专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶体型传感装置-CN201910025969.7有效
  • 郭小军;唐伟;周浩宇;章秋琦 - 上海交通大学
  • 2019-01-11 - 2021-07-02 - G01D5/12
  • 本发明涉及物联网无线传感技术应用领域,尤其涉及一种晶体型传感装置。所述晶体型传感装置,包括柔性传感贴片;所述柔性传感贴片包括:贴附膜;传感结构,位于所述贴附膜表面,包括至少一个用于检测传感信息的柔性晶体组,所述柔性晶体组包括多个柔性晶体;NFC芯片,位于所述贴附膜表面,包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的控制结构;所述NFC芯片与所述柔性晶体组连接,用于向所述柔性晶体组提供电压信号并接收所述柔性晶体组检测到的所述传感信息。本发明采用柔性晶体技术与硅基芯片技术的结合,极大了降低了传感装置的工艺复杂度以及制造成本。
  • 晶体管传感装置
  • [实用新型]一种晶体封装结构-CN201320850648.9有效
  • 余宇航 - 余宇航
  • 2013-12-19 - 2014-07-09 - H01L23/49
  • 一种晶体封装结构,包括第一晶体电路,从封装件引线表面引出的引线,封装件引线表面为平面,第一封装胶体表面与封装件引线表面共面,临近晶体电路封装件设有第二晶体电路,封装结构设有第二封装胶体,封装胶体位于晶体电路封装件与第二晶体电路的上方,晶体电路封装件与封装结构内部的封装引线电性连接。
  • 一种晶体管封装结构
  • [发明专利]CMOS器件应力膜的形成方法-CN200610118829.7有效
  • 张海洋;吴汉明;马擎天 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2006-11-28 - 2008-06-04 - H01L21/8238
  • 本发明公开了一种形成CMOS器件应力膜的方法,所述CMOS器件包括PMOS晶体和NMOS晶体,所述方法包括下列步骤:形成第一应力膜,所述第一应力膜覆盖所述NMOS晶体和PMOS晶体;在所述PMOS晶体和NMOS晶体之间的第一应力膜表面形成介质层;形成仅覆盖所述NMOS晶体的第一掩膜图形;刻蚀所述PMOS晶体上的第一应力膜和介质层,并移除所述第一掩膜图形;沉积第二应力膜材料,所述第二应力膜材料表面与所述第一应力膜表面齐平;形成第二掩膜图形;刻蚀所述第二应力膜材料至与所述第一应力膜表面齐平;移除所述第二掩膜图形和剩余的介质层。本发明的方法能够消除NMOS晶体和PMOS晶体的应力膜接合部位的凸起。
  • cmos器件应力形成方法
  • [发明专利]检测晶体重叠电容的方法、消除晶体重叠电容的方法-CN201310006436.7有效
  • 洪中山 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-01-08 - 2014-07-09 - H01L21/66
  • 一种检测晶体重叠电容的方法、一种消除晶体重叠电容的方法,其中,检测晶体重叠电容的方法包括:形成第一晶体和第二晶体,第一晶体的第一栅介质层具有第一等效氧化厚度,第二晶体的第二栅介质层具有第二等效氧化厚度,第二等效氧化厚度与第一等效氧化厚度不同;第二源漏区表面具有第二导电结构,第一导电结构和第二导电结构的形成工艺和尺寸相同;测试获取第一导电结构的顶部表面与第一栅电极层的顶部表面之间的第一电容测试获取第二导电结构的顶部表面与第二栅电极层的顶部表面之间的第二电容;根据第一电容和第二电容,获取第一晶体的重叠电容和第二晶体的重叠电容。该检测方法能检测晶体的重叠电容。
  • 检测晶体管重叠电容方法消除
  • [发明专利]半导体装置-CN202010076766.3在审
  • 黑川敦;姫田高志;小林一也 - 株式会社村田制作所
  • 2020-01-23 - 2020-07-31 - H01L23/367
  • 本发明提供了能够减少多个单位晶体的动作时的温度的偏差的半导体装置。在基板上设置有多个晶体列。多个晶体列分别包括在基板的上表面内的第一方向上排列的多个单位晶体,多个晶体列在与第一方向正交的第二方向上排列配置。并且,配置有覆盖多个单位晶体并设置有至少一个开口的绝缘膜。配置在绝缘膜上的金属部件通过开口与多个单位晶体电连接。形成从多个单位晶体的每一个单位晶体到金属部件的上表面的由金属形成的导热路径,导热路径的热电阻在多个单位晶体之间不同。
  • 半导体装置
  • [发明专利]用于横向功率晶体的封装-CN202211536579.4在审
  • S·沃策尔;M·伯姆 - 英飞凌科技奥地利有限公司
  • 2022-12-02 - 2023-06-06 - H01L23/495
  • 公开了用于横向功率晶体的封装。一种晶体封装,包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶体芯片。半导体晶体芯片包括在第一表面上的一个或多个第一负载电极、一个或多个第二负载电极以及控制电极。引线框面向半导体晶体芯片的第一表面。引线框包括晶体封装的第一端子、第二端子和控制端子。第一端子、第二端子和控制端子被暴露在晶体封装的底部处。第一端子被电耦合到一个或多个第一负载电极。第二端子被电耦合到一个或多个第二负载电极。控制端子被电耦合到控制电极。第一端子与晶体封装的第一侧对准。第二端子与晶体封装的与第一侧相对的第二侧对准。控制端子与晶体封装的第三侧对准。晶体封装的第三侧连接在晶体封装的第一侧和第二侧之间。
  • 用于横向功率晶体管封装
  • [实用新型]一种散热均匀的晶体-CN202121405858.8有效
  • 王建虎 - 苏州市吴通智能电子有限公司
  • 2021-06-23 - 2022-02-22 - H01L23/10
  • 本实用新型公开了一种散热均匀的晶体,属于晶体技术领域,包括晶体本体、支撑模块和散热模块,所述晶体本体的相对两侧均开设有散热槽,所述晶体本体的一侧开设有网状槽,所述支撑模块卡接在所述网状槽内,且所述支撑模块突出于所述晶体本体的表面,所述散热模块卡接在所述散热槽内并向四周延伸;本实用新型通过在晶体本体的一侧卡接有突出于晶体本体表面的钢网,使得晶体本体和电路板之间得到架空,便于回流焊接时晶体本体的多方位散热,并通过在晶体本体上开设有门廊型的散热槽,散热条将固定件吸收的热量向外传导,使晶体得到均匀散热,从而降低了气泡发生率,大大提高了晶体在回流焊接后的可靠性。
  • 一种散热均匀晶体管
  • [实用新型]一种边缘晶体电流泄漏结构-CN202320282248.6有效
  • 郭荣富 - 深圳市富源达电子有限公司
  • 2023-02-06 - 2023-09-12 - H01L23/10
  • 本实用新型涉及电流泄露技术领域,至少包括一个架体组件,架体组件形成物料集中区,架体组件表面设有防尘组件,防尘组件于物料集中区形成拦截面,用于对进行拦截使其无法接触晶体,架体组件顶部设有散热组件,散热组件于物料集中区形成散热面,用于晶体表面的热量进行引导并增大散热面积,对晶体形成多点保护;通过防尘组件将晶体进行包裹形成保护层,提高晶体的密封性,避免灰尘接触晶体产生静电,导致晶体内部电流出现不稳定,提高晶体工作过程中内部电流运行的稳定性,通过散热组件对晶体热量进行吸收再通过增加散热面,避免电流输出不稳,提高晶体的使用质量,增加晶体的实用性。
  • 一种边缘晶体管电流泄漏结构
  • [发明专利]半导体器件-CN201410188400.X有效
  • G·诺鲍尔;C·卡陶;D·迪布拉;R·伊玲 - 英飞凌科技奥地利有限公司
  • 2014-05-06 - 2018-08-21 - H03K17/687
  • 集成电路包括第一晶体元件和并联地电连接到第一晶体元件的第二晶体元件。第一晶体元件包括第一晶体,所述第一晶体的栅极电极设置在半导体衬底的第一主表面中的第一沟槽中。第二晶体元件包括第二晶体以及与在第二沟槽中的栅极电极接触的第二栅极导电线,所述第二晶体的栅极电极设置在第一主表面中的第二沟槽中。控制元件被配置为控制施加到第二栅极导电线的电势。
  • 半导体器件
  • [发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法-CN200710167947.1无效
  • 石井元治;榊原清彦 - 株式会社瑞萨科技
  • 2007-10-26 - 2008-04-30 - H01L27/115
  • 本发明的非易失性半导体存储装置包括具有主表面的半导体衬底(SB)、多个存储晶体(MT)、多个选择晶体(ST)。多个存储晶体(MT)分别具有在主表面上相互层叠而形成的浮动栅极(FG)和控制栅极(CG)。多个选择晶体(ST)分别具有在主表面上相互层叠而形成的下侧栅极层(G2)和上侧栅极层(G1),并且和多个存储晶体(MT)的一个一起包含在存储单元(MC)中。下侧栅极层(G2)按照多个选择晶体(ST)的每一个被分离。上侧栅极层(G1)由多个选择晶体(ST)共有,并且,电连接到多个选择晶体(ST)的每一个的下侧栅极层(G2)。由此,可防止选择晶体ST和存储晶体MT的短路。
  • 非易失性半导体存储装置及其制造方法

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