专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于视觉注意和质量可变的图像超分辨率重建方法-CN201210170035.0有效
  • 陈华华 - 杭州电子科技大学
  • 2012-05-29 - 2012-10-10 - G06T5/50
  • 本发明的具体步骤是:首先,对低分辨率图像区分人眼敏感域与非敏感域;其次,计算低分辨率图像人眼敏感域的清晰度,根据清晰度通过补偿人眼敏感域的高分辨率子块残差,采用质量可变的超分辨率重建;最后,对非人眼敏感域采用Bicubic方法放大,并和人眼敏感域的高分辨率重建结果融合得到高分辨率图像。本发明根据人眼对图像内容的不同敏感程度,将图像分成人眼敏感域和非敏感域,对不同区域采用不同的重建策略,对不敏感域采用Bicubic插值方法放大,对敏感域根据不同需求采用质量可变的重建方法,兼顾了重建结果和重建时间
  • 一种基于视觉注意质量可变图像分辨率重建方法
  • [实用新型]一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管-CN202220397663.1有效
  • 赵晓锋;车昊阳;于志鹏;温殿忠 - 黑龙江大学
  • 2022-02-25 - 2023-04-28 - H10N50/80
  • 本实用新型提供了一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及其制作工艺方法,该结构包括SOI器件硅层内引线、SiO2介质隔离环和磁敏感等,通过器件硅层内引线将发射极E从器件硅层的下表面引至器件硅层的上表面,使基极B、集电极C和发射极E均位于器件硅层的上表面,同时通过SiO2介质隔离环进行内引线和磁敏感的隔离,抑制内引线杂质横向扩散对磁敏感的影响通过采用SOI工艺和CMOS工艺相结合,实现了立体硅磁敏感三极管的三个电极(E、B和C)平面化,突破了该器件发射区内引线制作工艺难点,为器件的集成化、小型化和批量化生产奠定基础,同时进一步提高了立体结构磁敏三极管在磁场测量中的准确度
  • 一种平面化电极结构立体硅磁敏三极管
  • [发明专利]MEMS麦克风及其形成方法-CN201510084456.5有效
  • 周文卿 - 迈尔森电子(天津)有限公司
  • 2015-02-16 - 2018-10-16 - H04R19/04
  • 麦克风及其形成方法,其中的形成方法包括:提供包括第一表面和第二表面的第一衬底,第一衬底包括至少一层导电层,导电层位于第一衬底的第一表面一侧;提供包括第三表面和第四表面的第二衬底,第二衬底包括第二基底和敏感电极,第二衬底包括敏感敏感电极位于敏感内,敏感电极位于第二衬底的第三表面一侧;将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定;之后去除第二基底,形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面;在第一衬底和第二衬底的敏感之间形成空腔
  • mems麦克风及其形成方法
  • [实用新型]单片集成的硅胎压温度传感器-CN200720103715.5无效
  • 张兆华;林惠旺;刘理天;任天令 - 清华大学
  • 2007-03-02 - 2008-05-07 - G01D21/02
  • 单片集成的硅胎压温度传感器属于压力、温度传感技术领域,其特征在于,含有:结构芯片,中间有一个硅杯,该硅杯中央有一个硅膜,其周围支撑的是厚体硅;四个压力敏感电阻,分别位于硅膜边界内的应力敏感,形成一个压力传感器;一个温度敏感电阻,位于厚体硅的非应力敏感,形成一个温度传感器;密封盖板,连接在所述结构芯片的下表面。该集成传感器的压力敏感元件的输出和压力值直接相关,而该集成传感器的温度敏感元件的输出和温度值密切相关。该集成传感器具有单片集成、制作简单、运行可靠的优点。
  • 单片集成硅胎压温度传感器

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