专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于仓储系统的物流传送装置-CN202320141580.0有效
  • 叶文源 - 佛山市天触网络科技有限公司
  • 2023-02-07 - 2023-09-12 - B65G1/04
  • 本实用新型涉及仓储系统领域,具体涉及一种用于仓储系统的物流传送装置,包括移动架、前传送带、第一后传送带、第二后传送带和箱体,所述前传送带安装有扫描装置,所述前传送带末尾设有中转台,所述第一后传送带和第二后传送带末尾设有放置台,所示箱体其中一面贴有标签;所述移动架安装有翻转装置,所述翻转装置包括移动柱,移动柱安装有升降块。本实用新型使用时,扫描确认箱体标签位置后,利用翻转装置调整箱体摆放角度,使标签位置改变,最终使堆放起来的所有箱体标签统一朝外,免去人工调整箱体标签位置的麻烦,这使得堆放起来的箱体标签更加直观,且避免出现箱体堆积后,标签被挡住的情况,方便仓储工作人员寻找货物。
  • 一种用于仓储系统物流传送装置
  • [实用新型]一种具有称重结构的物流传送装置-CN202320099796.5有效
  • 叶文源 - 佛山市铧祥网络科技有限公司
  • 2023-02-02 - 2023-06-20 - B65G43/08
  • 本实用新型涉及物流传送领域,具体涉及一种具有称重结构的物流传送装置,包括后传送带、前传送带和组合架,所述组合架转动连接有若干个辅助滚筒,所述组合架底部固定连接有固定板,固定板底部固定连接有连接板,连接板安装有压力传感器;所述压力传感器底部固定连接有底座,所述底座两侧均安装有支撑柱,支撑柱安装有转轴,所述转轴设有推板。本实用新型使用时,前传送带、辅助滚筒和后传送带构成一条直线,同时,推板采用旋转的方式推动物件,更方便物件移动,且推板在推动辅助滚筒上物件移动的过程中,不会妨碍下一件物件进入测量区域,使物件测量更加连贯,提高测量效率。
  • 一种具有称重结构物流传送装置
  • [实用新型]一种砖坯生产用干燥装置-CN202120446803.5有效
  • 吴益超;章宏;叶文源 - 龙游恒久建材有限公司
  • 2021-03-02 - 2022-02-18 - F26B9/06
  • 一种砖坯生产用干燥装置,包括干燥室,其特征在于:所述干燥室内放置若干数量的干燥架,所述干燥架包括左右两侧对称的侧架组件以及设置在侧架组件之间若干数量的螺纹杆,所述侧架组件包括两根纵向的立杆以及至少三根固定安装在两根立杆之间的横杆。该砖坯生产用干燥装置通过在横杆上每隔0.5‑3cm位置上设有一个螺纹管接头,螺纹杆安装在两侧的螺纹管接头内,安装后,相邻的螺纹杆之间具有0.5‑3cm的间隙,并且螺纹杆上设有若干数量贯穿的通孔,使得放置在螺纹杆上的砖坯能够干燥均匀。
  • 一种砖坯生产干燥装置
  • [发明专利]CMOS器件及其形成方法-CN201410284407.1在审
  • 叶文源 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2014-06-23 - 2016-03-30 - H01L27/092
  • 本申请公开了一种CMOS器件及其形成方法。该CMOS器件包括STI结构和位于相邻STI结构之间的阱区结构,其中阱区结构包括掺杂区和防扩散区,掺杂区设置在衬底中,防扩散区设置在掺杂区与衬底的非掺杂区之间,将掺杂区和非掺杂区至少部分地隔离开。上述CMOS器件的阱区结构中,在掺杂区的下方增加了防扩散区。在后续的掺杂过程及器件的通电使用过程中,这层预先形成的防扩散区能够阻碍掺杂离子的运动,防止掺杂离子由预定的阱区区域向衬底扩散移动。基于掺杂离子由阱区向衬底的扩散移动受到限制,掺杂离子向衬底的泄漏量就会相应减少。而在后期的使用过程中,较少的泄漏量就有利于避免阱区与衬底间、甚至是不同的阱区间出现隧穿效应,进而减少CMOS器件中的漏电流,使器件具有较高的使用性能。
  • cmos器件及其形成方法
  • [实用新型]RTA机台的反应室-CN201420262187.8有效
  • 张进创;叶文源;陈立峰;付金玉;刀正开 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2014-05-21 - 2014-09-24 - H01L21/67
  • 本实用新型提供一种RTA机台的反应室,其至少包括:反应腔体;设置在所述反应腔体内的可旋转的加热装置;设置在所述反应腔体内的用以承载晶圆的晶圆载台,其中,所述晶圆载台与所述加热装置相对放置;连接所述加热装置和所述晶圆载台的旋转装置,所述旋转装置适于通过控制所述晶圆载台旋转,以带动所述晶圆旋转,并通过控制所述加热装置相对于所述晶圆载台以相反的转动方向旋转,以提高所述晶圆相对于所述加热装置的旋转速度。本实用新型采用可旋转的加热装置和晶圆载台形成对转式结构,加热装置和晶圆载台以相反的转动方向相对旋转,提高了晶圆的相对转速,从而达到提升晶圆表面的温度分布均匀性的目的。
  • rta机台反应
  • [发明专利]纳米晶快闪存储器栅极的制造方法-CN201010620308.8有效
  • 叶文源;黄柏喻;王蒙 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-12-29 - 2012-07-04 - H01L21/28
  • 本发明提供一种纳米晶快闪存储器栅极的制造方法,包括:提供一硅衬底;在所述硅衬底上沉积一隧穿氧化层;在所述隧穿氧化层上沉积一金属硅化物层;在所述金属硅化物层上沉积一阻挡层;对所述金属硅化物层进行氟离子注入工艺;在氧气环境中进行快速热退火工艺,使得所述金属硅化物层转变成浮栅,所述浮栅包括绝缘介质以及被绝缘介质隔离的金属纳米晶;在所述阻挡层上形成一控栅。通过本发明提供的纳米晶快闪存储器栅极的制造方法,有效地将形成的金属纳米晶隔开,使得金属纳米晶分布均匀,从而提高了浮栅的电荷俘获与存储能力,进一步的,降低了栅极的擦写电压,提高了纳米晶快闪存储器的栅极的可靠性。
  • 纳米闪存栅极制造方法
  • [发明专利]循环使用挡片的方法-CN201010129098.2有效
  • 张进创;黄柏喻;叶文源;王蒙;邵明虎 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-03-11 - 2011-09-21 - C23C14/48
  • 本发明公开了一种循环使用挡片的方法,所述挡片用于置入离子注入机,监控离子注入机注入剂量的正确性,该方法包括:对挡片进行N次预定剂量的离子注入,每次预定剂量的离子注入用于监控每次使用离子注入机时,其注入剂量的正确性,N为自然数;当N次所述离子注入后,挡片内离子注入的积累剂量达到E17原子每平方厘米时,对该挡片注入与所述离子注入相反类型的元素,所述相反类型元素的剂量为E17原子每平方厘米。采用本发明的方法有效延长了挡片的使用寿命,节约了生产成本。
  • 循环使用方法
  • [实用新型]离子注入控制装置-CN201020130272.0有效
  • 黄柏喻;叶文源;王蒙;何春雷;潘升林 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-03-12 - 2010-12-22 - C23C14/48
  • 本实用新型公开了一种离子注入控制装置,包括用于驱动晶圆吸盘上下移动的驱动机构、控制离子束左右水平移动的离子束发射器和工作站,工作站分别与驱动机构和离子束发射器连接,离子注入控制装置还包括一用于检测晶圆速度的测速传感器,测速传感器与工作站连接并向该工作站发送检测信息。工作站根据该测速传感器和其他原有传感器所采集到的信息可以计算得到螺母在离子注入过程中的速度(即晶圆在离子注入过程中的速度),再将螺母在离子注入过程中的速度和设定的允许速度参数范围比较,可以获知螺母及晶圆运动是否发生异常,从而及早发现晶圆的离子过分注入现象和欠注入现象,进而有效提高了晶圆离子注入工艺的稳定性和可靠性,提高产品良率。
  • 离子注入控制装置
  • [实用新型]用于离子注入的晶圆固定装置-CN201020130286.2有效
  • 叶文源;黄柏喻;陈勇杉;王蒙;逄锦涛 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-03-12 - 2010-12-15 - H01L21/683
  • 本实用新型公开了一种用于离子注入的晶圆固定装置,其包括用于静电吸附晶圆的晶圆吸盘,所述晶圆吸盘的内部由中心向边缘均匀设有至少两根独立的冷却管,每根冷却管分别与外部对应的冷却器连接构成独立的冷却水循环回路。本实用新型的用于离子注入的晶圆固定装置,通过在晶圆吸盘的内部均匀设置多套独立的冷却管,使得在晶圆的整个离子注入的过程中,可通过预先调整各个冷却管的温度来调整该各个冷却管所对应的晶圆内外各个区域的温度,从而改变所述晶圆内外各个区域的离子注入的行为模式,以补偿晶圆内外各个区域因制程工艺所造成的器件的阈值电压不均匀性,使得该晶圆内外各个区域的器件的阈值电压更加稳定,从而,有效提高半导体器件的良率。
  • 用于离子注入固定装置

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