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[发明专利]形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法-CN201010166680.6有效
发明人： C-C·陈;黄武松;李伟健;C·萨尔玛 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术公司
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法。在衬底上形成具有第二光敏性的第二光致抗蚀剂。在第二光致抗蚀剂上形成具有大于第二光敏性的第一光敏性的第一光致抗蚀剂。优选地，第一光致抗蚀剂为在曝光后变为透明的灰抗蚀剂。采用具有第一图形的第一母掩模光刻曝光第一抗蚀剂的至少一部分以形成至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂部分，而第二光致抗蚀剂保持完整。采用包括第二图形的第二母掩模光刻曝光第二抗蚀剂以在第二光致抗蚀剂中形成多个光刻曝光的形状。通过将第二图形限制在仅仅所述至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂图形的区域内，所述多个光刻曝光的形状具有源自第二图形的合成图形。
形成包括屏蔽形状阵列图形方法

[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法-CN201380060226.4在审
发明人：细樅茂 -专利权人：友立材料股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：提供一种通过电极层的剖面形状为大致逆梯形形状、并且侧面形成为粗化面而提高了电极层和树脂的紧贴性的半导体元件搭载用基板及其制造方法。半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，依次经由下述工序：a)，在金属板表面，通过主要的感光波长不同的抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层构成的2层抗蚀剂层的工序；b)在下抗蚀剂层未曝光状态下，按照预定图案使上抗蚀剂层曝光的工序；c)显影工序，在上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，在未曝光状态的下抗蚀剂层中，按照该预定图案，形成开口部，部分性地露出金属板表面；d)使下抗蚀剂层曝光而硬化的工序；e)向从下抗蚀剂层露出了的金属板表面的预定镀敷层的形成工序；f)将下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层抗蚀剂层全部剥离的工序；以及g)使在e)工序中形成了的镀敷层侧面粗化的工序。
半导体元件搭载用基板及其制造方法

[发明专利]化学增幅型抗蚀剂及图案形成方法-CN200510004698.5无效
发明人：远藤政孝;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-01-21 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：在基板上形成含有水溶性聚合物的化学增幅型抗蚀剂组成的抗蚀剂膜。其中使用水溶性聚合物根据气体透过性比化学增幅型抗蚀剂小的材料。进而通过掩模对抗蚀剂膜选择性照射曝光光线进行图案曝光，然后通过对进行了图案曝光的抗蚀剂膜进行显影，得到由抗蚀剂膜以良好形状被微细化的抗蚀剂图案。
化学增幅型抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法-CN200810087611.9有效
发明人：西胁智弘;兼子一重;山田哲也;野村洋治 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-03-25 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：由于在受光部上形成开口部用的抗蚀剂膜上产生裂纹，使得至无意图的部分的层间绝缘膜被蚀刻。为了对此进行防范，将用作蚀刻掩模的抗蚀剂图案的形状作成使应力分散的形状。由于在将抗蚀剂曝光、显影后实施后烘焙而使抗蚀剂固化，产生应力。为使该应力分散，将抗蚀剂图案的开口部形成为没有角的平面形状。因而，本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法。
半导体集成电路装置制造方法

[发明专利]抗蚀剂图案形成方法和抗蚀剂图案形成系统-CN200410030444.6无效
发明人：中田胜之;服部一博 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 2004-03-18 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：提供一种抗蚀剂图案形成方法，使用便于操作的非化学增强型抗蚀剂，能获得形状微细且高宽比大的抗蚀剂图案。其中至少包括通过涂覆非化学增强型抗蚀剂在基体材料(2)上形成抗蚀剂层(4)的工序、对抗蚀剂层(4)进行曝光的工序、用90℃以上130℃以下的温度烘烤进行曝光的基体材料(2)的工序、以及对进行烘烤的基体材料(2)进行显影的工序，以形成抗蚀剂图案。
抗蚀剂图案形成方法系统

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200510077481.7无效
发明人：小泉玄太 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：其中，表面抗蚀剂层(15)是仅有所述图案曝光区域以外作为通常的正型抗蚀剂来显影。然后，底层的抗蚀剂层(13)是反转成负型的表面抗蚀剂层(15)的图案曝光区域底部也显影，从而成为底层抗蚀剂层(13)对于表面抗蚀剂层(15)被底切的截面形状。表面抗蚀剂层(15)由于与底层抗蚀剂层(13)的相互扩散的影响而具有倒梯形。
半导体装置制造方法

[发明专利]制造磁记录头的方法-CN200810009431.9无效
发明人：犬饲和明;今纯一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明涉及制造磁记录头的方法，该方法包括：抗蚀剂图案形成步骤，用于形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层由热塑性树脂制成，并且其中以磁记录头的主磁极的形状形成有孔；硬化处理步骤，用于使所述抗蚀剂层的表面硬化；烘烤步骤，用于在所述硬化处理步骤之后热烘烤所述抗蚀剂层，以暂时使所述抗蚀剂层流动化；以及主磁极形成步骤，用于通过使用主磁极的材料填充所述抗蚀剂层中的所述孔，来形成主磁极。
制造记录方法

[发明专利]制造垂直磁记录写头的方法-CN200710101865.7无效
发明人：唐纳德·G·艾伦;阿曼达·贝尔;迈克尔·费尔德鲍姆;亨－钦·格思里;阿伦·彭特克 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造垂直磁记录写头中的写极的方法，其使用金属掩模来构图主抗蚀剂并在后续构图步骤期间仅使用离子研磨。主抗蚀剂层沉积在磁写极材料之上并且金属掩模层沉积在主抗蚀剂层上。成像抗蚀剂层形成在金属掩模层上并基本以写极的所需形状光刻构图。然后在成像抗蚀剂图案之上进行没有反应气体的离子研磨从而构图下面的金属掩模层，该金属掩模层然后被用作掩模从而定义主抗蚀剂图案的形状。然后在金属掩模图案之上进行利用氧气的离子研磨从而构图下面的主抗蚀剂。然后在该主抗蚀剂图案之上进行没有反应气体的离子研磨从而形成下面的写极。
制造垂直记录方法

[发明专利]用于形成抗蚀剂图案的方法和用于制造半导体器件的方法-CN201010158561.6无效
发明人：冈治成治 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成抗蚀剂图案的方法和用于制造半导体器件的方法。为了抑制在预烘焙工艺中由温度不均匀性引起的抗蚀剂图案尺寸的变化，执行在基础衬底上涂覆正型或负型的抗蚀剂、预烘焙、曝光、曝光后烘焙以及通过对抗蚀剂进行显影来形成具有预定形状的抗蚀剂。在抗蚀剂是正型的情况下，以等于或高于抗蚀剂中包括的基础树脂的保护基的分离开始温度的温度执行预烘焙。在抗蚀剂是负型的情况下，以等于或高于抗蚀剂中包括的基础树脂中的交联剂的交联开始温度的温度执行预烘焙。
用于形成抗蚀剂图案方法制造半导体器件

[发明专利]图案形成方法-CN200410049548.1无效
发明人：远藤政孝;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种图案形成方法，在基板(101)上形成抗蚀剂膜(102)，对形成的抗蚀剂膜(102)选择性地照射曝光光线进行曝光。对进行了图案曝光的抗蚀剂膜(102)进行显影，形成第一抗蚀剂图案(102b)，接着在基板(101)上遍及含有第一抗蚀剂图案(102b)的全部表面上形成水溶性膜，该水溶性膜中含有与抗蚀剂构成材料交联的交联剂及促进该交联剂交联反应的作为交联促进剂的酸进而通过加热使水溶性膜(105)和在第一抗蚀剂图案(102b)的侧面上接触部分之间交联反应后，除去水溶性膜(105)中与第一抗蚀剂图案(102b)未反应的部分，以形成从第一抗蚀剂图案(102b)在其侧面上由水溶性膜(105)残存而成的第二抗蚀剂图案(107)。使得到的抗蚀剂图案形状良好。
图案形成方法

[发明专利]修正凸块尺寸的方法及其凸块结构-CN200810213645.8无效
发明人：齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明是一种修正凸块尺寸的方法，包括：提供一晶片且具有一主动面；形成一光致抗蚀剂层在晶片的主动面上；提供具有一图案的光掩模层，其中该图案为一几何形状；执行一第一曝光工序，使得光掩模层的图案转移到光致抗蚀剂层上；执行一显影及蚀刻步骤，以移除部份光致抗蚀剂层且在光致抗蚀剂层内形成具有几何形状的多个开口；填满金属层在具有几何形状的多个开口内；及移除光致抗蚀剂层，以形成具有几何形状的多个凸块在晶片的主动面上。
修正尺寸方法及其结构

[发明专利]灰度掩模、微透镜及其制造方法、空间光调制装置及投影机-CN200610162994.2无效
发明人：水迫和久;上岛俊司 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供的灰度掩模等，用于以高精度形成微透镜等的具有三维微细结构的光学元件，特别是具备高纵横比的形状的光学元件。为了以预定的图形对抗蚀剂层进行曝光而确定了光透射率的分布的灰度掩模(20)，具备：第1区域(91)，其使得采用相应于第1抗蚀剂形状所曝光了的抗蚀剂层、形成比第1抗蚀剂形状的纵横比高的纵横比的第2抗蚀剂形状地，确定了光透射率的分布；和第2区域(92)，其对用于对抗蚀剂层进行曝光的光进行遮光。
灰度透镜及其制造方法空间调制装置投影机

[发明专利]抗蚀剂材料分配系统-CN201911199126.5在审
发明人：徐振益;李尚昇;李永尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种抗蚀剂材料分配系统包括抗蚀剂供应部和抗蚀剂过滤器，该抗蚀剂过滤器在该抗蚀剂供应部的下游连接到该抗蚀剂供应部。该抗蚀剂材料分配系统包括抗蚀剂储罐结构，该抗蚀剂储罐结构在抗蚀剂过滤器的下游连接到该抗蚀剂过滤器；以及抗蚀剂泵送装置，该抗蚀剂泵送装置在该抗蚀剂储罐结构的下游连接到该抗蚀剂储罐结构。抗蚀剂储罐结构为竖直布置的，使得抗蚀剂材料从抗蚀剂材料进入抗蚀剂储罐结构的位置开始直到抗蚀剂材料离开抗蚀剂储罐结构为止以连续向下流进行流动。
抗蚀剂材料分配系统

[发明专利]光斑尺寸转换器及其制造方法-CN202080047596.4在审
发明人：姜伟;D·T·阮;D·A·诺兰;A·R·扎哈里安 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：一种制作包括多尖端波导的光斑尺寸转换器的方法，该多尖端波导包括第一波导部分和第二波导部分，该方法包括以下步骤：用抗蚀剂材料涂覆多层晶片，该多层晶片包括波导材料层；将所涂覆的抗蚀剂材料曝光于深紫外射束或电子束；显影抗蚀剂材料以在抗蚀剂材料内形成部分波导图案；将部分波导图案转移到波导材料层，从而形成初始波导；将第二层抗蚀剂材料放置在初始波导之上；通过将第二层抗蚀剂材料曝光于深紫外射束或电子束来在第二层抗蚀剂材料中图案化锥形间隙区域形状；以及将锥形间隙区域形状转移到初始波导的波导材料层以在初始波导内部形成锥形间隙区域。
光斑尺寸转换器及其制造方法

[发明专利]热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法、模具、显影方法以及图案形成材料-CN201280057187.8有效
发明人：三田村哲理;中田卓人 -专利权人：旭化成电子材料株式会社
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：一种热反应型抗蚀剂材料，含有氧化铜以及硅或氧化硅，所述热反应型抗蚀剂材料中的所述硅或氧化硅的含量以硅的摩尔量计为4.0mol％以上、不足10.0mol％。使用该热反应型抗蚀剂材料形成热反应型抗蚀层，将该热反应型抗蚀层曝光后在显影液中显影。以得到的热反应型抗蚀层作为掩膜，基材在氟利昂气体下进行干蚀刻，制得基材表面具有凹凸形状的模具。此时，可以控制由凹凸形状构成的微细图案。
反应型抗蚀剂材料模具制造方法显影以及图案形成

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