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[发明专利]抗反射涂料组合物-CN201310254286.1无效
发明人：金羽圭;吴恒鹏;D·J·阿布达拉;M·内瑟;卢炳宏;张汝志;M·D·拉曼 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及抗反射涂料组合物，其包含（i）热致酸产生剂；（ii）包含至少一种芳族基团的可交联聚合物；和（iii）包含至少一种结构（6）单元的聚合物型交联剂，其中R₁₁-R₁₃独立地选自H、（C₁-C₆）烷基和芳族基团，R₁₄和R₁₅独立地是（C₁-C₁₀）烷基。本发明还涉及使本发明抗反射涂料组合物成像的方法。
反射涂料组合

[发明专利]使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法-CN200980156339.8有效
发明人： D·J·阿布达拉;R·R·达梅尔;高野祐辅;李晋;黑泽和则 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基材上形成任选的吸收性有机底层；b)在所述底层上方形成光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)在所述光致抗蚀剂图案上方由聚硅氮烷涂料组合物形成聚硅氮烷涂层，其中所述聚硅氮烷涂层比所述光致抗蚀剂图案厚，和进一步其中所述聚硅氮烷涂料组合物包含硅/氮聚合物和有机涂料溶剂；e)蚀刻所述聚硅氮烷涂层以除去所述聚硅氮烷涂层至少直到所述光致抗蚀剂的顶部的程度以致所述光致抗蚀剂图案露出；和f)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和在所述光致抗蚀剂下方的底层，从而在曾经存在所述光致抗蚀剂图案的位置的下方形成开口。本发明进一步涉及上述方法的产品和由使用上述方法制成的微电子器件。
使用聚硅氮烷形成色调图像硬掩模方法

[发明专利]使用双重图案化的光致抗蚀剂图像成形方法-CN200980111624.8无效
发明人： R·R·达梅尔;D·J·阿布达拉;E·阿勒梅;M·帕德马纳本 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：在器件上形成光致抗蚀剂图案的方法，包括：a)在基底上从第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)成像式曝露该第一光致抗蚀剂；c)将第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包括至少2个氨基(NH2)基团的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，因此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括该硬化的第一光致抗蚀剂图案的基底区域上从第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)成像式曝露该第二光致抗蚀剂；和g)将成像式曝露的第二光致抗蚀剂显影以在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案，因此提供双重光致抗蚀剂图案。
使用双重图案光致抗蚀剂图像成形方法

[发明专利]抗反射涂料组合物-CN200780038931.9有效
发明人：金羽圭;吴恒鹏;D·J·阿布达拉;M·内瑟;卢炳宏;张汝志;M·D·拉曼 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及抗反射涂料组合物，其包含(i)热致酸产生剂；(ii)包含至少一种芳族基团的可交联聚合物；和(iii)包含至少一种结构(6)单元的聚合物型交联剂，其中R₁₁-R₁₃独立地选自H、(C₁-C₆)烷基和芳族基团，R₁₄和R₁₅独立地是(C₁-C₁₀)烷基。本发明还涉及使本发明抗反射涂料组合物成像的方法。
反射涂料组合

[发明专利]包含硅氧烷聚合物的抗反射涂料组合物-CN200780023139.6无效
发明人：张汝志;M·O·奈瑟;金羽圭;D·J·阿布达拉;F·霍利亨;卢炳宏;庄弘 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明涉及包含成酸剂和新型硅氧烷聚合物的用于形成光刻胶底层的新型抗反射涂料组合物，其中该硅氧烷聚合物包含至少一个吸光性生色团和至少一个结构(1)的自交联官能团，其中m为0或1，W和W′独立地为将环醚连接到聚合物的硅上的价键或连接基团，和L选自氢、W′和W或者L和W′结合以构成将环醚连接到聚合物的硅上的脂环族连接基团。本发明还涉及将涂在该新型抗反射涂料组合物上的光刻胶成像的方法并提供良好的光刻结果。本发明进一步涉及新型硅氧烷聚合物，其中该硅氧烷聚合物包含至少一个吸光性生色团和至少一个结构(1)的自交联官能团。
包含硅氧烷聚合物反射涂料组合