置于该第一栅极与该第一主动层之间，且该第一栅绝缘层接触该第一主动层，其中该第二栅绝缘层设置于该第二栅极与该第二主动层之间，且该第二栅绝缘层接触该第二主动层，其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料，其中该第二栅绝缘层的氢浓度不同于该第一栅绝缘层的氢浓度。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201710225564.9有效
发明人：李冠锋;刘敏钻;许乃方 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括：一基板；一第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括一第一主动层、一第一栅绝缘层、以及一第一栅极；以及一第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括一第二主动层、一第二栅绝缘层、以及一第二栅极；其中该第一栅绝缘层设置于该第一栅极与该第一主动层之间，且该第一栅绝缘层接触该第一主动层，其中该第二栅绝缘层设置于该第二栅极与该第二主动层之间，且该第二栅绝缘层接触该第二主动层，其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料，其中该第二栅绝缘层的氢浓度不同于该第一栅绝缘层的氢浓度。
显示装置及其制造方法

[发明专利]采用小分子有机半导体材料的液晶显示器件及其制造方法-CN200510079768.3有效
发明人：徐铉植;白承汉;崔洛奉 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：薄膜晶体管毗邻象素区并且包括栅极；具有一顶面的栅绝缘层；栅绝缘层顶面上的源极和漏极；设置在栅绝缘层顶面上的半导体层，源极和漏极之间的半导体层限定一沟道区，半导体层包括小分子有机半导体材料；以及覆盖沟道区的第一钝化层，第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。
采用分子有机半导体材料液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]一种NOR型浮栅存储器及制备方法-CN201710329509.4在审
发明人：冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种NOR型浮栅存储器及制备方法，包括：衬底；形成在衬底表面的源极、漏极与沟道区，源极和漏极分别位于沟道区的两侧；形成在沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；形成在浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层；形成在隔离绝缘层、侧壁绝缘层和浮栅的上方的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上方的控制栅；形成在所述控制栅上方的字线；源极和漏极复用为位线。本发明实施例提供了一种NOR浮栅存储器及制备方法，将源极和漏极复用为位线，简化了器件结构，并且增大了控制栅的面积，减小了每一个存储单元的尺寸，减小了源极和漏极的电阻。
漏极源极侧壁绝缘层浮栅存储器隔离绝缘层沟道区控制栅浮栅制备层间绝缘层复用减小位线隧穿氧化层衬底表面存储单元浮栅侧壁器件结构衬底电阻字线

[实用新型]一种NOR型浮栅存储器-CN201720520694.0有效
发明人：冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种NOR型浮栅存储器，包括衬底；形成在衬底表面的源极、漏极与沟道区，源极和漏极分别位于沟道区的两侧；形成在沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；形成在浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层；形成在隔离绝缘层、侧壁绝缘层和浮栅的上方的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上方的控制栅；形成在所述控制栅上方的字线；源极和漏极复用为位线。本实用新型实施例提供了一种NOR浮栅存储器，将源极和漏极复用为位线，简化了器件结构，并且增大了控制栅的面积，减小了每一个存储单元的尺寸，减小了源极和漏极的电阻。
一种 nor 型浮栅存储器

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN202210311915.9在审
发明人：具元泰;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：半导体器件包括：衬底，在垂直方向设置在衬底上的铁电层，设置在铁电层上的电荷俘获层，设置在电荷俘获层上的栅极绝缘层，以及设置在栅极绝缘层上的栅电极层。电荷俘获层包括金属有机骨架层和嵌入金属有机骨架层中的金属颗粒。
半导体器件制造方法

[发明专利]显示装置、制造显示装置的方法和电子设备-CN202210916170.9在审
发明人：金根佑;姜泰旭;裵俊佑;丁有光;赵晟原;朱在焕;崔相虔 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：该显示装置包括：基板；以及多个像素电路，在基板上，多个像素电路中的至少一个像素电路包括：有源层，包括第一区和第二区；栅绝缘层，在有源层上，栅绝缘层包括与第一区和第二区重叠的第一绝缘层、在第一绝缘层上并且与第一区重叠的第二绝缘层以及在第二绝缘层上并且与第一区和第二区重叠的第三绝缘层；以及第一导电层，在栅绝缘层上，第一导电层包括与第一区重叠以形成驱动晶体管的第一栅电极以及与第二区重叠以形成开关晶体管的第二栅电极。栅绝缘层的与第一区重叠的第一部分的厚度大于栅绝缘层的与第二区重叠的第二部分的厚度。
显示装置制造方法电子设备

[实用新型]显示装置和包括显示装置的电子设备-CN202222006312.6有效
发明人：金根佑;姜泰旭;裵俊佑;丁有光;赵晟原;朱在焕;崔相虔 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10K59/124 文献下载
摘要：该显示装置包括：基板；以及多个像素电路，在基板上，多个像素电路中的至少一个像素电路包括：有源层，包括第一区和第二区；栅绝缘层，在有源层上，栅绝缘层包括与第一区和第二区重叠的第一绝缘层、在第一绝缘层上并且与第一区重叠的第二绝缘层以及在第二绝缘层上并且与第一区和第二区重叠的第三绝缘层；以及第一导电层，在栅绝缘层上，第一导电层包括与第一区重叠以形成驱动晶体管的第一栅电极以及与第二区重叠以形成开关晶体管的第二栅电极。栅绝缘层的与第一区重叠的第一部分的厚度大于栅绝缘层的与第二区重叠的第二部分的厚度。
显示装置包括电子设备

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的平板显示器-CN201210311792.5在审
发明人：安定根;李王枣 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述半导体器件包括位于衬底上的半导体层、通过栅绝缘层与半导体层电绝缘的栅电极、位于栅绝缘层和栅电极上的绝缘层以及位于绝缘层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极与半导体层连接。源电极和漏电极之一与栅电极的至少一部分重叠。源电极和漏电极之一、绝缘层和栅电极彼此重叠，以便提供电容器。
半导体器件包括平板显示器

[发明专利]复位侧壁浮栅存储结构闪存-CN200710170536.8无效
发明人：张博;孔蔚然 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一种复位侧壁浮栅存储结构闪存，包括衬底、形成于衬底上的源/漏区以及隧道氧化层、形成于隧道氧化层上的栅极，所述的栅极由堆栈浮栅、堆栈绝缘层、控制栅自下而上一次淀积而成，栅极的侧面有侧壁浮栅，包括形成于堆栈浮栅侧面的侧壁绝缘层、形成于侧壁绝缘层外侧的浮栅、形成于浮栅外侧的浮栅绝缘层，以及侧壁浮栅外围的绝缘膜。
复位侧壁存储结构闪存

[发明专利]一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构器件-CN201110267136.5无效
发明人：王彬 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提出一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构器件。该MIM结构器件包括玻璃衬垫，下电极，栅绝缘层，上电极；该下电极呈分离的块状等间隔的位于玻璃衬垫的上部，该栅绝缘层覆盖在整个下电极上，并与玻璃衬垫紧密接触，该上电极呈分离的块状等间隔的位于该栅绝缘层的上部通过测试SiNx绝缘层的MIM结构器件，能够准确快速的检测出SiNx绝缘层，以及SiNx绝缘层的介电性能，为薄膜晶体管(TFT)及其栅绝缘层的性能提供了准确工作的依据。
一种用于测试 sinx 绝缘 mim 结构器件