“有机介质层 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4079667个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种晶圆级多层布线结构及其制备方法-CN202010586680.5有效
发明人：李宝霞;何亨洋;武忙虎 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明一种晶圆级多层布线结构，通过上层有机介质层包裹相邻下层的金属布线层和有机介质层，使有机介质层的边缘均固定在基底上，将原先第一层有机介质层和基底的交界面边缘所承受的工艺侵蚀和工艺攻击，分摊到各层有机介质层和基底的交界面边缘，极大的降低了有机介质层和基底的交界面边缘分层起皮的风险。一种晶圆级多层布线结构的制备方法，通过光刻版中的有机介质层图形边沿随有机介质层层数增高逐层外扩，使得随着多层金属布线结构制备过程的进行，各层有机介质层与基底的交界面边缘也在逐层外扩，制备成型的有机介质层将上一层有机介质层完全包裹在其内部结构简单，能有效降低有机介质边缘分层起皮风险，降低工艺难度，提高工艺良率。
一种晶圆级多层布线结构及其制备方法

[发明专利]一种金属表面保护层及其制备方法-CN201910368740.3在审
发明人：李军甫;王再德;张胜超;韩鹏;李帅;马焕明;马梦男 -专利权人：中信戴卡股份有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明提供一种金属表面保护层及其制备方法，所述金属表面保护层从内到外包括有机介质层、金属镀膜层和透明粉层；其中，所述有机介质层为在待处理金属表面喷涂有机介质粉末形成；所述金属镀膜层为在所述有机介质层上通过磁控溅射PVD镀形成，所述有机介质层在做所述磁控溅射PVD镀之前，经过表面活化和清洁处理；所述透明粉层为在所述金属镀膜层上喷涂透明粉形成。本发明提供的金属表面保护层及其制备方法，提高了有机介质层与金属镀膜层之间的附着力。
有机介质层金属表面保护金属镀膜层制备磁控溅射透明粉层附着力金属表面喷涂表面活化清洁处理有机介质透明粉喷涂

[发明专利]电容器件及其制造方法-CN201110132733.7无效
发明人：刘明;刘欣;姬濯宇;商立伟;谢常青;李冬梅;韩买兴;陈映平;王宏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电容器件，包括：下电极；下电极上的介质层，其中，所述介质层包括有机介质层；介质层上的上电极。通过形成包括有机介质层的介质层，有机介质层具有更好的电子俘获能力，可以减少电容器件的漏电，从而提高电容器件的性能。
电容器件及其制造方法

[发明专利]柔性有机发光二极管显示面板、显示装置及其制作方法-CN201710167007.6有效
发明人：金健;苏聪艺 -专利权人：上海天马有机发光显示技术有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性有机发光二极管显示面板、显示装置及其制作方法，包括：基板，包含显示区和非显示区；有机发光器件，设置于基板的显示区；封装薄膜，覆盖有机发光器件，且封装薄膜包含至少一有机层和至少一无机层；至少两个挡墙结构，设置于基板的非显示区，相邻两个挡墙结构之间间隔设置，其中，至少部分挡墙结构被封装薄膜覆盖；还包括：设置于至少相邻两个挡墙结构之间的有机介质层，有机介质层设置在基板上，其中，有机介质层被至少一层无机层覆盖由于在挡墙结构之间填充了无机层和有机介质层，有机介质层能够有效吸收无机层在多次弯折时产生的应力，避免挡墙结构之间产生裂纹。
柔性有机发光二极管显示面板显示装置及其制作方法

[实用新型]全反射反光板-CN200520078686.2无效
发明人：赵英;刘桦 -专利权人：赵英
申请日： 2005-04-27 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：它至少由光密有机介质层、光疏有机介质层和反光基板或反光底层依次层状复合而成，所述光密有机介质层和光疏有机介质层均采用不结晶或低结晶的透明聚合物，并且两个透明聚合物的折射率之差≥0.03，如光密有机介质层可采用PC、有机硅或PMMA等，光疏有机介质层可采用氟树脂。当入射光透过光密介质层进入光疏介质层时可产生全反射现象，而透过光疏介质层的剩余入射光又可被反光基板反射，使该反光板的反光率大大提高，具备了全反射性能。再者，有机材料可对反光基板的反光面形成保护，避免了因使用时间增长而产生的反光面被腐蚀和变灰、变白的现象，保证了产品的全反射性能和使用的稳定性。
全反射光板

[发明专利]图形化方法-CN201310382866.9有效
发明人：周俊卿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种图形化方法，包括提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上由下至上依次形成富碳层和有机介质层；在所述有机介质层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述有机介质层和所述富碳层，形成图形化的有机介质层和图形化的富碳层，所述图形化的有机介质层和图形化的富碳层中形成了窗口，所述窗口侧壁和图形化的有机介质层上表面附着有残渣；去除所述残渣；去除所述残渣后，通过所述窗口刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的待刻蚀层。本发明提供的图形化方法得到的图形化的待刻蚀层形貌良好，且尺寸精确。
图形方法

[发明专利]系统级封装的方法-CN200810041830.3有效
发明人：黄河;高大为;蒲贤勇;陈轶群;刘伟;谢红梅;杨广立;钟旻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-18 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种系统级封装方法，包括：提供一晶圆，晶圆上依次形成有层间介质层和焊盘，层间介质层和晶圆内有通孔；在层间介质层和通孔内形成绝缘介质层，且曝露出焊盘；在绝缘介质层和焊盘上形成金属层；在金属层上形成有机层，所述有机层填充满通孔；在有机层内形成与金属层连接的凸点；刻蚀金属层及有机层至露出绝缘介质层，形成金属连接点阵列。
系统封装方法

[发明专利]高性能底接触有机薄膜晶体管-CN201110183353.6在审
发明人：李元元 -专利权人：康佳集团股份有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能底接触有机薄膜晶体管，要解决的技术问题是增大载流子的注入面积，减小器件电极与功能层材料之间的接触电阻，降低TFT沟道有机半导体材料与电极之间的功函数差。本发明采用以下技术方案：一种高性能底接触有机薄膜晶体管，由衬底、设在衬底上表面的栅介质层、设在栅介质层上的有机功能层及设在有机功能层内与栅介质层相接触的电极组成，所述电极4与栅介质层之间设有有机牺牲层。与现有技术相比，采用在电极与栅介质层的接触面设置一层有机牺牲层，改善有机半导体材料与电极之间的接触，从而改善载流子的注入电阻。
性能接触有机薄膜晶体管

[发明专利]有机发光显示面板及其制作方法-CN201710631510.2有效
发明人：柴慧平;丁洪;杜凌霄;杨康 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种有机发光显示面板及其制作方法。有机发光显示面板包括基板、形成在基板上的有机发光功能层以及介质层；其中：有机发光功能层包括距离基板由近及远的阳极层、发光材料层和阴极层；介质层位于阴极和基板之间，介质层包括多个介质块；至少一部分的介质块远离阴极的表面形成台阶，台阶使介质块的侧壁形成断差，断差划分阴极层形成多个相互分离的阴极。按照本申请实施例的方案，通过在有机发光显示面板的介质层上形成多个介质块，并在介质块远离阴极的表面形成台阶，以使介质块的侧壁形成断差，从而使得该断差可以将阴极层划分形成多个相互分离的阴极，可以避免整面阴极由于材料活性高而无法进行蚀刻分割的问题
有机发光显示面板及其制作方法

[发明专利]3D滤波电路与3D滤波器-CN202110685700.9在审
发明人：王晓东;何成功;左成杰;何军 -专利权人：安徽安努奇科技有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H03H1/00 文献下载
摘要：该3D滤波电路包括至少一个多层结构；多层结构包括至少两层导电层和至少一层有机介质层，有机介质层设置于不同的导电层之间；多层结构用于形成至少一个电容。本方案至少两层导电层与至少一层有机介质层垂直投影交叠部位的导电层作为电容的电极板；至少两层导电层与至少一层有机介质层垂直投影交叠部位的有机介质层作为电容的电介质。有机介质层具有多样化的组成结构和宽广的调节空间性能，能够很好地调节电容的性能，使电容满足高性能的要求。
滤波电路滤波器

[发明专利]一种低电压有机薄膜晶体管及其制备方法-CN200910312759.2无效
发明人：商立伟;姬濯宇;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子技术领域。所述有机薄膜晶体管包括：绝缘衬底、在绝缘衬底上的栅电极、覆盖绝缘衬底和栅电极的栅介质、在栅介质上的源电极和漏电极，以及覆盖栅介质和源、漏电极的有机半导体层。所述方法包括：首先，在绝缘衬底上制备栅电极；其次，在绝缘衬底和栅电极的表面制备介质层；然后，在介质层上制备源、漏电极；最后，在介质层和源电极、漏电极上沉积有机半导体层，完成器件的制备。本发明采用原子层沉积法制备较薄的金属氧化物薄膜作为介质层，大幅度增加了有机薄膜晶体管器件的电容，从而降低器件的电压，获得低工作电压的有机薄膜晶体管。
一种电压有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种晶圆级封装线路层互连集成电感及其制造方法-CN201711171272.8有效
发明人：孙鹏;任玉龙;周予虹 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级封装线路层互连集成电感结构，包括：晶圆；设置在所述晶圆表面的绝缘层；位于所述绝缘层上的第一金属；覆盖于所述第一金属及所述绝缘层的第一有机介质层；位于所述第一有机介质层上的第二金属和第三金属；覆盖于所述第二金属、第三金属以及所述第一有机介质层上的第二有机介质层，以及电连接到所述第一金属和第三金属，并在第二有机介质层表面形成导电线路的互连金属。
一种晶圆级封装线路互连集成电感及其制造方法

[发明专利]一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法-CN200710177796.8有效
发明人：甄丽娟;商立伟;刘兴华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，利用一次掩膜光刻同时定义出有机薄膜晶体管的源漏栅电极，包括：在衬底正面形成具有透光性的有机绝缘栅介质层；用保护卡具保护有机绝缘栅介质层，腐蚀衬底的背面至介质层镂空；在有机绝缘层正面和背面涂光刻胶，从正面对光刻胶进行曝光，同时曝光背面光刻胶，在显影液中显影，形成源漏电极的正性光刻胶掩模版和栅电极的负性光刻胶掩模版；在有机绝缘介质层正面、正性光刻胶掩模版、有机绝缘介质层背面和负性光刻胶掩模版上形成金属层，剥离形成源、漏、栅电极；在有机绝缘介质层正面，源漏电极上形成有机半导体层。本发明能够与传统的硅平面工艺兼容，制备的有机薄膜晶体管器件寄生电容小高频特性好。
一次光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极方法

[发明专利]减小光阻剥离过程中对低k材料的损害-CN200980103460.4无效
发明人：肖恩·S·康;赵相俊;托马斯·S·蔡 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-01-27 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种在置于图案化有机掩模下方的多孔低k电介质层中形成特征的方法。将特征穿过该图案化有机掩模蚀刻到该多孔低k电介质层中，然后剥离该图案化有机掩模。该图案化有机掩模的剥离包括提供包含COS的剥离气体、从该剥离气体形成等离子体以及停止该剥离气体。帽层被提供在该多孔低k电介质层和该图案化有机掩模之间。该图案化有机掩模的剥离在该多孔低k电介质层上留下该帽层。
减小剥离过程材料损害

[发明专利]基于隔离与互连的共聚物有机半导体器件及制备方法-CN202310503183.8在审
发明人：张珺;王赋斌;张浩;沈希舟;林昊南;唐蔚宇;汪磊;胡晨晨;牟亚彬;吴鑫;常恒典;郭宇锋;姚佳飞;陈静 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K19/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于隔离与互连的共聚物有机半导体器件及制备方法，包括衬底、光刻阻挡层、绝缘隔离层、N个有机场效应晶体管和N‑1根互连线；光刻阻挡层包括隔离层和无机介质层；隔离层沿长度方向开设有N个纵向贯通的隔离槽；无机介质层包括下介质层和上介质层；下介质层位于N个隔离内，上介质层铺设在隔离层和下介质层顶部；每个有机场效应晶体管均包括半导体层、源极、漏极和栅极；半导体层布设在对应下介质层节段底部的隔离槽内，其材料为有机共聚物本发明有效利用隔离槽以及光刻阻挡层，将不同半导体材料的半导体层进行包裹隔离，从而实现在同一基板上集成不同的有机场效应晶体管，且有机场效应晶体管能实现有效互连。
基于隔离互连共聚物有机半导体器件制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条