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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示基板、制造其的方法和包括其的显示装置-CN202011049272.2在审
发明人：赵晟原;丁有光;崔大元;金善一;裵水斌;吕伦钟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示基板包括：基板；在基板上的第一栅电极；在第一栅电极上的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上的有源层；在有源层上的第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上的第二栅电极；在第二栅电极上的层间绝缘层；第一电极，该第一电极在层间绝缘层上，以经由通过层间绝缘层、第二栅绝缘层、有源层以及第一栅绝缘层的一部分的第一接触孔接触有源层的顶表面、侧壁和底表面；以及第二电极，该第二电极在层间绝缘层上，以经由通过层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层的第二接触孔接触第一栅电极
显示制造方法包括显示装置

[发明专利]以表面浮雕结构来增强载流子迁移率的有机薄膜晶体管-CN200410100501.3无效
发明人：慎重汉;韩国珉;徐银美;巴马托夫·伊夫吉尼;希贝夫·瓦莱里 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-10-10 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种有机薄膜晶体管，包括：衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极，其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。依照本发明，不管是否使用有机绝缘材料，都可得到电性能增强的有机薄膜晶体管。
表面浮雕结构增强载流子迁移率有机薄膜晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管-CN201580009200.6在审
发明人：新居辉树 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管，其为具有基板、设置在基板上的栅极电极、覆盖栅极电极而设置的第一栅极绝缘层、设置在第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层、设置在第二栅极绝缘层上的有机半导体层、以及与有机半导体层接触地设置且藉由有机半导体层连结的源极电极和漏极电极的底栅型有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管中，对第一栅极绝缘层的第二栅极绝缘层侧表面实施取向处理，第二栅极绝缘层为使沿取向处理进行了取向的聚合性液晶性化合物在取向状态下聚合固定化而形成的层。
有机薄膜晶体管

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201210193225.4有效
发明人：朴鲜;李律圭;柳春基 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置具有包括有源层、包括下栅电极和上栅电极的栅电极、覆盖栅电极的绝缘层以及在绝缘层上形成的且接触有源层的源电极和漏电极的薄膜晶体管。有机发光二极管电连接至薄膜晶体管并且包括与下栅电极形成在相同层级的像素电极、包括发射层的中间层和对置电极。在与下栅电极相同的层级形成下焊盘电极，在与上栅电极相同的层级形成上焊盘电极。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管及制备方法-CN02130962.0有效
发明人：阎东航;袁剑峰 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2002-09-23 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管，包括衬底(1)、在衬底(1)上形成的栅极(2)，在栅极上面形成栅绝缘层，在绝缘层上形成源电极(5)和漏电极(6)，在源电极(5)及漏电极(6)上形成半导体有源层(7)，绝缘层为不同介电常数的第一绝缘层(3)和第二绝缘层(4)。本发明在不增加光刻等常规复杂工艺仅增加旋涂或蒸镀第二层绝缘膜和自对准干法刻蚀两步简单工序的情况下，就可以改善载流子的注入特性从而提高OTFT器件的性能，而且还可以阻断栅绝缘膜的漏电流、降低器件的寄生电容这样，既可以采用高介电材料作为栅绝缘层，增大沟道电容，降低器件的开启电压，同时，降低栅源和栅漏漏电流对器件的不利影响。
有机薄膜晶体管制备方法

[发明专利]发光设备及其制造方法-CN02157581.9有效
发明人：山崎舜平;村上智史;坂仓真之;高山彻 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-11-08 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。该发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括半导体下表面上的第一无机绝缘层，栅电极上表面上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上遍布的布线层，第二有机绝缘层和布线层的末端重叠且具有35－45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在布线层上有开口的第四无机绝缘层，与布线层接触形成且具有与第四无机绝缘层相重叠的侧端，与阴极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阳极层，第三和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。
发光设备及其制造方法

[发明专利]可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法和应用-CN201811476217.4有效
发明人：胡文平;郑磊;张小涛 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：对衬底进行十八烷基三氯硅烷的修饰，修饰后在衬底上蒸镀可导电的薄膜作为栅电极，在栅电极上涂覆并固化一层薄膜作为绝缘层，通过蹭涂的方式将二维片状有机单晶转移至绝缘层上，在二维片状有机单晶两侧的绝缘层上真空掩膜蒸镀源极和漏极，真空掩膜蒸镀完成后，得到器件，将栅电极以及位于该栅电极上的绝缘层、源极、漏极和二维片状有机单晶转移至处理后纤维上，得到可编织纤维状有机光电场效应晶体管，本发明预先在平面状衬底上制备独立的有机光电场效应晶体管器件，可以保证转移后，能够在各种纤维状衬底上制备线性器件。
编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法应用

[发明专利]有机发光显示器及其制造方法-CN201510072175.8有效
发明人：崔千基 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：公开了一种有机发光显示器及其制造方法。所述有机发光显示器包括像素电路以将电流供给至有机发光器件。像素电路包括开关晶体管和驱动晶体管。开关晶体管包括位于第一栅电极和氧化物半导体层之间的第一绝缘层。驱动晶体管包括位于有源层上的第二栅电极。第一绝缘层位于有源层和第二栅电极之间。
有机发光显示器及其制造方法

[发明专利]一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管及其制备方法-CN201510348850.5在审
发明人：钱宏昌;唐莹;郑亚开;马力超;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供的一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管，其结构如图1所示，由图可知该有机场效应晶体管为底栅顶接触式，包括源电极(1)、漏电极(2)、有机半导体层(3)、绝缘层(4)、栅电极(5)和衬底(6)；该传感器中，构成衬底的材料为硅；构成栅电极的材料为金属金；构成绝缘层的材料为二氧化硅；构成有机半导体层的材料为并五苯；构成源电极和漏电极的材料为金属金。绝缘层采用中空结构，形成横梁，有机半导体层覆盖于横梁上方，当有机场效应晶体管受到震动影响时有机半导体层和绝缘层界面处发生变化，有机场效应晶体管载迁移率改变。
一种机械结构震动传感有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种光调控三端口人工突触器件及制备方法-CN201911196975.5有效
发明人：仪明东;马可;郭云;曹克阳 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法，所述器件的结构包含衬底；位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层；位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层；位于所述有机半导体层上的半导体沟道层；位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成，既保留了器件的器件特性，又优化器件结构；其制备方法操作简单，成本低廉，适宜大规模生产；可应用于人工智能和视觉神经网络领域。
一种调控端口人工突触器件制备方法

[发明专利]基板及其制备方法、显示面板和显示装置-CN201710166225.8有效
发明人：赵娜;邓立赟 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种基板，该基板包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定像素区域；设置在所述像素区域中的薄膜晶体管；依次设置在所述薄膜晶体管上的有机绝缘层和无机钝化层；所述有机绝缘层至少在与所述无机钝化层相接触的部分设置有凹凸不平的结构。本公开通过将有机绝缘层的至少与无机钝化层相接触的部分设置成凹凸不平的结构来增加无机钝化层与有机绝缘层的接触面积，从而释放了无机钝化层中易于导致裂纹的内应力，进而减少或者消除了无机钝化层脱落现象的发生。
及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]晶体管结构及其制作方法-CN201410008233.6在审
发明人：徐振航;王裕霖;王旨玄;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：晶体管结构配置于基板上且包括栅极、有机半导体层、栅绝缘层以及图案化金属层。栅绝缘层配置于栅极与有机半导体层之间。图案化金属层具有导电氧化表面，且图案化金属层区分为源极及漏极。有机半导体层的一部分暴露于源极与漏极之间。导电氧化表面直接接触有机半导体层。
晶体管结构及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法以及有机发光显示设备-CN201210300799.7在审
发明人：金大宇;朴钟贤 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、其制造方法以及有机发光显示设备。所述薄膜晶体管阵列基板可以包括：薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、被布置在有源层与栅电极之间的第一绝缘层以及被布置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；像素电极，被布置在第一绝缘层上并且包括与栅电极相同的材料；电容器，包括与有源层布置在同一层上的第一电极和与栅电极布置在同一层上的第二电极；焊盘电极，被布置在第二绝缘层上并且包括与源电极和漏电极相同的材料；保护层，形成在焊盘电极上；以及第三绝缘层，形成在保护层上并且暴露像素电极
薄膜晶体管阵列制造方法以及有机发光显示设备

[发明专利]有机发光二极管显示器-CN201410138809.0有效
发明人：文重守;方铉喆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光二极管（OLED）显示器包括衬底、彼此分离地位于所述衬底的相同表面上的第一半导体层和第二半导体层、位于所述第一半导体层和所述第二半导体层上的第一绝缘层、分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层重叠的第一栅电极和第二栅电极、位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上的第二绝缘层、与所述第一栅电极重叠且位于所述第二绝缘层上的第一储能电极、位于所述第一储能电极上的第三绝缘层、以及与所述第一储能电极重叠且位于所述第三绝缘层上的第二储能电极
有机发光二极管显示器

[发明专利]一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN201510359744.7有效
发明人：仪明东;舒景坤;解令海;李雯;胡波;杨洁;王涛;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片，所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法

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