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[实用新型]晶圆加热装置-CN201920528620.0有效
发明人：孔志能 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆加热装置，所述晶圆加热装置包括用于加热晶圆的热板、设置在所述热板上且用于固定晶圆的承载结构，所述承载结构远离所述热板的一端端面与所述热板表面形成的夹角可调节本实用新型提供的晶圆加热装置能够使晶圆表面各区域的受热温度不同，为在晶圆上形成厚度不一的光刻胶膜创造工艺条件。
热板承载结构晶圆晶圆加热装置本实用新型半导体制造领域工艺条件光刻胶膜加热装置晶圆表面热板表面轴向方向受热可调节可伸缩种晶加热

[发明专利]晶圆加热装置-CN201310539096.4在审
发明人：梁晓东 -专利权人：沈阳芯源微电子设备有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及对半导体晶片和液晶显示装置用的玻璃晶圆进行加热处理的方式，具体地说是一种晶圆加热装置。包括加热装置框架、温控表、红外线测温装置、CPU、加热部、升降驱动部及支撑杆，其中温控表和升降驱动部设置于加热装置框架的底部，所述加热部与升降驱动部连接，所述支撑杆穿过加热部、并固定于加热装置框架上，所述加热部内设有与温控表连接的加热丝；所述加热部通过升降驱动部的驱动上升、并与加热装置框架的顶部接触形成容置晶圆的密封腔室；所述红外线测温装置和CPU设置于加热装置框架的顶部，所述红外线测温装置和温控表均与CPU连接。本发明达到能够自动调节盘体温度，保持晶圆表面温度均匀性一致。
加热装置

[发明专利]晶圆加热装置-CN202110654993.4在审
发明人：韩阳;王晖;贾社娜;陶晓峰;韩晗 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的实施例揭示了一种晶圆加热装置，包括加热盘和顶盖，所述加热盘与顶盖上下连接，加热盘内设有互不相通的第一气体通道和第二气体通道，工作时，第一路气体从第一气体通道的气体入口进入，由靠近加热盘外边缘的位置向靠近加热盘中心的位置流动，沿途从各气体出口和对应的通孔中流出，第二路气体从第二气体通道的气体入口进入，由靠近加热盘中心的位置向靠近加热盘外边缘的位置流动，沿途从各气体出口和对应的通孔中流出。本发明的晶圆加热装置能使晶圆在被旋转加热时，晶圆各处的温度更均匀。
加热装置

[发明专利]晶圆加热装置-CN201880014866.4有效
发明人：竹林央史;鸟居谦悟;平田夏树 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：陶瓷加热器(10)在单面为晶圆载置面的圆板状的陶瓷基体(12)埋设有中央熔区电阻发热体(20)及外周熔区电阻发热体(50)。
加热装置

[发明专利]晶圆加热装置-CN202211660963.5有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：无锡先为科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种晶圆加热装置，其包括：基板，基板包括第一表面，第一表面上包括放置晶圆的晶圆承载区域；加热组件，加热组件包括感应线圈，感应线圈至少包括：环形分布的第一线圈及与第一线圈电性相连并位于第一线圈内侧的第二线圈，第二线圈包括复数匝；以感应线圈在第一表面的正投影为参照，第一线圈至少包括复数匝且复数匝的正投影覆盖晶圆承载区，第一线圈相邻匝的距离小于第二线圈中的相邻匝的距离，以使得第一线圈产生的热量更为均匀。根据本发明，其提高了晶圆处理流程中的生产质量。
加热装置

[实用新型]晶圆加热装置-CN201220456713.5有效
发明人：崔炳斗 -专利权人：富强半导体有限公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：一种晶圆加热装置，设置于一气相磊晶设备的承载台的下方对该承载台上的一晶圆加热，该晶圆加热装置包含有一基座、一加热体以及一热源反射组件。该加热体设置于该基座上并位于该基座与该承载台之间，且该加热体包含一与该基座相隔一间隔空间的加热部及一连接于该加热部与该基座之间的连接部；该热源反射组件设置于该间隔空间，包含一位于该加热部与该基座之间且厚度介于据此，本实用新型通过增加该第一反射板的厚度，加强结构强度，减少该第一反射板因温度高低变化所产生的形变，增加该晶圆加热装置的使用寿命。
加热装置

[实用新型]晶圆加热装置-CN201320158739.6有效
发明人：金杰 -专利权人：金杰
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆加热装置，包括一个加热基座、一个圆盘下盖、一个支撑轴管、至少一个热电偶管以及至少一个加热元件。加热基座用来承载并加热一个晶圆；圆盘下盖，其与加热基座的底部焊接密合；支撑轴管，其位于圆盘下盖的下方；至少一个热电偶管，其经由至少一个预留焊管并通过支撑轴管连接至加热基座，并利用至少一个预留焊管与部分热电偶管对焊密合；以及至少一个加热元件，其经由至少一个预留焊管并通过支撑轴管连接至加热基座，以控制加热元件加热，且利用至少一个预留焊管与部分加热元件对焊密合。
加热装置

[实用新型]晶圆加热装置-CN201220146298.3有效
发明人：彭康琪 -专利权人：煜诠科技有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：一种晶圆加热装置，其具有一加热座，该加热座的底端耦接有一立柱，该加热座中设有一加热管与三个推杆，该三个推杆能够选择性延伸至加热座外部，以支撑移动中的晶圆；当三个推杆中的任一推杆断裂损坏时，其余的二个推杆将无法支撑移动中的晶圆，使工作人员能立即发现推杆断裂的问题，而立即停工检修，故能避免后续将要加热的晶圆继续进行加热，免除将要加热的晶圆因推杆断裂而损坏。
加热装置

[实用新型]晶圆加热装置-CN202220504854.3有效
发明人：李复春;江岱平;卢国艺;曾金城;黎平;易智勇 -专利权人：深圳市腾盛精密装备股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请适用于晶圆加工技术领域，提出一种晶圆加热装置，包括：基座；真空吸盘，设于所述基座上且用于吸附工件，所述真空吸盘上设有进气孔与气路，所述气路包括若干同心设置的环形气路以及沿若干沿所述进气孔径向延伸的径向气路，每个所述径向气路与各所述环形气路均连通，且所述环形气路、所述径向气路背离所述基座的一侧均与外界连通；加热组件，用于对所述真空吸盘上的工件进行加热；本申请结构简洁，能够更好的将晶圆和真空吸盘之间的空气排出，有效的提高真空吸盘对晶圆的吸附能力；也能够使晶圆均匀的被真空吸盘吸附，以便于保证晶圆受热均匀，实用性强。
加热装置

[实用新型]晶圆加热装置-CN201020546421.1无效
发明人：崔炳斗 -专利权人：富强半导体有限公司
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种晶圆加热装置，其是对一承载多个晶圆的承载件进行加热，且设置于该承载件远离该多个晶圆的一面，该晶圆加热装置包括一承接板及装设于该承接板上的多个发热线圈，该多个发热线圈以同心设置于该承接板上，其中该多个发热线圈的外圈与内圈为不同平面借此解决现有技术中的承载片靠近周边处的加热温度较低的问题，使该承载片达到均温性的特点，进而增加晶圆进行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)的优良率及产能。
加热装置

[实用新型]晶圆加热装置的顶升组件及具有其的多工位点胶机-CN202021418366.8有效
发明人：林翔;周典虬;黄国伟;郜福亮 -专利权人：常州铭赛机器人科技股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆加热装置的顶升组件及具有其的多工位点胶机，晶圆加热装置的顶升组件设于晶圆加热装置的底座上以顶升晶圆，顶升组件包括：多个顶针，沿其轴向在第一位置和第二位置之间可活动地设于底座，顶针位于第一位置时，顶针的上端突出于晶圆加热装置以承接晶圆，顶针位于第二位置时，顶针的上端不超出晶圆加热装置；顶针驱动件，驱动顶针活动。根据本实用新型实施例的晶圆加热装置的顶升组件实现对晶圆的非接触式加热，使晶圆的温度逐渐升高，解决了传统的接触式加热致使晶圆温度突然上升而导致的晶圆破裂问题，并且通过调控晶圆距离加热面的高度，来改变晶圆的加热温度，其具有可使晶圆平稳移动，均匀升温，操控性强等优点。
加热装置组件具有多工位点胶机

[发明专利]一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法-CN202011293519.5在审
发明人：郑宇现;周娜;李琳;王佳;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H05B6/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中晶圆间接诱导加热方式加热速度慢、加热深度不可控的问题。上述晶圆的直接诱导加热装置，包括交变磁束发生组件，利用交变磁束发生组件的交流电产生交变磁束，晶圆置于交变磁束发生组件产生的交变磁束内，置于交变磁束内的晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热上述晶圆的直接诱导加热方法，包括如下步骤：利用交流电产生交变磁束，将晶圆置于交变磁束内，晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。本发明的晶圆的直接诱导加热装置和加热方法可用于晶圆的直接诱导加热。
一种直接诱导加热装置方法

[实用新型]RTA机台的反应室-CN201420262187.8有效
发明人：张进创;叶文源;陈立峰;付金玉;刀正开 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种RTA机台的反应室，其至少包括：反应腔体；设置在所述反应腔体内的可旋转的加热装置；设置在所述反应腔体内的用以承载晶圆的晶圆载台，其中，所述晶圆载台与所述加热装置相对放置；连接所述加热装置和所述晶圆载台的旋转装置，所述旋转装置适于通过控制所述晶圆载台旋转，以带动所述晶圆旋转，并通过控制所述加热装置相对于所述晶圆载台以相反的转动方向旋转，以提高所述晶圆相对于所述加热装置的旋转速度。本实用新型采用可旋转的加热装置和晶圆载台形成对转式结构，加热装置和晶圆载台以相反的转动方向相对旋转，提高了晶圆的相对转速，从而达到提升晶圆表面的温度分布均匀性的目的。
rta 机台反应

[发明专利]晶圆清洗装置及方法-CN202011123693.5在审
发明人：朴英植;卢一泓;李琳;胡艳鹏;张月 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗装置及方法，该晶圆清洗装置包括：旋转台，用于放置晶圆；清洗液喷嘴，设置在所述晶圆中心位置的上方；可移动加热装置，用于对所述晶圆表面加热；控制器，与所述可移动加热装置相连；在清洗所述晶圆时，所述旋转台带动所述晶圆旋转，所述清洗液喷嘴向所述晶圆中心位置喷洒清洗液，所述控制器控制所述可移动加热装置相对于所述晶圆移动，以对所述晶圆表面特定区域进行加热。上述方案，能够通过改善晶圆表面的温度差异，改善了晶圆片内不同区域温度不同导致的腐蚀速率的差异，确保了晶圆的清洗腐蚀效果。
清洗装置方法

[实用新型]分区吸附的晶圆加热装置及具有其的多工位点胶机-CN202021419019.7有效
发明人：郜福亮;林翔;周典虬;黄国伟;樊建 -专利权人：常州铭赛机器人科技股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分区吸附的晶圆加热装置及具有其的多工位点胶机，分区吸附的晶圆加热装置包括：底座；加热器，所述加热器设于所述底座，所述加热器的上表面形成为加热面，所述加热面设有至少两个能对不同尺寸的晶圆进行加热的加热区，每个所述加热区分别设有至少一个真空吸附孔；真空吸附装置，所述真空吸附装置与所述真空吸附孔连通以在所述晶圆位于所述加热器上时固定所述晶圆。该分区吸附的晶圆加热装置能够对不同尺寸的晶圆进行加热，能够有效保证晶圆受热均匀。
分区吸附加热装置具有多工位点胶机

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