专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光二极背光模块-CN200610127011.1无效
  • 吴易座 - 亿光电子工业股份有限公司
  • 2006-09-19 - 2008-03-26 - G02F1/13357
  • 本发明公开了一种发光二极背光模块,具有一模块底座;多个红光、蓝光及绿光二极封装体组成的二极阵列固定于模块底座上;一混光腔体罩于模块底座上,将二极阵列密封于其内。第一扩散片固定于混光腔体内,并平行于模块底座,二极阵列所发出的光穿越第一扩散片后更均匀。第二扩散片固定于混光腔体内,并平行于第一扩散片,已穿越该第一扩散片的光穿越第二扩散片后更加均匀。上述第一扩散片及第二扩散片至少其中的一包含多个弧形凹陷位于其平坦表面。
  • 发光二极管背光模块
  • [发明专利]新型CMOS图像传感器像素结构-CN202011608526.X有效
  • 王欣洋;李扬;马成;刘洋;辛国松 - 长春长光辰芯微电子股份有限公司
  • 2020-12-29 - 2023-05-12 - H01L27/146
  • 本发明提供一种新型CMOS图像传感器像素结构,包括:包括:光电二极、浮置扩散节点、复位晶体和转移晶体;其中,光电二极为中空的环形结构,浮置扩散节点设置在光电二极的中空区域内,转移晶体为环形结构,其内边缘与浮置扩散节点接触,其外边缘与光电二极接触,复位晶体设置在浮置扩散节点的正下方,通过转移晶体将光电二极累积的电荷从不同方向转移至浮置扩散节点,通过复位晶体提供竖直方向电场,对浮置扩散节点进行复位本发明能够在不影响转移晶体电荷转移速度的情况下,增大光电二极感光区域的面积。
  • 新型cmos图像传感器像素结构
  • [实用新型]一种改善扩散均匀性的大尺寸石英-CN202023344565.1有效
  • 吴慧敏;陈刚 - 浙江爱旭太阳能科技有限公司
  • 2020-12-31 - 2021-10-08 - C30B31/10
  • 本实用新型涉及一种改善扩散均匀性的大尺寸石英。它包括有内柱体和套设在内柱体外部的外体,内柱体和外体均为石英材质,外体的一端为开口设置,而另一端为闭合设置,内柱体与外体之间连接有石英结点,石英结点用于连接固定内柱体和外体,外体上开设有若干贯通体的扩散孔,外体两端的扩散孔分布密度大于外体中部的分布密度。外体两端的扩散孔分布密度大于外体中部的分布密度,这样设计有利于气体均匀的充满扩散炉,有利于电池片的扩散反应。同时内柱体加外体的结构具有更好的抗弯强度,自身的长度尺寸可以做得更大。
  • 一种改善扩散均匀尺寸石英管
  • [实用新型]一种扩散炉的气体导向装置-CN202221231436.8有效
  • 黄赛琴;黄福仁;陈轮兴 - 福建安特微电子有限公司
  • 2022-05-18 - 2022-10-18 - F27D7/02
  • 本实用新型提供了一种扩散炉的气体导向装置,包括设置在扩散炉的进气端内的导向盘本体,所述导向盘本体的外缘与扩散炉的内壁相接触;所述导向盘本体上开设有气体导向通孔。本实用新型的优点在于:通过在扩散炉的进气端内设置导向盘本体,并在导向盘本体上开设气体导向通孔,使得在具体使用时,可以利用导向盘本体上的气体导向通孔对通入的工艺气体进行导向,使工艺气体能够在扩散炉内均匀地扩散,从而保证硅片的扩散效果。
  • 一种扩散气体导向装置
  • [发明专利]用于单元设计的混合扩散中断-CN202180062629.7在审
  • D·D·谢勒卡尔;V·莫洛兹;J·卡瓦 - 美商新思科技有限公司
  • 2021-09-13 - 2023-09-05 - G06F111/20
  • 使用包括混合扩散中断的单元(101,111)来设计集成电路布局(100)。每个单元(101,111)具有第一边缘和第二边缘(102,103),其中第二边缘与第一边缘相对。单元具有跨越在单元的第一边缘与第一扩散中断的边缘之间的第一虚拟晶体。第一扩散中断可以位于第一虚拟晶体(105a)下方的中心。第一虚拟晶体(105a)和第一扩散中断可以形成单扩散中断。附加地,单元具有跨越在单元的第二边缘与第二扩散中断的边缘之间的第二虚拟晶体(105b)。第二虚拟晶体(105b)可以跨越栅极间距的一半的距离进入单元并且以第二边缘上为中心。第二虚拟晶体和第二扩散中断可以形成双扩散中断。
  • 用于单元设计混合扩散中断
  • [发明专利]静电保护结构-CN201210253787.3有效
  • 王邦麟;苏庆 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2012-07-20 - 2014-02-12 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种静电保护结构,包括:N+/P阱二极和多晶硅二极;N+/P阱二极其P阱通过P+扩散区连接地电位,其N+扩散区通过金属连线与多晶硅二极的矩形P+扩散区相连;多晶硅二极包括:形成在P-多晶硅衬底上的两个P+扩散区和两个N+扩散区;所述P+扩散区分列于所述N+扩散区两侧,其中一P+扩散区为矩形,另一P+扩散区呈阶梯形结构;所述N+扩散区通过金属连线并连后接电源电位,所述阶梯形P+扩散区通过金属连线接输出本发明相比较现有的二极静电保护结构,能减小输出/入端口到电源与地之间的总电容,减小静电保护结构对高射频电路工作性能的影响,适应射频电路的设计需求。
  • 静电保护结构
  • [发明专利]发电设备用阻抗复合式消声器-CN201410521254.8在审
  • 白术勇;张新春 - 诸城市海得威机械有限公司
  • 2014-09-30 - 2015-01-07 - F01N1/08
  • 本发明公开了一种发电设备用阻抗复合式消声器,包括壳体、隔板、端盖,在壳体的两端分别设置有端盖,两个端盖与壳体间设置有隔板,将两个端盖及壳体分成三个隔开的空腔,在壳体形成的空腔内充满吸声材料,进气扩散和出气扩散分别贯穿壳体的一端和两层隔板,使进气扩散和出气扩散的贯穿端位于壳体另一侧端盖形成的空腔内,在进气扩散的侧壁上设置有多个换气孔,在壳体形成的空腔内的出气扩散侧壁上设置有多个换气孔。本发明设置有三个隔开的空腔,进气扩散和出气扩散的侧壁上设置有多个换气孔,且在其中的空腔内充满吸音材料,充分利用了吸声材料和穿孔的振动摩擦消声作用,提高了消声器的消声效果。
  • 发电备用阻抗复合消声器
  • [实用新型]烟草回潮机的蒸汽喷嘴-CN201420395934.5有效
  • 贺万华 - 湖南中烟工业有限责任公司
  • 2014-07-17 - 2014-11-26 - B05B1/26
  • 本实用新型公开了一种烟草回潮机的蒸汽喷嘴,直(1)的截面为圆形,一端与蒸汽管道驳接,另一端与扩散(2)驳接,所述的扩散(2)为截面逐步扩大的腔体,所述的扩散(2)与所述的直(1)连接的一端的截面为圆形,扩散(2)的另一端的截面为矩形或椭圆形且与喷射面(4)连接,所述的喷射面(4)为与扩散(2)适应的矩形或椭圆形,喷射面(4)上设有若干喷射孔(5)。蒸汽通过直进入扩散后得到减速并均匀扩散,然后通过喷射腔一侧的若干个喷射孔向外喷射,形成喷射断面近似矩形或椭圆形的呈扇形扩散的蒸汽喷雾,作用在滚筒式回潮机内部断面呈现椭圆形的物料帘上,且蒸汽喷射速度较低
  • 烟草回潮蒸汽喷嘴
  • [实用新型]发电设备用阻抗复合式消声器-CN201420570260.8有效
  • 白术勇;张新春 - 诸城市海得威机械有限公司
  • 2014-09-30 - 2015-02-25 - F01N1/08
  • 本实用新型公开了一种发电设备用阻抗复合式消声器,包括壳体、隔板、端盖,在壳体的两端分别设置有端盖,两个端盖与壳体间设置有隔板,将两个端盖及壳体分成三个隔开的空腔,在壳体形成的空腔内充满吸声材料,进气扩散和出气扩散分别贯穿壳体的一端和两层隔板,使进气扩散和出气扩散的贯穿端位于壳体另一侧端盖形成的空腔内,在进气扩散的侧壁上设置有多个换气孔,在壳体形成的空腔内的出气扩散侧壁上设置有多个换气孔。本实用新型设置有三个隔开的空腔,进气扩散和出气扩散的侧壁上设置有多个换气孔,且在其中的空腔内充满吸音材料,充分利用了吸声材料和穿孔的振动摩擦消声作用,提高了消声器的消声效果。
  • 发电备用阻抗复合消声器
  • [发明专利]静电保护结构-CN201110103518.4有效
  • 苏庆 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2011-04-25 - 2012-10-31 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种静电保护结构,包含一N阱,一P阱;N阱中形成有第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区、第二N+扩散区,第一P+扩散区、第二P+扩散区构成一PMOS;N阱中的二P+扩散区之一、二N+扩散区之一同所述PMOS的栅极短接用于接静电端;P阱中形成有第三P+扩散区、第四P+扩散区、第三N+扩散区、第四N+扩散区,第三N+扩散区、第四N+扩散区构成一NMOS;P阱中的二N+扩散区之一、二P+扩散区之一同所述NMOS的栅极短接用于接地端;N阱中的另外一个N+扩散区同P阱中的另外一个N+扩散区短接;N阱中的另外一个P+扩散区同P阱中的另外一个P+扩散区短接。
  • 静电保护结构

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