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[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备-CN200710142674.5有效
发明人：柳慧英;金彰洙;姜秀馨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-08-20 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：在薄膜晶体管(TFT)基板中，栅极绝缘层布置于电连接到栅极线的栅电极上。半导体层设置于栅极绝缘层上。源电极电连接到与栅极线相交的数据线。漏电极面对源电极并界定半导体层的沟道区域。有机层设置于数据线上并具有暴露沟道区域的第一开口。无机绝缘层设置于有机层上。像素电极设置于无机绝缘层上且电连接到漏电极。无机绝缘层覆盖第一开口，且无机绝缘层的厚度基本均匀。
薄膜晶体管及其制造方法具有显示设备

[发明专利]一种基于氘气等离子体轰击工艺的顶栅底接触器件及其制造方法和有机场效应晶体管-CN202210404902.6在审
发明人：高如天;孙猛 -专利权人：苏州金宏气体股份有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氘气等离子体轰击工艺的顶栅底接触器件结构，包括衬底、栅电极、绝缘层、半导体层、源漏电极；所述半导体层为有机聚合物旋涂与所述衬底和所述源漏电极表面，经氘气产生等离子体轰击工艺，将所述半导体层表面的聚合物单体钝化处理转化为绝缘层，使所述绝缘层和所述半导体层具有一体结构。采用了本发明的技术方案，无需重新选择材料再单独制备绝缘层，而是通过氘气等离子体轰击技术，形成的绝缘层表面能非常低，当在绝缘层上再次进行真空蒸镀铝形成栅极层时，栅极层能够与绝缘层很好的结合，避免了脱落的技术问题
一种基于等离子体轰击工艺顶栅底接触器件及其制造方法有机场效应晶体管

[发明专利]液晶显示器件的阵列基板及其制造方法-CN200710127553.3有效
发明人：崔洛奉;徐铉植 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于液晶显示器件的阵列基板，包括：基板上的数据线；与所述数据线接触的源极，与所述源极间隔分开的漏极以及与所述漏极连接的像素电极，其中所述源极、漏极和像素电极各包括透明导电材料；与所述源极和漏极接触的有机半导体层；在所述有机半导体层上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的栅极；在所述栅极上的第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露出所述栅极的栅接触孔；以及在所述第一钝化层上的栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与所述栅极连接。
液晶显示器件阵列及其制造方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201510552558.5有效
发明人：李一正;孙世完;朴永祐;李旺宇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括薄膜晶体管(TFT)的栅电极和电连接到栅电极的栅极布线，栅电极和栅极布线形成在不同的层上并使绝缘层介于栅电极和栅极布线之间。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管-CN201110122095.0无效
发明人：程晓曼;郑宏;赵赓;田海军 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，包括栅电极、复合绝缘层、有源层、修饰层和源漏电极，其中修饰层为8-羟基喹啉铝并作为电极/有源层的阻挡层，栅电极为重掺杂磷的硅衬底，复合绝缘层包括SiO2绝缘层和PMMA绝缘层，有源层为高迁移率的n型有机小分子材料C60，源漏电极为金属铝。本发明的优点是：以8-羟基喹啉铝作为电极/有源层界面修饰层的有机场效应晶体管，能够获得更高的电子注入效率，进而获得更高的迁移率和更低的阈值电压，而且能够有效的阻挡金属原子向有源层渗透，本发明提供了一种提高n型有机场效应器件性能的较为简单实用的方法。该有机场效应晶体管的制备方法工艺简单、易于实施，便于推广应用。
一种羟基喹啉修饰 c60 有机场效应晶体管

[发明专利]一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置及其制造方法-CN201310753193.3在审
发明人：刘思呈 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置，包括：衬底以及衬底上形成的基底绝缘层；栅电极、源电极和漏电极，其中，栅电极设在基底绝缘层上，在栅电极与源电极和漏电极之间形成栅电极绝缘层，氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层包括源区和漏区，和用以提供源电极和漏电极之间导电沟道的沟道区；钝化层，其设在部分栅电极绝缘层、源电极、漏电极以及氧化物半导体层上；遮光层，其设在所述钝化层上用以遮挡外界光射到所述氧化物半导体层；包括第一电极和第二电极的有机发光体，其中所述第一电极的一部分穿过所述钝化层与所述源电极或者漏电极电连接。
一种具有氧化物薄膜电晶体发光装置及其制造方法

[发明专利]显示装置的制造方法-CN201110201476.8有效
发明人：吴俊鹤;宋根圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公开一种制造显示装置的方法，包括：在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极导体；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；通过在所述栅极绝缘层上涂覆金属材料形成金属层；通过向所述金属层涂覆透明电极材料形成透明电极层；对所述透明电极层构图，从而跨越所述栅电极将其划分为两部分；对所述透明电极层退火；对所述金属层构图以具有沟道区，使之被跨越所述栅电极划分为两部分；以及在所述沟道区内形成有机半导体层。
显示装置制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和显示装置-CN201210260594.0无效
发明人：张学辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，涉及液晶显示技术领域，用于提高有机薄膜晶体管阵列基板的制备效率。本发明中，通过一次构图工艺在基板上形成像素电极的图形层、以及位于像素电极的图形层之上的源电极与数据线的图形层和漏电极的图形层；通过一次构图工艺形成覆盖在源电极与数据线的图形层和漏电极的图形层上的有机半导体层、以及覆盖在有机半导体层上的栅绝缘层；通过一次构图工艺在形成有栅绝缘层的基板上形成栅电极与栅线的图形层。采用本发明，提高了有机薄膜晶体管阵列基板的制备效率。
有机薄膜晶体管阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法-CN201810995027.7有效
发明人：刘振定;左博文;安亚斌;蔺聪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：所述结构包括：基底；有源层，所述有源层设置在所述基底上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅绝缘层与所述有源层边沿对应的区域为爬坡区，位于所述爬坡区内部的区域为平面区；栅极层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层上，包括相接的第一栅部和第二栅部，所述第一栅部覆盖所述平面区，所述第二栅部覆盖所述爬坡区，所述第一栅部和/或第二栅部为镂空图案以露出所述栅绝缘层。通过本发明实施例，在测试栅绝缘层的击穿电压时，可以根据击穿位置确定平面区和爬坡区哪一个被击穿，以及哪一个先被击穿，并且可以根据击穿现象准确得知栅绝缘层的膜层状况。
一种击穿测试结构显示面板方法

[发明专利]含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法-CN03105024.7有效
发明人：阎东航;袁剑峰;严铉俊 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2003-03-03 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种含有保护层的有机半导体场效应晶体管，包括衬底(1)，栅电极(2)形成在衬底(1)上，栅绝缘层(3)形成在衬底(1)和栅电极(2)上，第一半导体层(4)形成在栅绝缘层(3)上，第二半导体层(6)形成在第一半导体层(4)上，保护层(5)形成在第二半导体层(6)上，源/漏电级(7)形成在保护层(5)刻蚀孔处和半导体层(4)上。本发明的特征是采用两种或两种以上有机材料来共同构成有源半导体层，含有保护层。
含有保护层有机半导体场效应晶体管制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201510184202.0有效
发明人：李娟;张建军;吴玉祥;熊绍珍;蔡宏琨;倪牮;杜阳阳 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成，其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜，各层薄膜的厚度为：栅电极1μm、栅绝缘层200‑400nm、有源沟道层200‑300nm本发明的优点是：该薄膜晶体管将有机/无机复合钙钛矿材料用于薄膜晶体管的有源沟道层，结合了无机半导体的高迁移率和有机半导体的柔韧、便宜，低温易制备等优点，既具有比有机薄膜晶体管更高的驱动能力，同时又兼具简单
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种多功能有机场效应晶体管、制备方法及应用-CN202310780374.9在审
发明人：仪明东;钱浩文;王宇;沈筠皓;赵赳;李雯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种多功能有机场效应晶体管、制备方法及应用。多功能有机场效应晶体管，包括，栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的共混层；共混层由聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}、6,13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯的混合溶液在所述栅绝缘层表面一步涂覆、干燥后制成；位于共混层表面的源电极和漏电极。本发明提供的多功能有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统具有巨大的应用潜力。
一种多功能有机场效应晶体管制备方法应用

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201310091796.1有效
发明人：吴政燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存器件及其制造方法，所述非易失性存储器件包括：栅结构，所述栅结构形成在衬底之上，每个栅结构包括顺序层叠的隧道绝缘层、浮栅、栅间电介质层以及控制栅；保护层，所述保护层形成在浮栅的侧壁上；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖栅结构，并且具有形成在栅结构之间的空气间隙，其中，第二绝缘层与保护层之间的粘合强度比第二绝缘层与栅结构之间的粘合强度更小。
栅结构绝缘层保护层非易失性存储器件粘合浮栅绝缘层覆盖隧道绝缘层电介质层非易失性空气间隙控制栅强度比侧壁衬底制造

[发明专利]制造非易失性存储器件的方法-CN200610149294.X无效
发明人：郑永天;权喆纯;俞在玟;朴在铉;林智云;尹仁丘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-17 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在制造非易失性存储器件的方法中，在基底上形成第一栅绝缘层及导电层，然后部分氧化该导电层形成氧化层图案。通过利用氧化层图案作为蚀刻掩模部分蚀刻该导电层以在第一栅绝缘层上形成浮置栅电极，然后在包括浮置栅电极的基底上形成硅层。氧化该硅层，以在浮置栅电极的侧壁上以及邻近该浮置栅电极的基底的表面部分形成隧道绝缘层和第二栅绝缘层；然后在该隧道绝缘层及该第二栅绝缘层上形成控制栅电极。本发明可以抑制在形成隧道氧化层的热氧化工艺中发生在浮置栅电极上的浮置栅电极的端头轮廓的变化和栅绝缘层的厚度变化。因此，可以改进非易失性存储器件的数据擦除特征和数据编程特征。
制造非易失性存储器方法

[发明专利]形成半导体器件中的自对准接触的方法-CN99109049.7有效
发明人：赵昶贤;李圭现;李宰求;郑相燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-06-15 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，其中SAC开口与栅间隔层同时形成。形成其上具有栅电极和帽盖层的叠置栅图形之后，淀积用于栅间隔层的绝缘层。在该绝缘层上淀积层间绝缘层。该层间绝缘层具有相对于帽盖层和绝缘层的腐蚀选择性。在层间绝缘层中进行SAC开口，并同时形成栅间隔层。
形成半导体器件中的对准接触方法