专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]岩盐矿结构Co掺杂CdS半导体纳米颗粒的制备方法-CN201210105253.6无效
  • 张明喆;赵瑞;姚彬彬;邱明泽 - 吉林大学
  • 2012-04-11 - 2012-08-01 - C01G11/02
  • 本发明的岩盐矿结构Co掺杂CdS半导体纳米颗粒的制备方法属于半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。以闪锌矿结构的Co掺杂CdS半导体纳米颗粒为初始原料,在压力5.0~7.0GPa,温度600~800℃下,保压30~50分钟,冷却卸压得到岩盐矿结构Co掺杂CdS半导体纳米颗粒。本发明利用高温高压方法合成了岩盐矿结构Co掺杂CdS半导体纳米颗粒;岩盐矿CdS半导体的禁带宽度为1.5~1.7eV,并且是一种间接带隙半导体,通过岩盐矿和闪锌矿结构结合,带隙可以由近紫外到远红外整个光谱区内连续变化,同时因为它具有室温铁磁性,将是各种光电子和光器件的理想材料。
  • 岩盐结构co掺杂cds半导体纳米颗粒制备方法
  • [发明专利]一种中频炉冶炼贵金属铁合金的工艺-CN202011601946.5有效
  • 邬海宇 - 邬海宇
  • 2020-12-30 - 2022-02-22 - C22C33/04
  • 本发明公开了一种中频炉冶炼贵金属铁合金的工艺,其包括如下步骤:S1.将含贵金属原矿混合助熔剂和催化剂,加入中频炉中;该含贵金属原矿含有氧化物;S2.将中频炉内部温度升高至1600‑1800℃;S3.用中频炉火法冶炼,在助熔剂和催化剂的作用下,含贵金属原矿与助熔剂在1600‑1800℃共熔,利用含贵金属原矿中自含的氧化物,在1600‑1800℃高温下分解生成单质后,与贵金属形成合金,冶炼出贵金属铁合金;S4.冶炼出的贵金属铁合金和冶炼渣在中频炉中分层后,分离出贵金属铁合金和冶炼渣。本发明不用焦炭作为还原剂,极大的减少炭排放,又环保节能,回收贵金属,提高了源利用率。
  • 一种中频冶炼贵金属铁合金工艺
  • [发明专利]铌酸锂晶体-CN200710150590.6无效
  • 刘士国;吴胜青;孔勇发;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 - 南开大学
  • 2007-11-30 - 2008-04-30 - G02F1/355
  • 一种双铌酸锂晶体,本发明属非线性光学晶体领域。本发明将抗光折变掺杂离子Zr4+和光折变离子Fe3+共同掺入铌酸锂晶体中,具有掺杂阈值低,易于生长出高品质晶体的特点,且晶体具有优异的光折变性能,其光折变响应时间比铌酸锂晶体缩短两个量级,比镁铌酸锂晶体减少近1个量级,比铪铌酸锂晶体缩短了五倍;光折变灵敏度比铪铌酸锂晶体提高了2~3倍。本发明之锆铌酸锂晶体,具有优于其它双(如镁、铟、锌、铪等)铌酸锂晶体光折变性能的特点,因此在三维体全息存储的应用上具有巨大的市场前景。
  • 双掺铌酸锂晶体

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