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[发明专利]一种具有铟元素掺杂物的纳米氧化锌-CN201910912650.6在审
发明人：张训龙;刘艺 -专利权人：安徽省含山县锦华氧化锌厂
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铟元素掺杂物的纳米氧化锌，包含大于99重量%的锌部分、第一铟元素掺杂物部分和第二钴元素、铜元素掺杂物部分；所述第一铟掺杂物部分和所述第二钴元素、铜元素掺杂物部分以1:1.5重量比存在；所述第一铟元素掺杂物部分和第二钴元素、铜元素掺杂物部分采用射频反应溅射方法掺杂至氧化锌中；将溅射方法制备的氧化锌活化处理成掺杂铟元素的纳米氧化锌。本发明的具有铟元素掺杂物的纳米氧化锌用X射线衍射仪分析纳米氧化锌的晶相显示铟元素掺杂物的纳米氧化锌衍射峰的强度为未掺杂的3.5倍，同时有效的提高纳米氧化锌的结晶质量。
掺杂物纳米氧化锌铟元素铜元素钴元素氧化锌溅射掺杂活化处理射频反应未掺杂衍射峰重量比铟掺杂制备分析

[发明专利]正极材料、正极极片及电池-CN202311096234.6在审
发明人：赵怡庆;钟李杰 -专利权人：深圳海辰储能控制技术有限公司;厦门海辰储能科技股份有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本申请涉及一种正极材料、正极极片及电池，所述正极材料包括磷酸铁锂、第一掺杂元素以及第二掺杂元素；所述第一掺杂元素及所述第二掺杂元素为不同的过渡金属元素；在所述正极材料中，所述第一掺杂元素的质量分数M1满足：500ppm≤M1≤4000ppm，所述第二掺杂元素包括钛元素及钒元素。
正极材料电池

[发明专利]光伏电池及其制备方法-CN202011367263.8在审
发明人：金井升;杨楠楠;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光伏电池及其制备方法，光伏电池的制备方法包括：提供半导体基材，在半导体基材中掺入第一掺杂元素，第一掺杂元素为N型掺杂元素或者P型掺杂元素中的一者；在掺入有第一掺杂元素的半导体基材的一侧形成具有第一厚度的初始钝化层；在初始钝化层远离半导体基材的区域掺入第二掺杂元素以形成具有第二厚度的场钝化层，未掺入第二掺杂元素的初始钝化层作为具有第三厚度的化学钝化层，其中，第二掺杂元素为N型掺杂元素或者P型掺杂元素中的另一者。
电池及其制备方法

[发明专利]包含掺杂有掺杂元素的锂镍基氧化物的正极活性材料以及包含该正极活性材料的二次电池-CN202080027607.2在审
发明人：韩政珉;韩玑范;李尚昱;金学允;白韶螺;郑王谟 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种二次电池用正极活性材料，其包括：掺杂有掺杂元素(M')的锂镍基氧化物，其中所述掺杂元素(M')是选自由钛(Ti)和镁(Mg)组成的组中的至少一种，其中当所述掺杂元素(M')是Ti时，基于除掺杂元素外的锂镍基氧化物的总量，掺杂含量为3000ppm至5000ppm，其中当所述掺杂元素(M')是Mg时，基于除掺杂元素外的锂镍基氧化物的总量，掺杂含量为500ppm至5000ppm，并且其中当所述掺杂元素(M')是Ti和Mg时，基于除掺杂元素外的锂镍基氧化物的总量，总掺杂含量为3500ppm至5000ppm。
包含掺杂元素锂镍基氧化物正极活性材料以及二次电池

[发明专利]一种复合掺杂改性的镍基正极材料及其制备方法-CN202310197374.6在审
发明人：赵小康;罗桂;谭欣欣;杨捷 -专利权人：巴斯夫杉杉电池材料有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合掺杂改性的镍基正极材料，包括镍基正极材料基体以及掺杂于所述镍基正极材料基体中的掺杂元素，所述掺杂元素包括元素K、元素L和元素M，所述元素K包括Al、Mg、Zr或Co中的至少一种，所述元素L为高价态小半径元素，所述元素M为低价态大半径元素。本发明还提供一种上述复合掺杂改性的镍基正极材料的制备方法。本发明通过多种掺杂元素协同共掺杂，提高了正极材料的循环稳定性，提高了正极材料的容量和倍率性能。
一种复合掺杂改性正极材料及其制备方法

[发明专利]一种元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料及其制备方法和应用-CN202110177595.8在审
发明人：薛孟尧;王凯锋;胥鑫;霍林智;曹新龙;宋骞 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料及其制备方法和应用，属于锂离子电池技术领域。所述元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料包括元素掺杂氧化亚硅和包覆碳层，以元素掺杂氧化亚硅为内核、以包覆碳层为外壳构成核壳结构。所述元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料的制备方法包括以掺杂源、硅和二氧化硅为原料制得元素掺杂氧化亚硅，将粉碎的元素掺杂氧化亚硅通过气相沉积包覆碳层制得元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料。本发明解决了元素掺杂不均匀且掺杂浓度低的缺点，通过本发明制得的元素掺杂氧化亚硅/碳复合材料具有高倍率、长循环的优点，因此能够应用于锂离子电池负极材料。
一种元素掺杂氧化复合材料及其制备方法应用

[发明专利]碳负极材料及其制备方法和应用-CN202111434599.6在审
发明人：程钢;汪福明;李子坤;任建国;黄友元;贺雪琴 -专利权人：深圳市贝特瑞新能源技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本申请提供一种碳负极材料及其制备方法和应用，该碳负极材料包括碳基体，碳基体的碳层间含有掺杂元素，掺杂元素分布均匀度大于等于35％。本申请提供的碳负极材料，通过提升掺杂元素在碳材料碳层间分布的均匀度，解决常规掺杂碳材料的表层掺杂元素过饱和、里层掺杂元素贫乏问题，实现碳原子与掺杂元素充分、均匀地结合，最大限度地发挥掺杂元素掺杂提升碳负极材料的容量性能的作用
负极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硅氧负极材料及其制备方法和应用-CN202210959559.1有效
发明人：王静;罗飞 -专利权人：溧阳天目先导电池材料科技有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅氧负极材料及其制备方法和应用，包括：多孔陶瓷、氧化亚硅和掺杂元素;其中,以多孔陶瓷作为骨架，氧化亚硅和掺杂元素通过液相法或固相法均匀弥散分布在多孔陶瓷的孔隙内；掺杂元素包括金属掺杂元素和/或非金属掺杂元素；金属掺杂元素包括:一种或多种Al、Na、Li、Mg、Ca、Ti、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、Ge、Sn任意一种掺杂元素的物质；非金属掺杂元素包括:一种或多种B、N、P、S、C、As、Se任意一种掺杂元素的物质；本发明的硅氧负极材料具有低体积膨胀、高循环和高初始效率的特性。
一种负极材料及其制备方法应用

[发明专利]太阳能电池及其选择性发射极的制备方法-CN202010847223.7有效
发明人：于琨;刘长明;张昕宇;高贝贝;麻增智 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在具有第一极性的半导体衬底的表面进行第一掺杂元素的扩散，以形成具有第二极性的轻掺杂层；在轻掺杂层的表面形成氧化层；在氧化层表面上的至少一个区域涂覆掺杂剂并进行掺杂处理，以在轻掺杂层中形成至少一个重掺杂区；其中，掺杂剂至少包括第二掺杂元素、第二掺杂元素的氧化物、第三掺杂元素和第三掺杂元素的氧化物中的一种或多种，第一掺杂元素、第二掺杂元素和第三掺杂元素为同族元素。
太阳能电池及其选择性发射极制备方法

[发明专利]单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器-CN202011550954.1有效
发明人：杜鹏 -专利权人：湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本申请提供一种单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器。单分子层内δ掺杂的半导体材料，包括基础缓冲层以及设置在基础缓冲层上的一个或多个单分子掺杂层；基础缓冲层包括III族元素和V族元素；单分子掺杂层包括交替设置的未掺杂部分和掺杂部分，未掺杂部分与基础缓冲层的成分相同，掺杂部分包括与未掺杂部分相同的元素和掺杂元素，掺杂元素包括II族元素、VI族元素和IV元素中的一种或多种。半导体材料的制备方法，包括：在衬底上生长基础缓冲层，然后在基础缓冲层上交替生长未掺杂部分和掺杂部分得到所述单分子掺杂层。探测器，其原料包括半导体材料。本申请提供的单分子层内δ掺杂的半导体材料，具有更高的载流子浓度。
单分子层掺杂半导体材料及其制备方法探测器

[发明专利]一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法与应用-CN202010613663.6有效
发明人：靳婉琪;耶夫亨·布勒琴科;王超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法与应用，所述掺杂稀土元素的碳化硅粉料包含碳化硅晶相和稀土元素的硅化物，所述稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中。所述稀土元素的硅化物在碳化硅晶相中的掺杂浓度为0.001～5wt％。本申请掺杂稀土元素的碳化硅粉料中，稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中，使得稀土元素在碳化硅粉中均匀掺杂，长晶时，稀土元素会随着碳化硅粉的升华被逐步释放，实现稀土元素在时间和空间上的均匀掺杂，从而有效抑制了晶体中多型缺陷的产生；且选用纯度较高的稀土元素的氧化物获得稀土元素的硅化物，极大地降低了掺杂稀土元素的碳化硅粉料的生产成本，且提高了产品纯度。
一种掺杂稀土元素碳化硅料及制备方法应用

[发明专利]用作拓扑绝缘体的铋锑合金-CN202080080281.X在审
发明人： B·R·约克;黄承业;A·斯普尔;M·格里贝柳克;乐广 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOT设备，该SOT设备包括位于衬底上方的铋锑掺杂物元素(BiSbE)合金层。该BiSbE合金层用作拓扑绝缘体。该BiSbE合金层包含铋、锑和掺杂物元素。该掺杂物元素是非金属掺杂物元素、金属掺杂物元素和它们的组合。金属掺杂物元素的示例包括Ni、Co、Fe、CoFe、NiFe、NiCo、NiCu、CoCu、NiAg、CuAg、Cu、Al、Zn、Ag、Ga、In或它们的组合。非金属掺杂物元素的示例包括Si、P、Ge或它们的组合。该BiSbE合金层可包括多个BiSb薄片层和一个或多个掺杂物元素薄片层。该BiSbE合金层具有(012)取向。
用作拓扑绝缘体合金

[发明专利]掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法-CN201410675336.8有效
发明人：狄增峰;王刚;陈达;郭庆磊;马骏;郑晓虎;戴家赟;薛忠营;张苗;丁古巧;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法，其中，所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括：提供一铜衬底，在所述铜衬底上形成镍薄膜层；在所述镍薄膜层上选择一特定区域，在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素，以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区；对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温，以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底；然后在甲烷环境下进行第二阶段保温，以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯。本发明结合铜和镍的性质，利用离子注入技术，实现了N型和P型掺杂元素的晶格式掺杂，从而得到稳定的掺杂石墨烯结构。
石墨烯掺杂铜衬镍薄膜层制备阶段保温元素区离子注入技术掺杂元素铜镍合金甲烷衬底

[发明专利]一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法-CN202210221527.1在审
发明人：陈秀芳;仲光磊;谢雪健;彭燕;杨祥龙;胡小波;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法，该方法首先制备含掺杂元素的SiC晶粒或SiC多晶块，通过SiC晶粒或多晶块锁住掺杂元素法来实现掺杂元素的均匀持续释放，密封掺杂元素的SiC晶粒或多晶块作为生长源，可极大的提高掺杂元素在晶锭轴向和径向上掺入的均匀性，得到p型SiC，减缓生长过程掺杂元素的掺入不均匀性，提高晶体质量。
一种掺杂均匀 sic 生长方法

[发明专利]一种掺杂型磷酸锰铁锂正极材料及其制备方法和包含其的正极极片、锂离子电池-CN202310402678.1在审
发明人：沈伟 -专利权人：北京车和家汽车科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂型磷酸锰铁锂正极材料及其制备方法和包含其的正极极片、锂离子电池。所述正极材料包括由掺杂元素A、掺杂元素B和掺杂元素C梯度掺杂的磷酸锰铁锂；掺杂元素A和掺杂元素B主要位于磷酸锰铁锂晶体结构内部，掺杂元素C主要位于磷酸锰铁锂晶体结构表面；其中，掺杂元素A选自Co2+、Ni2+和V3+；掺杂元素B选自Mg2+、Al3+和Cr3+；掺杂元素C选自Ti4+、Zr4+本发明提供的掺杂型磷酸锰铁锂正极材料既能够有效抑制锰元素溶出，提升电池循环稳定性，同时又不降低正极材料容量的发挥。
一种掺杂磷酸锰铁正极材料及其制备方法包含锂离子电池

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