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[发明专利]发光二极管晶片分选方法-CN200910262472.3有效
发明人：蔡振扬;欧升明;李建德;陈建发 -专利权人：旺矽科技股份有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管晶片分选方法，是利用晶片独具的特征晶粒以产生一特征晶粒坐标，接着以一点测设备对晶片进行探测并建立一晶粒分布晶片地图，尔后于分选过程中，加入特征晶粒坐标的特征晶粒位置与晶粒分布晶片地图的空穴位置比对，以求确认晶粒分选是否正确；或于晶粒分布晶片地图产生之后，再进行晶片扫描并产生一晶片晶粒坐标与该特征晶粒坐标进行比对，其同样可收到提高晶粒分选正确性与减少错误产生之效。
发光二极管晶片分选方法

[发明专利]半导体晶粒及其制备方法和检测该半导体晶粒裂缝的方法-CN201310582255.9在审
发明人：安东尼大卫维翠斯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测半导体晶粒裂缝的方法，包含下列步骤：提供半导体晶粒，且该半导体晶粒具有外缘，其中沿着外缘在半导体晶粒上形成导电特征部；加偏压于导电特征部；以及测量半导体结构的漏电流以检测半导体晶粒裂缝的扩散本发明还提供一种半导体晶粒及其制备方法，该半导体晶粒具有用以检测晶粒裂缝的布局。该半导体晶粒包含具有外缘的晶粒；以及导电特征部，其沿着外缘位于晶粒上，其中外部引脚加偏压于导电特征部。
半导体晶粒及其制备方法检测裂缝

[发明专利]一种晶粒结构评价方法及系统-CN202011251581.8有效
发明人：陈曦;兰金明;陈昊;邬冠华;敖波;吴伟 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶粒结构评价方法及系统，该方法获取参考试块中晶粒的多个结构特征；根据多个所述结构特征通过类圆映射方法确定融合特征；采用费马螺旋线对多个参考试块对应的多个融合特征进行拟合，确定螺旋可视化评价模型；通过所述螺旋可视化评价模型对待评价参考试块的晶粒结构进行评价。本发明将晶粒的多个结构特征通过类圆映射方法确定为一个融合特征，根据包含多个结构特征的融合特征对晶粒结构进行评价，提高了晶粒结构评价的准确性，另外将多个参考试块对应的多个融合特征拟合为费马螺旋线，以费马螺旋线为评价模型，融合特征越接近原点，说明晶粒结构越好，提高了晶粒结构评价的可视化。
一种晶粒结构评价方法系统

[发明专利]小晶粒三维存储器-CN201310091513.3有效
发明人：张国飙 -专利权人：成都海存艾匹科技有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提出一种小晶粒三维存储器，其存储元采用小晶粒二极管。小晶粒二极管含有小晶粒材料，其晶粒尺寸G远小于二极管尺寸D。小晶粒材料可以是纳米晶材料或非晶材料。小晶粒二极管的特征尺寸f小于单晶晶体管的特征尺寸F。
晶粒三维存储器

[发明专利]一种分析晶粒特征的方法-CN202111480811.2在审
发明人：陈然;胡赞;杨丽卉;黄文长;廖智琰 -专利权人：东风汽车集团股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N21/67 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种分析晶粒特征的方法，属于金相分析技术领域，方法包括：将待分析样品进行预处理，得到含分析面的待溅射样品；将所述待溅射样品的分析面进行辉光放电溅射处理，获得待扫描面；将所述待扫描面进行显微镜扫描，得到待扫描面的形貌数据；根据所述待扫描面的形貌数据，得到晶粒特征；通过辉光光谱仪辉光放电溅射金属表面显现其晶粒特征，然后使用激光显微镜获取晶粒形貌分析晶粒特征；辉光放电时高能氩离子轰击样品表面，使样品表面原子脱离晶格束缚，最终被溅射区域显现出晶粒特征。激光显微镜对表面形貌分辨率较高，能较准确获取溅射后的晶粒特征。
一种分析晶粒特征方法

[发明专利]判断双晶合金的方法-CN201410796617.9有效
发明人：罗海辉;彭宇;彭鑫 -专利权人：株洲硬质合金集团有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G01N33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种判断双晶合金的方法，包括以下步骤：将待测合金试样制备金相面，分别测量金相面内的多个晶粒的横截面积S；将所测得的多个横截面积S按照晶粒序号n的升序而从小到大排序形成横截面积序列Sn；计算晶粒序号之间相差为间隔常数k的两个横截面积之间的差值ΔS，间隔常数k为正整数；将所得到的多个差值ΔS按照所述晶粒序号n的升序排列成差值序列ΔSn；获得差值序列ΔSn中的数值跳变区域，数值跳变区域的开始值对应的晶粒序号为特征晶粒序号N；当晶粒序号小于特征晶粒序号N的晶粒的数量与晶粒序号大于或等于特征晶粒序号N的晶粒的数量之比为1:9到9:1，待测合金试样为双晶合金。
判断双晶合金方法

[发明专利]一种晶体材料图像识别方法及装置-CN201910820800.0在审
发明人：郑尹杰;张鹏杰;左飞;袁莉娟;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体材料图像的方法及装置，包括：首先，将获取到的晶体材料图像测试数据集输入到训练完成的Mask R‑CNN网络模型中进行测试，得到预测二值化掩模图像；其中，所述Mask R‑CNN网络模型包括：用于获取晶体材料图像的浅层特征图和深层特征图的特征提取网络，用于融合所述浅层特征图和深层特征图，得到融合特征图的特征金字塔网络，用于确定所述融合特征图中晶粒的感兴趣区域的区域建议网络；然后，拟合出所述预测二值化掩模图像中的晶粒轮廓，对所述晶粒轮廓进行统计得到晶粒的信息，其中，所述晶粒的信息包括：各晶粒的尺寸。
晶粒特征图晶体材料网络模型掩模图像二值化浅层融合图像测试数据图像感兴趣区域金字塔网络轮廓识别轮廓提取特征提取图像识别准确度晶体的预测拟合申请网络测试统计

[发明专利]半导体结构和制造半导体结构的方法-CN202010698144.4在审
发明人：吕宗育;张耀仁;邱绍玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该方法包括：形成复数晶粒区域在半导体基底上；经由第一掩模，形成第一特征在每一晶粒区域的第一产品区域；经由第二掩模，形成第二特征在每一晶粒区域的第二产品区域；经由第三掩模，形成第三特征在每一晶粒区域的一第三产品区域；经由第四掩模，形成第四特征在每一晶粒区域的一第四产品区域；以及经由第一、第二、第三与第四掩模，形成第五特征在每一晶粒区域的第一、第二、第三与第四产品区域之间的对准区域。第一产品区域没有第二特征、第三特征和第四特征。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体封装、元件、及形成方法-CN202210087626.5在审
发明人：张任远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种半导体封装、元件、及形成方法，半导体元件包括封装基板及接合至封装基板上的第一晶粒组。第一晶粒组的特征在于第一厚度。半导体元件亦具有接合至封装基板的第二晶粒组。第二晶粒组的特征在于第二厚度。半导体元件进一步包括设置在第一晶粒组上的载体基板。载体基板的特征在于第三厚度，该第三厚度为第一厚度与第二厚度之间的差的函数。模制化合物材料设置在封装基板上且覆盖第一晶粒组及第二晶粒组。模制化合物材料包括在第一晶粒组与第二晶粒组之间的空腔。
半导体封装元件形成方法

[发明专利]一种钛合金初生ɑ相晶粒尺寸测量方法、系统及电子设备-CN202310535973.4在审
发明人：江乐旗;张伟;陈昊;黎明;张聪炫;陈曦 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01B17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种钛合金初生ɑ相晶粒尺寸测量方法、系统及电子设备方法，涉及钛合金初生ɑ相晶粒尺寸测量领域，该方法包括：获取钛合金的超声特征参数；对超声特征参数进行归一化处理，根据归一化后的超声特征参数，利用初生α相晶粒尺寸测量模型，得到钛合金的初生ɑ相晶粒尺寸；其中，初生α相晶粒尺寸测量模型是利用训练样本对初生α相晶粒尺寸初始测量模型进行训练，以初生ɑ相晶粒尺寸实际值与初生ɑ相晶粒尺寸预测值的平均误差最小为优化目标，利用差分进化算法求解初生α相晶粒尺寸初始测量模型的待定系数得到的；初生α相晶粒尺寸初始测量模型是利用高维模型表达构建的。本发明提高了测量的初生α相晶粒尺寸的精度。
一种钛合金初生晶粒尺寸测量方法系统电子设备

[发明专利]晶粒的缺陷检测方法及计算装置-CN202211732725.0在审
发明人：汪妍;赵伟栋;郭永亮;顾文彬;李小海 -专利权人：美新半导体（绍兴）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶粒的缺陷检测方法及计算装置。所述检测方法包括：提取训练样本的综合特征描述子；利用所述训练样本的综合特征描述子训练支持向量机分类器；提取待测晶粒图像的综合特征描述子；将待测晶粒图像的综合特征描述子输入已训练的支持向量机分类器，由已训练的支持向量机分类器对所述待测晶粒图像进行缺陷检测这样，实现晶粒缺陷的快速检测，提升整体的生产效率。
晶粒缺陷检测方法计算装置

[发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202110598012.9在审
发明人：黄则尧;施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该半导体元件包括一第一晶粒、一第一导电特征、一第二晶粒、一第一遮罩层、一导电填充层、多个绝缘层以及多个保护层；该第一导电特征位在该第一晶粒中；该第二晶粒位在该第一晶粒上；该第一遮罩层位在该第二晶粒上；所述导电填充层位在沿着该第一遮罩层与该第二晶粒处，并延伸到第一晶粒，且接触该第一导电特征；所述绝缘层位在该导电填充层与该第一晶粒之间，以及位在该导电填充层与该第二晶粒之间；所述保护层位在该导电填充层与该第一遮罩层之间，并覆盖所述绝缘层的各上部。
半导体元件及其制备方法

[发明专利]电池疲劳强度确定方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310740184.4有效
发明人：吴凯;贺鲁炎;罗东升;耿慧慧;李伟 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N23/20058 文献下载
摘要：该方法包括：获取目标电池中包括焊缝截面的焊接样件，并获取焊缝截面中焊缝区的晶粒度特征和焊缝区的热影响区的晶粒度特征，进而根据焊缝区的晶粒度特征和热影响区的晶粒度特征，确定目标电池的电池疲劳强度。该方法中，基于电池上的各部件焊接后呈现的疲劳强度是与部件材料内部的晶粒度直接相关的特性，直接以焊接样件上焊接截面中焊缝区与热影响区的晶粒度特征作为确定电池疲劳强度的判定指标，相当于是以直接影响焊接样件疲劳强度的晶粒度特征来确定焊接样件所属电池的疲劳强度
电池疲劳强度确定方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种钢材晶粒混晶度的自动测量、精细分类方法及其系统-CN201510151257.1有效
发明人：李新城;唐永春;朱伟兴;陈轶;王晓莉;孙昀杰;杨骐佑;齐超 -专利权人：江苏大学
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G01N15/00 文献下载
摘要：本发明属于钢铁材料微观组织全形态晶粒的定量金相分析领域，具体涉及一种钢材晶粒混晶度的自动测量、精细分类方法及其系统，首先图像采集装置获取钢材待测晶粒原始图像，图像预处理模块对原始图像预处理，自动测量模块对预处理后的图像进行区域标定，获得待测晶粒图像，提取所得待测晶粒图像的几何形态特征参数，采用无规区域面积算法测量目标晶粒的形态特征参数晶粒面积，继而可得晶粒粒径，晶粒混晶度GME；自动分类模块对晶粒混晶度GME按最佳阀值进行自动分类；填补了过去人工模式无法处理钢材晶粒混晶度测量、分类工作的空白，钢材晶粒图像的表征精度高达±0.001μm，为目前钢材金相组织分析中的最高表征精度。
一种钢材晶粒混晶度自动测量精细分类方法及其系统

[发明专利]半导体封装体-CN202210191006.6在审
发明人：杨士亿;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种具有边缘互连特征的集成电路晶粒。边缘互连特征可为延伸通过密封环且暴露在集成电路晶粒的边缘表面上的导线。边缘互连特征配置来连接其他的集成电路晶粒而无须经由中介层。半导体装置可包括两个或以上的集成电路晶粒，前述集成电路晶粒具有边缘互连特征，且通过形成于两个或多个集成电路晶粒之间的一或多个芯片间连接器连接。
半导体封装

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