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[发明专利]基板的输送方法及其装置-CN200410064487.6无效
发明人：内牧阳一;江川优子;加治哲德 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2002-08-23 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： B65G49/07 文献下载
摘要：一种单张输送方法及其装置，各台架100、200、300......分别通过台架堆料机130、230、330......连接到台架间输送线400。台架100由该场合的平面形状为环状的单张输送线120和沿其长度输送方向(与台架间输送线400的输送方向交叉的方向)并列设置的处理装置101－106构成。在该场合，处理装置101－103在单张输送线120的一方侧各邻接配置1台地并列设置。另外，余下的处理装置104－106在另一方侧各邻接配置1台地并列设置。处理装置101－106分别具有输送机械手11－16。处理装置101－106具有每次处理1张即单张晶片W的腔室(图示省略)。这样，即使对在台架内的各处理装置来说晶片的处理不同的场合，也可防止台架内的晶片的输送和晶片输送装置与各处理装置的配合由其决定速度，这样，可防止处理量的下降。
输送方法及其装置

[发明专利]镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造-CN200410007062.1无效
发明人： 加治哲德;内牧阳一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2003-02-27 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜，形成电传导性的镶嵌构造，其特征是柱塞部是作为该柱塞部内壁的侧面部分和平面部分从其表面向内部，在3nm～50nm深度形成铜阻挡层，而且上述柱塞部中埋入铜。
镶嵌处理方法装置构造

[发明专利]镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造-CN200410007063.6无效
发明人： 加治哲德;内牧阳一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2003-02-27 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜形成电传导性镶嵌的镶嵌处理方法，其特征是：蚀刻处理low－k材料以后，在蚀刻处理的同一处理室、或通过真空中运送在另外的处理室，将用电压加速的离子或对加速后的该离子除去带电的中性粒子冲击蚀刻处理面，进行碳化、氮化、溴化、硼化、还原、非晶化或这些的组合的表面改性处理的铜阻挡层处理，将铜埋入具有进行了铜阻挡层处理后的蚀刻处理面的柱塞部。
镶嵌处理方法装置构造

[发明专利]镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造-CN03106447.7无效
发明人： 加治哲德;内牧阳一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2003-02-27 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜形成电传导性镶嵌的镶嵌处理装置，其特征是具有：蚀刻处理low－k材料的蚀刻处理室151A；在真空中运送蚀刻处理后试料的真空运送室153；接收运来试料的接收装置，电压给予装置，和将用电压加速的离子或对加速后的该离子除去带电的中性粒子冲击蚀刻处理面，进行碳化、氮化、硼化、溴化、还原、非晶化或它们的组合的表面改性的铜阻挡层处理的铜阻挡层处理室151B；以及在该铜阻挡层处理后的蚀刻处理面的柱塞部，埋入铜的高真空处理室151C。
镶嵌处理方法装置构造

[发明专利]基板的输送方法及其装置-CN02142211.7无效
发明人：内牧阳一;江川优子;加治哲德 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2002-08-23 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： B65G49/07 文献下载
摘要：一种单张输送方法及其装置，各台架100、200、300……分别通过台架堆料机130、230、330……连接到台架间输送线400。台架100由该场合的平面形状为环状的单张输送线120和沿其长度输送方向(与台架间输送线400的输送方向交叉的方向)并列设置的处理装置101－106构成。在该场合，处理装置101－103在单张输送线120的一方侧各邻接配置1台地并列设置。另外，余下的处理装置104－106在另一方侧各邻接配置1台地并列设置。处理装置101－106分别具有输送机械手11－16。处理装置101－106具有每次处理1张即单张晶片W的腔室。这样，即使对在台架内的各处理装置来说晶片的处理不同的场合，也可防止台架内的晶片的输送和晶片输送装置与各处理装置的配合由其决定速度，这样，可防止处理量的下降。
输送方法及其装置

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN98108077.4无效
发明人：增田俊夫;三谷克彦;加治哲德;田中润一;渡边克哉;白米茂;大坪徹;佐佐木一郎;福本英士;小泉真 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1998-03-26 - 公布日： 1999-05-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法,具有磁场形成装置,通过磁场来控制电子共振,以控制等离子体状态和腐蚀气体的离解状态,由此,即使对于大口径的晶片,也能够同时兼顾处理速度和细微加工性、选择比和均匀性。在真空处理室内的一对电极间施加20MHz至300MHz的高频功率,通过磁场形成装置而在电极间形成与电极表面平行的磁场。而且,通过在100高斯以下的范围中控制磁场强度,通过电极包层部中的电场和磁场的相互作用来控制电子回旋加速器共振、电子包层共振的生成。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子处理机及其处理方法-CN97103106.1无效
发明人： 加治哲德;渡边克哉;三谷克彦;大坪彻;田地新一;田中润一 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1997-02-28 - 公布日： 1997-11-05 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：在大直径试样进行微细图形精密加工，提高微细加工时选择比的等离子处理装置及等离子处理方法。在具有真空处理室，试样台，以及等离子生成装置的等离子处理装置中，还有在一对电极之间的50至200MHZVHF电源的高频电源，以及产生10高斯以上110高斯以下的静磁场或低频磁场的磁场形成装置。为使磁场沿下电极方向成分的最大部分位于上部电极面上或者偏向上部电极一侧，适当设定上述磁场形成装置，在上述一对电极间，形成电子回旋加速共振区。
等离子处理机及其处理方法