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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]数字二进制至三进制转换电路-CN90108463.8无效
发明人：安德鲁·杰弗里·汤姆林斯;丹尼尔·布赖恩·托马斯 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1990-10-17 - 公布日： 1992-12-23 - 主分类号： H04L29/00 文献下载
摘要：本发明描述了用于(比方说)PCM多路复合/信号分离器的低频输出端的数字二进制及三进制转换电路，通过晶体管TR1使一对二进制输入反相来提供一个三电平输出信号，一对晶体管开关(TR2、TR3)被偏置成接近饱和状态，把上述的经反相和未经反相的二进制输入高速转换成三进制输出信号。
数字二进制至三进制转换电路

[发明专利]光导纤维缆-CN86106536.0无效
发明人：伊安·霍顿 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-09-11 - 公布日： 1992-02-19 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：一种架空光导纤维缆包括一个玻璃增强塑料芯体(1)，该芯体具有零放置角度的槽(2)以容纳松驰管状光导纤维(3、3A)，用纵向带(13)封闭槽(2)，缠上绷带(15)，并利用塑料挤压件(14)作外层。该光缆是自支撑的，完全用非金属材料制作的，适于沿架空电力输电系统作电信及数据传输。另一个实施例(图2)不是自支撑的，但是在设计上相似，并适宜用支撑绳缆支撑，另一个实施例有一个矩形槽，其中放置一个或多个带状元件。该光缆易于制造并且便宜。
光导纤维

[发明专利]光学纤维的涂层-CN85107960.1无效
发明人：保罗·格拉尔德·托姆林森;理查德·索马斯·纽伯尔德 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-10-09 - 公布日： 1991-05-08 - 主分类号： C03C25/02 文献下载
摘要：用一个涂层装置(6)对拉出的纤维(36)进行涂层，这个涂层装置可以在同心度监测器(7)的控制下围绕X轴和Y轴进行倾动，以保持涂层纤维(36)上的涂层与纤维同心。
光学纤维涂层

[发明专利]数据传输设备-CN87100361.9无效
发明人：德里克·布伦·沃特斯;迈克尔·詹姆斯·塞克斯顿 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1987-01-20 - 公布日： 1990-10-03 - 主分类号： H04L12/00 文献下载
摘要：称为一级数字复接的数据传输设备由一印刷电路板上的平行线做成的总线结构组成，装在印刷板上的电路单元以直角装在总线结构上。电路单元包括一控制部件，称为核心装置部件，作为一条或多条2Mb/s干线的接口，分支部件可接到用户及其它出口。描述了用一个或多个数字复接设备的各种网，设备的信令及控制装置采用信令处理器及单音处理器。信令处理器监测总线上的信号及线路条件并发出适当信号，单音处理器以类似方式工作。
数据传输设备

[发明专利]半导体器件-CN86101209.7无效
发明人：彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·贝克;加里·约翰·托姆金斯 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-02-26 - 公布日： 1990-10-03 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种完全自对准的多晶硅发射极双极晶体管P+基极接触(12)的自对准是通过利用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔层)作为P+基极接触注入掩模的一部分而获得的，集成极接触(13)的对准是利用多晶硅对准台面(14)的氧化侧壁而获得的，该对准台面限定在同发射极台面(7)样的多晶硅中。但淀积在氧化物(2)上，而不是淀积在注入的基区(5)中。
半导体器件

[发明专利]传输网-CN89108265.4无效
发明人：安东尼·杰索普;米歇米·杰姆斯·塞柯斯敦 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1989-10-31 - 公布日： 1990-06-13 - 主分类号： H04L12/00 文献下载
摘要：传输网的一种同步的交叉连接。为使多种数码率的信号进行交叉连接，将码率向上调整到同步码率，所调整的码率选择成相互之间有特定的整数倍关系(谐波式调整)。它允许宽范围的信号在一个阵列内交叉连接，并形成这样一种转接结构，从小容量转接扩充到大容量转接时，造价接近于线性增长。
传输

[发明专利]半导体器件-CN86103793.6无效
发明人：彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·巴克 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-05-31 - 公布日： 1990-03-28 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种制造带有半自对准p+型基极接触(27、27a)的双极晶体管(1)。p型基区28形成在n型区(5)的表面区中，n型区5具有一个集电极。例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上。基区接触区(27、27a)是利用注入方式且把电极区(29)作为掩模而形成的。使n+型集电极接触区(25)伸到n型区(5)中。
半导体器件

[发明专利]多路复用器-CN89101530.2无效
发明人：皮特·阿克耐 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1989-03-18 - 公布日： 1989-11-01 - 主分类号： H04J3/08 文献下载
摘要：本发明提出一种长途通讯系统，该系统由一个远离交换机、向多个用户电话提供服务、并经光纤与一个普通交换机相连的机箱组成。交换机适配器和机箱以英国专利说明书第2185658A号和第2185659A号中介绍的多路复用器为基础。
多路复用

[其他]半导体器件-CN101986000001789在审
发明人：彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·巴克 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-03-19 - 公布日： 1989-06-21 - 主分类号：文献下载
摘要：一种集成电路，其中，双极晶体管（１）和ＣＭＯＳ晶体管（２、３）在衬底上同时形成。ＣＭＯＳ晶体管的栅（１１、２１）与双极晶体管的发射极（２９）用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于ｎ阱ＭＯＳ管的源、漏区（１７、１８）的区域（２７、２７ａ）构成，并由基区注入（２８）桥接。增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的ＣＭＯＳ工艺。一次光刻步骤决定（２８）的范围，另一次光刻步骤决定氧化层（３０）在（２８）上的范围。基极接触用半自对准的方法产生。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN86101789.7无效
发明人：彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·巴克 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-03-19 - 公布日： 1989-06-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种集成电路，其中，双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成。CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27a)构成，并由基区注入(28)桥接。增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的CMOS工艺。一次光刻步骤决定(28)的范围，另一次光刻步骤决定氧化层(30)在(28)上的范围。基极接触用半自对准的方法产生。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造-CN85104952.4无效
发明人：丹尼尔·塞吉斯马多·奥托·兰纳 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-06-28 - 公布日： 1989-03-15 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：选择腐蚀多层结构中位于各层下面的半导体层4的方法，层1的材料与层4相同或相似，腐蚀对层1无显著影响，预蚀层1.4，层5下面出现带凹槽10的阶梯结构，在已预蚀的结构上用r.f.方法淀积SiO211，凹槽的SiO2最薄，且有选择地去除之，在层1仍有SiO2覆盖时腐蚀层4至要求的宽度，该方法可用于传质埋层异质结构激光器的制造，层1、4是镓铟砷磷，层3、5是铟磷，最后用质量传递工艺以铟磷填充凹槽，层1、5可以为P型、层3为n型，层1为激光器提供一个电接触层。
半导体器件及其制造

[其他]半导体器件及其制造-CN85104952无效
发明人：丹尼尔·塞吉斯马多·奥托·兰纳 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-06-28 - 公布日： 1989-03-15 - 主分类号：文献下载
摘要：选择腐蚀多层结构中位于各层下面的半导体层４的方法，层１的材料与层４相同或相似，腐蚀对层１无显著影响，预蚀层１．４，层５下面出现带凹槽１０的阶梯结构，在已预蚀的结构上用ｒ．ｆ．方法淀积ＳｉＯ２１１，凹槽的ＳｉＯ２最薄，且有选择地去除之，在层１仍有ＳｉＯ２覆盖时腐蚀层４至要求的宽度，该方法可用于传质埋层异质结构激光器的制造，层１、４是镓铟砷磷，层３、５是铟磷，最后用质量传递工艺以铟磷填充凹槽，层１、５可以为Ｐ型、层３为ｎ型，层１为激光器提供一个电接触层。
半导体器件及其制造

[其他]半导体工艺-CN101985000004071在审
发明人：彼得·戴维·格林;丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-05-28 - 公布日： 1989-02-15 - 主分类号：文献下载
摘要：用于制造半导体器件特别是但不只是ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片（１８）靠近要生长材料的半导体晶片（１５）的安排，它们与晶状卤化碱（２０）一起在坩埚（１６）内的布置和坩埚的加热，加热时在氢气流中，几乎是但不完全是密封的。在制造ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ激光器和生长ＩｎＰ时，卤化碱可以是ＫＩ、ＲｂＩ、或ＣｓＩ，并且可将一定量的Ｉｎ金属（２１）放在坩埚（１６）里，以控制确定激光器有源区的ＩｎＰ的生长与ＩｎＰ从晶片其他区域腐蚀之间的平衡。生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。
半导体工艺

[发明专利]半导体工艺-CN85104071.3无效
发明人：彼得·戴维·格林;丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-05-28 - 公布日： 1989-02-15 - 主分类号： H01S3/18 文献下载
摘要：用于制造半导体器件特别是但不只是InP/InGaAsP低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片(18)靠近要生长材料的半导体晶片(15)的安排，它们与晶状卤化碱(20)一起在坩埚(16)内的布置和坩埚的加热，加热时在氢气流中，几乎是但不完全是密封的。在制造InP/InGaAsP激光器和生长InP时，卤化碱可以是KI、RbI、或CsI，并且可将一定量的In金属(21)放在坩埚(16)里，以控制确定激光器有源区的InP的生长与InP从晶片其他区域腐蚀之间的平衡。生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。
半导体工艺

[其他]拖曳式声阵的结节部-CN86102695无效
发明人：迈克尔·约翰·布里亚恩特;弗兰克·理查德·阿坦伯罗;克里斯托福·格拉哈姆·希基斯 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司;布里托尔公共有限公司
申请日： 1986-04-21 - 公布日： 1987-11-04 - 主分类号： G01V1/16 文献下载
摘要：拖曳式声阵或地震探测器用的一种柔性结节部，包括有一批由夹紧部件10c、11c接附于应变索12上的盒子。此结节部封装于一柔曲性的外套13中，并以浮力凝胶充填。这种结节部的柔曲性使之能绕过胶盘，而应变索则可在不使这些独立的盒子受到应力影响的条件下传递拖曳应变。
拖曳式声阵结节

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