专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片分离方法、晶片分离装置及晶片分离转移机-CN03824698.8有效
  • 土屋正人;真下郁夫;斋藤公一 - 三益半导体工业株式会社
  • 2003-05-13 - 2005-11-09 - H01L21/68
  • 本发明提供可以更为安全、简单并且可靠地将晶片分离并且能够提高进行晶片分离的处理速度的晶片分离方法、晶片分离装置及使用了该晶片分离装置的晶片分离机。在从该最上层的晶片的惯析线轴(A-A’、B-B’)绕顺时针或逆时针错开了角度15°~75°的轴向(L-L’)上,推压该最上层的晶片,并且按照使该最上层的晶片的弯曲应力产生于与该惯析线轴错开了的轴向(L-L’)上的方式,使该最上层的晶片的周缘部向上方翘起,同时向该最上层的晶片的下面和相邻的下侧的晶片的上面之间吹入流体,并且使该最上层的晶片上升,从而将晶片分离
  • 晶片分离方法装置转移
  • [发明专利]晶片分离方法及分离装置-CN201110254294.7无效
  • 高田大辅;末安幸一;西田大辅;宫津匡 - 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
  • 2011-08-31 - 2013-03-06 - H01L21/677
  • 本发明提供一种晶片分离方法及分离装置,其在从呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片分离晶片、将分离后的晶片一片一片地移动运载到规定部位的作业中,通过尽量不对分离晶片施加因摩擦、变形等而产生的应力而防止破损,由此能够进一步提高晶片的合格率、稳定供给晶片。该晶片分离装置具有:水槽(2);配设在水槽(2)的水面附近的位置的喷嘴(3);保持层叠晶片组(7)、使层叠晶片组(7)向由水面侧的喷嘴产生的水的入水部移动的晶片供给机(4);保持从层叠晶片组(7)分离晶片并移动运载到规定部位的晶片移动机
  • 晶片分离方法装置
  • [发明专利]薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置-CN202180007423.4在审
  • 泉直史 - 琳得科株式会社
  • 2021-03-10 - 2022-08-02 - H01L21/304
  • 本发明提供一种薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置,在从薄化晶片分离剩余晶片时,能够尽量不使薄化晶片破损。具备:脆弱层形成工序,形成沿着半导体晶片(WF)的一个面(WFA)的面状的脆弱层(WL),并以该脆弱层(WL)为界将半导体晶片(WF)划分为薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2);以及分离工序,支撑半导体晶片(WF)中的薄化晶片(WF1)侧和剩余晶片(WF2)侧中的至少一个,使薄化晶片(WF1)与剩余晶片(WF2)分离,在分离工序中,使薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)从半导体晶片(WF)的外缘部的一端部(WFF)朝向该半导体晶片(WF)的外缘部的另一端部(WFR)逐渐分离
  • 晶片制造方法装置
  • [发明专利]剥离系统及剥离方法-CN202110110447.4在审
  • 余承霏;曹昌宸;许庭耀;胡政纲;刘旭水;白峻荣 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-01-27 - 2021-08-03 - H01L21/67
  • 本公开的实施例涉及一种用于剥离一对结合晶片的系统及方法。在一些实施例中,所述剥离系统包括:晶片卡盘,具有预设的最大横向尺寸且被配置成使贴合到晶片卡盘的顶表面的所述一对结合晶片旋转;一对圆形板分离刀片,包括第一分离刀片及第二分离刀片,所述第一分离刀片与所述第二分离刀片在直径方向上彼此相对地排列在所述一对结合晶片的边缘处,其中第一分离刀片及第二分离刀片插入在所述一对结合晶片中的第一晶片与第二晶片之间;以及至少两个拉头,被配置成向上拉动第二晶片以将第二晶片从第一晶片剥离。
  • 剥离系统方法
  • [发明专利]晶片分离方法-CN202111079214.9在审
  • 野本朝辉;平田和也 - 株式会社迪思科
  • 2021-09-15 - 2022-03-29 - H01L21/67
  • 本发明提供晶片分离方法,能够将外周部进行了倒角的晶片稳定地分离。在本发明中,在晶片的内部形成分离起点之前,按照沿着外周面的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片的一部分去除的方式对晶片进行加工。由此,能够不产生外周面的弯曲部中的激光束的漫反射和/或聚光点的偏移而在晶片的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。其结果是,能够将晶片稳定地分离
  • 晶片分离方法
  • [发明专利]用于将衬底从堆分离的设备-CN200680017558.4有效
  • 费利克斯·耶格;沃尔夫冈·施穆茨;迈克尔·基宁格 - ACI艾柯泰柯有限两合公司
  • 2006-05-18 - 2008-05-14 - B28D5/00
  • 本发明涉及一种将湿硅晶片(2)从晶片堆(1)分离的设备,其中所述湿晶片(2)可单个地从所述堆(1)中取出并且可被转移到随后的输送装置(7)上,能够可靠且快速地将保持在堆中的薄的易断裂的湿晶片彼此分离和分开,即使是大规格的晶片。为了实现上述目的,所述设备具有分离辊(4),在所述分离辊上可放置有晶片堆(1),通过转动所述分离辊(4),最下面的晶片(2.1)在刮板(5)下方被移动穿过在辊平面(I)与刮板(5)之间的晶片厚度的缝隙,并且所述晶片(2.1)通过上下叠置的以相同转速驱动的牵引辊(6.1和6.2)的弹性压力从晶片堆(1)中被拉出。
  • 用于衬底分离设备

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